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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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用于新型電力電子的 GaN、SiC

我們深入探討了 WBG 技術的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術推向未來芯片...

2022-07-27 標簽：半導體 SiC GaN 1.2k 0

GaN和SiC的技術挑戰(zhàn)

每個世紀在人類努力的各個領域都有其重大發(fā)明。對于電力電子而言，21世紀正在加速發(fā)現寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗...

2022-07-27 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.6k 0

令人欽佩的碳化硅接受度

甚至懷疑它的人也改變了主意，因為他們驚嘆于它的能力、性能和強度。碳化硅 (SiC)，這種化合物一直令半導體設計師著迷。隨著對其技術的需求不斷增長，該技術...

2022-07-28 標簽：模塊半導體 SiC 1.1k 0

將GaN用于射頻應用的所有優(yōu)勢

與傳統(tǒng)技術相比，氮化鎵已被證明是射頻領域多種應用的優(yōu)質材料，其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中，氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...

2022-07-26 標簽：射頻 RF SiC 1.9k 0

基于SiC的快速充電—在您自己的車庫中

此外，SiC 具有優(yōu)異的材料特性，例如正向電阻的最小增加。與硅元件相比，這可以實現更大的封裝小型化和節(jié)能。基于 SiC 的組件可以在更高的環(huán)境溫度下運行...

2022-07-26 標簽：電動汽車充電器 SiC 829 0

羅姆的創(chuàng)新工廠將增加 SiC 功率器件的產量

羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術，從生...

2022-07-26 標簽：制造業(yè)功率器件 SiC 1.4k 0

如何將 SiC 技術用于功率逆變器

安森美半導體在電動方程式世界錦標賽中與梅賽德斯-EQ 方程式 E 合作開發(fā)下一代電動動力系統(tǒng)。安森美半導體與梅賽德斯 AMG 的高功率性能（HPP） ...

2022-07-26 標簽：半導體 SiC 功率逆變器 2k 0

線性狀態(tài)下的SiC MOSFET

SiC MOSFET在開/關切換模式下運行。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，當驅動程序發(fā)生故障或設計人員為特定目的對其進行編程時，可能會發(fā)生這種情況。

2022-07-25 標簽：MOSFET 無線電 SiC 2.3k 0

在五電平單相轉換器中使用SiC降低開關電壓應力

仿真結果表明這種 T 型拓撲在所需的允許范圍內的適用性。它提供了諸如鉗位開關數量減少和雙向開關減少等優(yōu)點。這些新穎的 T 型腿拓撲顯示的開關電壓應力小于...

2022-07-25 標簽：轉換器電平轉換器 SiC 3.7k 0

第三代半導體或將迎來發(fā)展浪潮

據統(tǒng)計，目前國內以SiC、GaN為代表的第三代半導體主要制造商已達147家。

2022-07-20 標簽：半導體功率器件 SiC 2.6k 0

中國大陸半導體功率器件企業(yè)前50名

? ? 近年來，國內功率半導體賽道逐漸火爆，為何業(yè)內普遍看好功率半導體的市場前景呢？這要從功率半導體的特性說起。客觀而言，功率半導體屬于特色工藝產品...

2022-07-18 標簽：半導體功率器件 SiC 2.6k 0

SiC供不應求國內SiC產業(yè)發(fā)展將進入到一個新階段

電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）SiC供不應求，已經是行業(yè)共識。自從電動汽車興起，特斯拉率先在電動汽車上大規(guī)模應用SiC功率器件，需求開始爆發(fā)后，產能不足...

2022-07-13 標簽：芯片半導體 SiC 2.1k 0

全球SiC產能“戰(zhàn)備競賽”打響，國內擴產進度如何？

2022-07-13 標簽：芯片 SiC 5k 0

SmartSiC的制作步驟及技術細節(jié)

前段時間，Soitec宣布8英寸SiC量產，而且還投資23億建線（。點這里。），更為關鍵的是他們號稱能讓單塊SiC晶錠產量增加10倍，使SiC MOSF...

2022-07-10 標簽：功率器件 SiC MOSFET芯片 3.8k 0

高溫熔融沉積結合反應燒結制備SiC陶瓷新方法

碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學質量和優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性，廣泛應用于航空航天、石油化工、集成電路等領域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...

2022-07-10 標簽：集成電路 SiC 碳化硅 2.2k 0

重點分析和綜述碳化硅功率模塊封裝中的4個關鍵問題

SiC與第1代半導體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶...

2022-07-10 標簽：SiC 功率模塊寄生電感 5.5k 0

碳化硅模塊引發(fā)大眾博弈巨頭各自建立準入門檻

以SiC市場為例，美國在SiC 領域全球獨大，美國Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、Transphorm、道康寧等行業(yè)巨頭占據了全球70%以上的市場份額。

2022-07-07 標簽：功率器件 SiC 功率模塊 1.2k 0

SiC在電動汽車電驅模塊上的應用

傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性質受限，在高溫、高壓、高頻、高功率等領域上性能上限較低。

2022-07-06 標簽：電動汽車新能源 SiC 2.2k 0

國產SiC MOSFET為什么遲遲還未上車？

電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車電驅模塊上的應用，隨著市場對電動汽車長續(xù)航、高壓電氣架構、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導體由...

2022-07-06 標簽：SiC 碳化硅 SiCMOSFET 4.5k 0

富昌電子SiC設計分享（三）：SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域...

2022-07-07 標簽：新能源汽車 SiC 寄生電容 3.2k 0

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