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如何更好的驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET?——試用X3系列加強(qiáng)型半橋驅(qū)動(dòng)評估板

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-05-10 08:14 ? 次閱讀
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得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢,SiC MOSFET電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiC MOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高的要求。為了最大化利用SiC MOSFET的性能優(yōu)勢,驅(qū)動(dòng)芯片的選擇需要著重考慮如下幾個(gè)方面:

01

更高的軌到軌電壓

IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗,SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對門極電壓的敏感性比IGBT更高,所以對SiC MOSFET使用高驅(qū)動(dòng)電壓的收益更大,具體分析可參考這篇文章門極驅(qū)動(dòng)正壓對功率半導(dǎo)體性能的影響。為了防止寄生導(dǎo)通,SiC MOSFET往往還需要負(fù)壓關(guān)斷。如果一個(gè)SiC MOSFET使用了Vgs=-5V~20V的門極驅(qū)動(dòng)電壓,那么就要求前級驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電壓至少是25V,再加一定的余量,一般取35V~40V之間比較合適。

02

更高的共模抑制比

SiC MOSFET是高頻器件,不管是上升還是下降過程中的電壓變化率dv/dt都遠(yuǎn)大于IGBT,這要求芯片本身具有較高的抗干擾度。常用于評估驅(qū)動(dòng)芯片抗擾度的參數(shù)為共模抑制比CMTI,是衡量驅(qū)動(dòng)芯片是否適用于SiC MOSFE的標(biāo)準(zhǔn)之一。

03

更高的絕緣等級

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的不斷發(fā)展需要引入新的電壓等級。比如,2kV SiC MOSFET可將1500VDC光伏系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)從三電平簡化至兩電壓,能夠提高系統(tǒng)效率,但是隨著電壓的提升,只有基本絕緣或者功能絕緣的驅(qū)動(dòng)芯片明顯不適用。需要驅(qū)動(dòng)芯片具有加強(qiáng)絕緣能力。關(guān)于驅(qū)動(dòng)芯片的絕緣等級定義,可以參考淺談驅(qū)動(dòng)芯片的絕緣安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)

04

抑制誤觸發(fā)

SiC MOSFET閾值電壓相對IGBT低很多,英飛凌閾值電壓大約是4.5V,而其他很多SiC MOSFET閾值電壓僅有2~3V。再加上SiC MOSFET開關(guān)時(shí)dv/dt很高,SiC MOSFET寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)就格外嚴(yán)峻。這就要求驅(qū)動(dòng)芯片最好具有米勒鉗位功能。

05

更快的短路保護(hù)響應(yīng)時(shí)間

SiC MOSFET芯片面積小,電流密度高,發(fā)熱集中,所以SiC MOSFET的短路時(shí)間大大小于IGBT,英飛凌CoolSiC MOSFET單管保證至多3us的短路時(shí)間,而模塊保證至多2us的短路時(shí)間。在這么短的時(shí)間內(nèi)識(shí)別出短路并關(guān)斷功率器件,這對驅(qū)動(dòng)芯片提出了非常高的要求。

什么樣的驅(qū)動(dòng)芯片能滿足SiC MOSFET的種種挑剔要求?英飛凌EiceDriver X3系列驅(qū)動(dòng)芯片當(dāng)仁不讓。尤其是其中數(shù)字型加強(qiáng)型驅(qū)動(dòng)芯片1ED38X0Mx12M系列,更是完美滿足上述要求:

1

驅(qū)動(dòng)芯片最大輸出電壓高達(dá)40V,滿足SiC MOSFET高門極電壓的需求。

2

共模抑制比CMTI可達(dá)300V/us,遠(yuǎn)高于光耦和容隔芯片。

3

滿足加強(qiáng)絕緣要求,通過VDE 0884-11加強(qiáng)絕緣認(rèn)證,瞬態(tài)過電壓(VIOTM)增至8kV,可適用于650V,1200V,1700V,2300V IGBT,SiC and Si MOSFET。

4

具備米勒鉗位功能,還可外置米勒鉗位MOSFET,適配更大規(guī)格的功率器件。

5

通過I2C總線配置,不需要外置退飽和電容,即可調(diào)節(jié)消隱時(shí)間。TDESATled從0ns到3150ns有64檔可調(diào),而TDESATfilter從0ns到6000ns有32檔可調(diào)!同時(shí),檢測到短路后還可實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷,避免關(guān)斷過快產(chǎn)生電壓尖峰損壞器件。軟關(guān)斷電流范圍根據(jù)型號不同而有所區(qū)別,各有16檔可調(diào)。

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