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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

      大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

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      2018-11-30 11:35:30

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      2019-07-09 04:20:19

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      2025-01-20 14:19:40

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      2018-11-27 16:38:04

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      2018-11-27 16:37:30

      在通用PWM發(fā)電機(jī)中，可以用任何型號(hào)替換SiC MOSFET嗎？

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      2024-03-01 06:34:58

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      2023-02-21 16:36:47

      開(kāi)關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊

      SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類(lèi)型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類(lèi)型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
      2018-12-04 10:14:32

      搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

      1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
      2019-03-12 03:43:18

      汽車(chē)類(lèi)雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器包括BOM及層圖

      和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
      2018-10-16 17:15:55

      溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

      本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
      2018-12-05 10:04:41

      淺析SiC-MOSFET

      SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
      2019-09-17 09:05:05

      測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)

      SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
      2022-09-20 08:00:00

      羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

      的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
      2019-03-18 23:16:12

      設(shè)計(jì)中使用的電源IC：專(zhuān)為SiC-MOSFET優(yōu)化

      SiC-MOSFET用作開(kāi)關(guān)的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計(jì)中，要使用SiC-MOSFET需要專(zhuān)用的電源IC設(shè)計(jì)中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C
      2018-11-27 16:54:24

      采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

      損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
      2018-12-04 10:11:50

      驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

      請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
      2019-07-31 10:13:38

      麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

      。 圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測(cè)試過(guò)程中，SiC MOSFET 具有極快的開(kāi)關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
      2025-04-08 16:00:57

      基于SiC MOSFET的精確分析模型

      為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線(xiàn)性結(jié)電容
      2018-03-13 15:58:3813

      何謂全SiC功率模塊?

      羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
      2018-05-17 09:33:1314691

      派恩杰SiC MOSFET批量“上車(chē)”，擬建車(chē)用SiC模塊封裝產(chǎn)線(xiàn)

      自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應(yīng)用落地。
      2021-12-08 15:55:512174

      如何有效地測(cè)量SiC MOSFET

      和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開(kāi)關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
      2022-07-27 11:03:452721

      具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

      CISSOID 最近發(fā)布了專(zhuān)為降低開(kāi)關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模塊 （IPM） 產(chǎn)品系列。
      2022-08-04 15:38:382724

      SiC MOSFET應(yīng)用中的EMI改善方案分析

      寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的設(shè)計(jì)裕量，并且較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間會(huì)引入EMI。
      2022-08-29 15:20:382086

      全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化

      SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
      2022-11-06 21:14:511980

      Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

      一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT的尾
      2023-01-12 16:35:471139

      剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

      本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
      2023-02-06 14:39:513205

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

      1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
      2023-02-07 16:48:231562

      何謂全SiC功率模塊

      繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
      2023-02-08 13:43:211334

      SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

      在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
      2023-02-08 13:43:23971

      搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

      ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
      2023-02-10 09:41:082522

      SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

      SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
      2023-02-16 09:40:105634

      SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

      本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
      2023-02-23 11:27:571699

      溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

      在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
      2023-02-24 11:48:181170

      何謂全SiC功率模塊

      繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
      2023-02-24 11:51:08920

      SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動(dòng)方案

      如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
      2023-02-27 14:42:0483

      SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

      對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
      2023-08-08 11:05:571674

      ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

      ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
      2023-09-14 19:15:141231

      SiC MOSFET 器件特性知多少？

      、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像
      2023-10-18 16:05:022426

      車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

      1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
      2023-10-27 11:00:522610

      SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

      SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
      2023-12-05 14:31:211731

      怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？

      怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
      2023-12-21 11:15:521410

      SIC MOSFET在電路中的作用是什么？

      SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
      2023-12-21 11:27:132620

      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

      功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因?yàn)樗鼈円呀?jīng)被認(rèn)為具有較高的寄生電感。
      2024-05-08 17:43:581879

      三菱電機(jī)發(fā)布新型低電流SiC-MOSFET模塊

      三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿(mǎn)足大型工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)對(duì)高性能逆變器日益增長(zhǎng)的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規(guī)格，將于6月10日起正式投入市場(chǎng)。
      2024-06-12 14:51:071362

      SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

      SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
      2024-09-10 15:19:074705

      SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

      碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET這些優(yōu)良特性，需要通過(guò)模塊封裝以及驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)，才能得到完美展現(xiàn)。
      2024-10-16 13:52:058141

      軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

      。通過(guò)將SBD嵌入到MOSFET中，避免了SiC-MOSFET固有的雙極退化。通過(guò)采用一種新穎的雙極模式激活（BMA）元胞結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了足夠的浪涌電流能力。與傳統(tǒng)的SiC模塊相比，電特性有了顯著改善
      2024-10-31 16:47:491968

      34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

      34mm SiC MOSFET半橋碳化硅模塊產(chǎn)品介紹_20241217_Rev.1.0.1
      2024-12-30 15:24:522

      SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

      BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
      2025-01-16 14:32:042

      SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

      碳化硅（SiC） MOSFET的雙極性退化（Bipolar Degradation）是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問(wèn)題，尤其在儲(chǔ)能變流器（PCS）等高功率、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中矛盾尤為突出。在儲(chǔ)能變
      2025-03-09 06:44:311467

      國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應(yīng)用

      傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
      2025-05-10 13:38:19860

      硅基時(shí)代的黃昏：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

      革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn)，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊
      2025-05-30 16:24:03933

      BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹

      BASiC_34mm SiC MOSFET模塊產(chǎn)品介紹
      2025-09-01 15:24:120

      BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹

      BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
      2025-09-01 15:23:110

      BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產(chǎn)品介紹

      BASiC_SiC MOSFET工業(yè)模塊產(chǎn)品介紹
      2025-09-01 16:02:370

      傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

      傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
      2025-09-05 08:36:442199

      傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

      傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子
      2025-10-11 10:56:371138

      探索 onsemi NXH010P120MNF1 SiC MOSFET 模塊：性能與應(yīng)用的深度剖析

      在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 以其卓越的性能正逐漸成為行業(yè)的主流選擇。onsemi 的 NXH010P120MNF1 系列 SiC MOSFET 模塊，憑借其出色的電氣特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，吸引了眾多工程師的關(guān)注。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討一下這款模塊的特點(diǎn)和應(yīng)用。
      2025-12-08 14:41:21311

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