杭州士蘭與廈門半導(dǎo)體等聯(lián)手投資8英寸SiC功率器件項(xiàng)目
杭州士蘭微電子股份有限公司于5月21日晚公布了一項(xiàng)重大計(jì)劃，該公司將與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司和廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司聯(lián)手對(duì)其子公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司注入資金高達(dá)41.5億元，并簽署涉及8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目的進(jìn)一步投資合作協(xié)議。
本次合作四方預(yù)計(jì)將在位于廈門市海滄區(qū)的廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司進(jìn)行合資運(yùn)營(yíng)，主要目的是建造一座每月能生產(chǎn)6萬(wàn)片以SiC-MOSEFET為主導(dǎo)產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。
首期項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資額達(dá)70億元，其中資本金投入42.1億元，占據(jù)約60%的比例；而銀行貸款則為27.9億元，占比約40%。至于第二期投資，預(yù)計(jì)將在首期的基礎(chǔ)上繼續(xù)推進(jìn)，初步設(shè)定資本金投資部分為30億元，剩余部分為銀行貸款。
根據(jù)天眼查提供的信息，廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司成立于2024年，注冊(cè)資本為6000萬(wàn)元人民幣。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30737瀏覽量
264198 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2120瀏覽量
95123 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3721瀏覽量
69418
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)五萬(wàn)億電網(wǎng)投資的賦能作用
十五五期間五萬(wàn)億電網(wǎng)投資中的SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)電網(wǎng)投資的賦能作用 BASiC Semiconductor基本
士蘭微電子迎來(lái)雙線里程碑：8英寸碳化硅產(chǎn)線通線， 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開(kāi)工
2026年1月4日，杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區(qū)隆重舉行“8英寸碳化硅
士蘭微電子亮相2025中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
2025年11月11日至14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2025）在廈門召開(kāi)。士
半導(dǎo)體器件的通用測(cè)試項(xiàng)目都有哪些？
的保障，半導(dǎo)體器件的測(cè)試也愈發(fā)重要。 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過(guò)這些
士蘭微電子投建12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目
國(guó)際領(lǐng)先水平、以IDM模式運(yùn)營(yíng)、擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的12英寸高端模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。廈門半導(dǎo)體、廈門新翼科技與士
12英寸碳化硅襯底，會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年以來(lái)，各家廠商都開(kāi)始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半導(dǎo)體
功率器件測(cè)量系統(tǒng)參數(shù)明細(xì)
軟件于一體，為功率半導(dǎo)體行業(yè)提供全方位的測(cè)試解決方案。 核心優(yōu)勢(shì)與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)多場(chǎng)景廣泛適配：探針臺(tái)支持主流6英寸、8英寸、12
發(fā)表于 07-29 16:21
晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠
高品質(zhì)的 12 英寸 SiC 晶錠，這一成果標(biāo)志著晶越半導(dǎo)體正式邁入 12 英寸 SiC 襯底的先進(jìn)梯隊(duì)。 ? ? 在大尺寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，
深愛(ài)半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”
發(fā)表于 07-23 14:36
營(yíng)收破百億創(chuàng)歷史，士蘭微做了什么？
%。 圖/士蘭微 杭州士蘭微表示，公司營(yíng)業(yè)收入首次突破100億元，創(chuàng)造了中國(guó)大陸本土成長(zhǎng)起來(lái)的半導(dǎo)體
重慶首個(gè)8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目“奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目”迎來(lái)重大進(jìn)展
堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)——今年8月底通線試產(chǎn)，第四季度實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡并交付客戶。 光刻機(jī)進(jìn)入百級(jí)潔凈黃光區(qū)廠房 奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目作為重慶首個(gè)8英寸MEMS特色
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、
發(fā)表于 07-11 14:49
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗，更是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問(wèn)題體現(xiàn)在三個(gè)維度： 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長(zhǎng)期依賴6英寸晶圓技術(shù)，8英寸量產(chǎn)計(jì)劃因良率不足陷入僵局，而中國(guó)天科合達(dá)、
12英寸SiC，再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后，業(yè)界并沒(méi)有停下腳步，開(kāi)始投入到12英寸襯底的開(kāi)發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先進(jìn)率先出手，發(fā)布了行業(yè)首款12
全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論