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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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上揚(yáng)軟件助力SiC外延頭部企業(yè)部署CIM系統(tǒng)解決方案

近日,上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)國(guó)內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量、設(shè)備等方面的管理需求,定制化部署MES、EAP...

2025-03-26 標(biāo)簽:SiC外延片CIM 1.1k 0

可靠性、創(chuàng)新、整體解決方案……碳化硅的新高度

可靠性、創(chuàng)新、整體解決方案……碳化硅的新高度

對(duì)碳化硅 (SiC) 技術(shù)的需求持續(xù)增長(zhǎng),該技術(shù)可最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時(shí)減小其尺寸、重量和成本。但是 SiC 解決方案并不是硅的直接替代...

2022-08-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.1k 0

國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

近日,國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證,并獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證...

2023-03-20 標(biāo)簽:肖特基二極管功率器件SiC 1.1k 0

傾佳電子碳化硅在電網(wǎng)穩(wěn)定技術(shù)中的崛起:SVG拓?fù)溱厔?shì)及SiC功率器件變革性?xún)r(jià)值的技術(shù)分析

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傾佳電子碳化硅在電網(wǎng)穩(wěn)定技術(shù)中的崛起:SVG拓?fù)溱厔?shì)及SiC功率器件變革性?xún)r(jià)值的技術(shù)分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新...

2025-10-09 標(biāo)簽:電網(wǎng)SiCSVG 1.1k 0

年度展望:看見(jiàn)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)性調(diào)整后的新機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需要養(yǎng)精蓄銳,但新的發(fā)展機(jī)遇來(lái)臨時(shí)也要銳意進(jìn)取。新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展應(yīng)用、新技術(shù)的創(chuàng)新推動(dòng)以及第三代半導(dǎo)體SiC持續(xù)滲透,將給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)...

2024-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 1.1k 0

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET,具有最佳的系...

2024-12-20 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETSiC 1.1k 0

杭州士蘭與廈門(mén)半導(dǎo)體等聯(lián)手投資8英寸SiC功率器件項(xiàng)目

本次合作四方預(yù)計(jì)將在位于廈門(mén)市海滄區(qū)的廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司進(jìn)行合資運(yùn)營(yíng),主要目的是建造一座每月能生產(chǎn)6萬(wàn)片以SiC-MOSEFET為主導(dǎo)產(chǎn)品的8英...

2024-05-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1.1k 0

華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...

2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.1k 0

安森美推動(dòng)數(shù)據(jù)中心能效革新

隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能(AI)計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電,提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比,搭載AI的引擎需要消耗超過(guò)10倍...

2024-11-14 標(biāo)簽:安森美數(shù)據(jù)中心SiC 1.1k 0

新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5系列10-80A 2000V

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新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達(dá)1500VDC的高直流母線系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了更高...

2024-11-01 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管SiC 1.1k 0

汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)革新:SiC、Chiplet、RISC-V的協(xié)同作用

汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)革新:SiC、Chiplet、RISC-V的協(xié)同作用

隨著電動(dòng)汽車(chē)和智能汽車(chē)技術(shù)的迅猛發(fā)展,汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)正經(jīng)歷前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中,碳化硅(SiC)、Chiplet、RISC-V三大技術(shù)成為了推動(dòng)...

2024-10-28 標(biāo)簽:SiC芯片封裝RISC-V 1.1k 0

2027年SiC晶圓需求量將達(dá)到110萬(wàn)片

Wolfspeed 材料高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 博士表示:“Wolfspeed 在碳化硅領(lǐng)域擁有無(wú)與倫比的經(jīng)驗(yàn)積累,從而在應(yīng)對(duì)快...

2022-12-21 標(biāo)簽:SiC碳化硅半導(dǎo)體芯片 1.1k 0

Ga2O3器件仿真技術(shù)面臨哪些難點(diǎn)

目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì),突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術(shù)發(fā)...

2021-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.1k 0

8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

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8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅...

2022-03-03 標(biāo)簽:SiC 1.1k 0

國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能組串式儲(chǔ)能變流器(PCS)助力能源高效利用

國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能組串式儲(chǔ)能變流器(PCS)助力能源高效利用

SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲(chǔ)能變流器(PCS)首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下: BM...

2025-03-03 標(biāo)簽:SiC儲(chǔ)能PCS 1.1k 0

APEX決定在新的PWM放大器中集成SiC有何原因

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有類(lèi)似的高寬帶隙能量,從而使它們?cè)陂_(kāi)關(guān)能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導(dǎo)體更具優(yōu)勢(shì)。

2022-09-21 標(biāo)簽:放大器PWMSiC 1.1k 0

羅姆與聯(lián)合汽車(chē)電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

近日,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者羅姆半導(dǎo)體公司與中國(guó)汽車(chē)行業(yè)的重要綜合性供應(yīng)商聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(UAES)正式簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。這一...

2024-09-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC羅姆半導(dǎo)體 1.1k 0

碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)突圍:大數(shù)據(jù)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu),邁向功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)突圍:大數(shù)據(jù)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu),邁向功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

當(dāng)SiC從幕后走向舞臺(tái)中央數(shù)十年來(lái),硅材料一直被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的唯一解決方案。當(dāng)全球頂尖晶圓廠專(zhuān)注于硅基芯片研發(fā)時(shí),化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域早已在悄然突破——從...

2025-08-19 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1k 0

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。

2021-09-14 標(biāo)簽:SiC寬禁帶UnitedSiC 1.1k 0

又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC晶圓

近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡(jiǎn)稱(chēng)日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示...

2024-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 1.1k 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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