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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長晶爐順利通過客戶驗(yàn)證
近日,晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式長晶爐順利通過客戶驗(yàn)證,設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新,引...
DOH工藝 | 助力中國電動(dòng)汽車保持領(lǐng)先優(yōu)勢
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽...
2024-12-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 1.1k 0
碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中,米勒鉗位功能至關(guān)重要,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)?、光伏?..
方正微電子TPAK模塊FA120T003BA(1200V 3.1mΩ)是一款高性能SIC MOS功率模塊,專為新能源汽車主驅(qū)電機(jī)控制器、EVTOL電機(jī)控...
SiC(碳化硅)元件推動(dòng)電動(dòng)車新走向
第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。
2024廣州國際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì)5月與您相約廣州保利世貿(mào)博覽
AUTO TECH 2024 廣州國際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì),將于2024年5月15日-17日在廣州保利世貿(mào)博覽館盛大召開
為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?
電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面,WBG半...
如何更好的驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET?——試用X3系列加強(qiáng)型半橋驅(qū)動(dòng)評估板
認(rèn)真學(xué)習(xí)本文,回答三個(gè)問題,即有機(jī)會(huì)獲取評估板,自己上手做測試,體驗(yàn)數(shù)字化驅(qū)動(dòng)器的美妙和強(qiáng)大功能!得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢,SiCMOSFET在電力...
羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施
日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房,旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這個(gè)新工廠包括工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù),以實(shí)現(xiàn)更綠色的制造過程。 ...
中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級的核心路徑。這一趨勢不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)...
碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域
到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。
眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵...
瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬顆 產(chǎn)品長期可靠性得到驗(yàn)證
來源:瞻芯電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻芯電子累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包...
云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)...
為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素...
2025-06-09 標(biāo)簽:MOSFET服務(wù)器意法半導(dǎo)體 1k 0
基于碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)成為海外工商儲市場的破局利器
基于基本股份(BASiC)的碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)在海外工商儲市場成為出海破局利器,主要得益于以下多維度優(yōu)勢: --- ### ...
多維科技在紐倫堡Sensor+Test展會(huì)上推2MHz帶寬的可編程TMR265x線性傳感器芯片
多維科技全新的TMR265x 線性磁場傳感器芯片具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測方案。 2023年5月8日,多維科技將在...
使用SiC實(shí)現(xiàn)太陽能和可再生能源功率轉(zhuǎn)換
Wolfspeed SiC 目前支持廣泛的應(yīng)用,因?yàn)槭聦?shí)證明,基于 SiC 的解決方案比傳統(tǒng)的基于 Si 的解決方案具有更高的效率、功率密度和系統(tǒng)成本效...
2022-08-04 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換SiC可再生能源 1k 0
傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用
傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單...
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