也存在自己的一系列問題，包括穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩，以及故障處理等。 對設(shè)計人員而言，成功應(yīng)用 SiC MOSFET 的關(guān)鍵在于深入了解 SiC MOSFET 獨有的工作特征及其對設(shè)計的影響。本文將提供此類見解，以及實現(xiàn)建議和解決方案示例。 為何使用 SiC MOSFET 要充分
2018-07-04 09:01:39
10464 
SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動電壓 ，以及 SiC器件驅(qū)動設(shè)計中的寄生導(dǎo)通問題 。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給
2022-07-07 09:55:003147 
在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432260 
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法；并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2015-09-18 14:33:176809 
碳化硅（SiC）MOSFET的快速開關(guān)速度，高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統(tǒng)簡單性的電源設(shè)計人員具有很高的吸引力。
2021-02-02 11:54:338163 
當(dāng)設(shè)計中需要優(yōu)先考慮并盡可能減少EMI（電磁干擾）時，線性穩(wěn)壓器可以算得上一種低噪聲解決方案，但考慮到散熱和效率要求其并不適用于該種場景，反而需要選擇開關(guān)穩(wěn)壓器。即使在對EMI敏感的應(yīng)用中，開關(guān)
2022-09-28 14:27:221952 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:022986 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:133282 
本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進(jìn)行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:193286 
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率 MOSFET 已在電動汽車車載充電器中得到
2023-12-15 09:42:457594 
的技術(shù)、項目經(jīng)驗積累，著筆SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 本文作為系列文章的第五篇，主要針對SiC MOSFET相關(guān)應(yīng)用中的EMI改善方案做一些探討。 對設(shè)計人員而言，成功應(yīng)用 SiC MOSFET 的關(guān)鍵在于深入了解 SiC MOSFE
2022-08-30 09:31:001740 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢實現(xiàn)了Si IGBT很難實現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
米勒箝位示意圖在高功率應(yīng)用中，對于SiC MOSFET的選取，本文推薦采用[color=#2655a5 !important]ROHM（羅姆）公司提供的新型SiC MOSFET解決方案——[color
2019-07-09 04:20:19
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時，為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對 RC 緩沖吸收
2025-04-23 11:25:54
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
等級。但是隨著開關(guān)頻率的提高，會帶來 EMI 特性的惡化，必須采取有效的措施改善電路的 EMI 特性開關(guān)電源的功率 MOSFET 安裝在印制電路板上，由于印制電路板上 MOSFET 走線和環(huán)路存在雜散
2020-10-10 08:31:31
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
URF2405P- 6WR3的吸收電路(采用如圖3中的②RC吸收電路)為例： MOSFET的功耗優(yōu)化工作實際上是一個系統(tǒng)工程，部分優(yōu)化方案甚至?xí)绊?b class="flag-6" style="color: red">EMI的特性變化。上述案例中，平衡了電源整體效率與EMI
2019-09-25 07:00:00
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對兩個波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
40mR導(dǎo)通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實際應(yīng)用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應(yīng)用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
、根據(jù)評估版原理圖，分析SIC MOS的驅(qū)動和保護方案。2、搭建一個非隔離的半橋結(jié)構(gòu)的雙向DC-DC變換器樣機。預(yù)期參數(shù)：高壓端400V，低壓端200V，開關(guān)頻率250KHZ，電流10A。3、對DSP
2020-04-24 18:08:05
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時，也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
在通用PWM發(fā)電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機驅(qū)動器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的反向恢復(fù)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下的高功率損耗，使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認(rèn)為取代CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET［8］。遺憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
的重點。然而，由于其應(yīng)用范圍極為廣泛，在使用中由功率MOSFET失效造成的系統(tǒng)故障數(shù)不勝數(shù)?？煽啃允钱a(chǎn)品的重要指標(biāo)，汽車工業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)格，這使SiC MOSFET可靠性問題成為亟待解決的重要問題。本文
2018-11-02 16:25:31
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作開關(guān)的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設(shè)計中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
。但是隨著開關(guān)頻率的提高，會帶來EMI特性的惡化，必須采取有效的措施改善電路的EMI特性圖 1 MOSFET噪聲源1、降低MOSFET的dv/dt1-3中，Rg和Cgd越大，dv/dt越低。1-4中
2020-10-21 07:13:24
本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中，介紹了抑制傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 (EMI) 的實用指南和示例，尤其是針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案進(jìn)行了詳細(xì)介紹
2022-11-09 08:02:39
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測試過程中，SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
電動汽車直流變換器中高壓MOSFET的振蕩分析與改善_周晶晶
2017-01-08 10:57:06
5 為精確估算高頻工作狀態(tài)下SiC MOSFET的開關(guān)損耗及分析寄生參數(shù)對其開關(guān)特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準(zhǔn)分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結(jié)電容
2018-03-13 15:58:3813 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:404976 電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁
2021-08-13 18:16:278492 用于高功率和高頻應(yīng)用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫，其特點包括低導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許構(gòu)建具有更高功率密度和更高效率的轉(zhuǎn)換器。然而
2022-08-03 09:40:471712 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202593 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:291100 從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201446 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034586 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191294 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:571674 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:211731 
SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:491695 可行的解決方案。 首先，讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結(jié)構(gòu)。SIC（碳化硅）MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET，SIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)秀的耐高溫性能，可以應(yīng)用于高頻、高功率和高溫環(huán)境
2023-12-21 11:15:521410 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:132620 光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案可使用BTD25350
2024-06-11 09:35:471096 
SiC功率器件，但在工作原理、特性、應(yīng)用及優(yōu)缺點等方面存在顯著的差異。以下是對SiC MOSFET和SiC SBD之間區(qū)別的詳細(xì)分析。
2024-09-10 15:19:074705 電動汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
2024-09-29 14:28:011256 
分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個
SiC MOSFET型號（B3M040065Z和B3M040120Z）在T型三電平拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的優(yōu)勢及損耗計算 一、T型三電平拓?fù)?/div>
2025-02-24 22:30:201065 
流器中，SiC MOSFET的雙極性退化問題因高頻、高溫、高可靠性需求的疊加而成為致命矛盾。解決這一矛盾需從材料、器件設(shè)計多維度協(xié)同優(yōu)化，以實現(xiàn)SiC技術(shù)潛力與長期可靠性的平衡。 以下從原因、后果及在PCS中的特殊性展開分析： 一、雙極性退化的原因 材料特性與載流子注入 SiC材料
2025-03-09 06:44:311467 
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動方案介紹
2025-09-01 15:23:110 已全部加載完成
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