應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。 ? 上一篇我們先就SiC MOSFET的驅動電壓做了一定的分析及探討（SiC設計分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討）。本
2022-06-16 07:00:00
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在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432262 
本文將介紹如何根據(jù)開關波形計算使用了SiC MOSFET的開關電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內對開關波形進行分割，并使用近似公式計算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:052168 
為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向導通，即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:464442 
SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應用的SiC MOSFET模塊，本章節(jié)帶你詳細了解。
2025-12-02 11:28:173356 
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:237455 的等效電路就成了圖 2 的樣子了。但是，我們從MOSFET 的數(shù)據(jù)手冊中一般看不到這三個參數(shù)，手冊給出的參數(shù)一般是 CISS、COSS和CRSS（見圖 1 ）， ? 圖 1 某數(shù)據(jù)手冊關于寄生電容的描述
2021-01-08 14:19:5919972 
。 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案。在為企業(yè)縮短產品設計周期的同時，也進一步加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術、項目經驗積累，落筆
2022-05-30 07:00:008699 
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-06-16 15:12:097393 本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時參考！
2022-07-06 18:10:023431 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:523254 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:311566 
SiC MOSFET的開關尖峰問題，并介紹使用瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）進行保護的優(yōu)勢和上海雷卯電子提供的解決方案。 1. SiC MOSFET開關過程中的電壓尖峰 SiC MOSFET在快速開關時，由于其內部寄生電容和電路寄生電感的作用，會在器件兩端產生電壓尖峰。這些尖峰可能遠
2024-08-15 17:17:275788 
Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同電流下的優(yōu)異特性，一般會將的Si-IGBT和 SiC-MOSFET按照一定比例進行混合并聯(lián)使用。
2025-01-21 11:03:572639 
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，進而縮短產品的設計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身
2022-08-01 14:39:003733 
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，進而縮短產品的設計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身
2022-08-30 09:31:001740 
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，進而縮短產品的設計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身
2022-09-28 13:54:381777 
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件
2018-11-21 15:52:43
感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區(qū)時間內被
2018-07-13 09:48:50
感性負載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區(qū)時間內被
2018-07-18 10:09:10
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅動 其1柵極驅動 其2應用要點緩沖電容器 專用柵極驅動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗猓?b class="flag-6" style="color: red">SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調節(jié)器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
的SiC-MOSFET由于寄生雙極晶體管的電流放大倍數(shù)hFE較低，因而不會發(fā)生電流放大，截至目前的調查中，即使在50kV/μs左右的工作條件下，也未發(fā)生這種損壞模式。關于體二極管快速恢復時的dV/dt，一般認為
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關性能的優(yōu)勢實現(xiàn)了Si IGBT很難實現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會嚴重影響全局開關損耗。針對此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當電源開關關閉時，驅動器將會工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應導通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
2025-04-23 11:25:54
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調節(jié)器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調節(jié)器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
通時產生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關的全SiC功率模塊的開關
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
是，容許相同的發(fā)熱與損耗時，開關工作可以更高速。以開關電源為例，通過提高開關頻率，將能夠使用更小型的線圈（電感）與電容器，從而可實現(xiàn)小型化，更節(jié)省空間。 實現(xiàn)穩(wěn)定的溫度特性SiC的溫度特性的變動比Si
2018-12-04 10:26:52
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導通電阻降低兩個數(shù)量級2.電源轉換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實際應用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
、SiC SBD開關損耗低，可提高系統(tǒng)效率
下圖為相同規(guī)格的Si FRD和SiC SBD在不同溫度下的反向恢復電流對比，其中SiC SBD是我司推出的SiC SBD產品，Si FRD是國際一線品牌主流
2023-10-07 10:12:26
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
摘要 本文介紹了碳化硅（SiC）器件在高頻率 LLC 諧振 DC/DC 轉換器中的應用。此類轉換器可用于母線轉換器、電動汽車充電機、服務器電源和儲能系統(tǒng)。在開關頻率較高的情況下，LLC 變壓器
2023-02-27 14:02:43
:?全SiC功率模塊由ROHM自主生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成。?與Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。?全SiC功率模塊正在不斷進化，最新產品搭載了最新的第三代SiC-MOSFET。
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
二極管（Si FRD）的IGBT相比，開通損耗顯著降低。 在用于車載充電應用的案例中，開關損耗降低了67%，整體損耗降低了56%。此外，在與通常被認為比IGBT損耗更少的SJ-MOSFET進行比較
2022-07-27 10:27:04
I.引言 高效率已成為開關電源（SMPS）設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關損耗和導
2018-10-08 15:19:33
SiC MOSFET與傳統(tǒng)Si器件相比，具有高電壓、大電流、高速驅動、低損耗、高溫穩(wěn)定等諸多優(yōu)點，是新一代器件。近年來，利用這些優(yōu)異特性，作為向大功率發(fā)展的電動汽車 (EV) 的牽引逆變器電路，并聯(lián)
2024-11-27 14:23:04
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
勵磁電流ILM開始在死區(qū)時間內對低側晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調節(jié)器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產品中使用的功率開關器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
也是基于電容的特性，下面將從結構上介紹這些寄生電容，然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義，以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結構如圖
2016-12-23 14:34:52
來看看圖1中的產品組合?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在查看該產品組合解決的電壓范圍時，很明顯，SiC MOSFET與Si MOSFET競爭，并且存在與IGBT競爭的范圍。在較低的電壓范圍內，Si MOSFET確實與SiC器件
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
–節(jié)能化和小型化，比如有助于提高功率轉換效率，可實現(xiàn)散熱器的小型化，可高頻工作從而實現(xiàn)變壓器和電容器的小型化等。右圖是在AC/DC轉換器中SiC-MOSFET與Si-MOSFET的效率比較。如圖所示
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:11:50
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
CMRR低（典型值<60dB），易受SiC MOSFET高速開關產生的高頻EMI影響，造成波形畸變，嚴重者會導致炸管。光隔離探頭的改進：
1.低寄生參數(shù)設計：
1pF寄生電容幾乎不
2025-04-08 16:00:57
為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開關損耗及分析寄生參數(shù)對其開關特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結電容
2018-03-13 15:58:38
13 Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低
2020-09-29 10:44:009 電力電子產業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設計，而在高開關頻率高功率的應用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁
2021-08-13 18:16:278496 寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關速度會導致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的設計裕量，并且較長的振鈴時間會引入EMI。
2022-08-29 15:20:382087 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備
2022-11-06 21:14:511980 在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:291100 SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201448 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:213059 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結構上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:244954 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082523 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034591 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。但是，溝槽結構可以增加單元密度，沒有JFET效應，寄生電容更小，開關速度快，開關損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
3.1 驅動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產品手冊中單管
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2023-11-29 16:16:061343 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:211731 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:342163 
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:521413 MOSFET的基本結構。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導通電阻和開關損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關
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2025-02-09 20:17:291127 
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