車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求；2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀；3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝；4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

編輯：黃飛

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MOSFET(230975) MOSFET(230975)
封裝技術(69202) 封裝技術(69202)
SiC(68650) SiC(68650)
功率模塊(46728) 功率模塊(46728)

三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（2）

隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護技術，本章節(jié)主要介紹三菱電機車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。

2025-08-08 16:14:21

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SiC功率模塊封裝技術及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優(yōu)化和技術創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)

2023-01-07 10:24:37

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碳化硅功率器件封裝技術解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝雜

2023-09-24 10:42:40

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意法半導體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統(tǒng)設計靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有

2023-10-31 15:37:59

2457

AOS推出采用 TOLL 封裝技術的80V 和 100V 車規(guī)級MOSFET

應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其

2023-12-14 16:55:24

3066

多款產(chǎn)品通過車規(guī)認證，國產(chǎn)SiC MOSFET加速上車

潮，令800V平臺、SiC電驅(qū)開始打進20萬內(nèi)的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級認證，這將繼續(xù)推動SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)

2024-03-13 01:17:00

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SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較

SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜相關產(chǎn)品信息＞MOSFETSiC-DMOS

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結構和特征

另一方面，按照現(xiàn)在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！　∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！　∪绻?/div>

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體

2019-04-09 04:58:00

SiC MOSFET的器件演變與技術優(yōu)勢

一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！　√蓟杌蛱蓟璧臍v史

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術作為其功率器件生產(chǎn)的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件的封裝技術研究

不具備足夠的堅固性。當前對大功率、高溫器件封裝技術的大量需求引起了對這一領域的研發(fā)熱潮?！　?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上

2018-09-11 16:12:04

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點

2018-11-29 14:35:23

車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？

車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？

2021-05-18 06:54:02

車規(guī)級的器件選型

`各位今天聊聊車規(guī)級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級別的，但又工業(yè)級別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`

2015-10-15 14:22:18

車用SiC元件討論

個月的研發(fā)合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關內(nèi)容，并聚焦在有關SiC技術和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業(yè)

2019-06-27 04:20:26

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境

2025-03-17 09:59:21

CYNTEC車規(guī)級功率電感VCGA052T：高性能替代Eaton SDCHA1V50

在汽車電子領域?qū)Ω呖煽啃栽?b class="flag-6" style="color: red">需求日益增長的背景下，CYNTEC推出的車規(guī)級功率電感VCGA052T憑借卓越性能成為Eaton SDCHA1V50的理想替代方案。VCGA052T電感采用創(chuàng)新磁芯材料

2025-11-05 13:59:25

GW1NZ系列車規(guī)級FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊

GW1NZ系列車規(guī)級FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊主要包括高云半導體GW1NZ系列FPGA產(chǎn)品（車規(guī)級）的封裝介紹、管腳定義說明、管腳數(shù)目列表、管腳分布示意圖以及封裝尺寸圖。

2022-09-28 11:05:08

MEMS器件的封裝級設計

MEMS器件有時也采用晶圓級封裝，并用保護帽把MEMS密封起來，實現(xiàn)與外部環(huán)境的隔離或在下次封裝前對MEMS器件提供移動保護。這項技術常常用于慣性芯片的封裝，如陀螺儀和加速度計。這樣的封裝步驟是在MEMS

2010-12-29 15:44:12

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術的極低電感SP6LI封裝

) MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現(xiàn)高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國

2018-10-23 16:22:24

PQFN封裝技術提高性能

標準(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設計人員設法通過芯片級創(chuàng)新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導通和開關性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導通電阻(RDS(ON))和影響開關性能

2018-09-12 15:14:20

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

技術領域都擁有強大的優(yōu)勢，雙方保持著技術交流并建立了合作關系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術與Apex Microtechnology的模塊技術完美結合，雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設備的效率提升做出貢獻。

2023-03-29 15:06:13

SiLM27531HAC-7G車規(guī)級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護閾值的高速低邊門極驅(qū)動解析

的 VDD 供電，輕松滿足20V+驅(qū)動需求（如IGBT、SiC）。UVLO閾值13.5V~30V，適配高驅(qū)動電壓應用。卓越魯棒性與可靠性：車規(guī)級認證：符合 AEC-Q100 標準，滿足汽車電子

2025-08-09 09:18:36

SiLM27531H面向?qū)捊麕?b class="flag-6" style="color: red">器件的高性能車規(guī)級低邊驅(qū)動器

在高效開關電源、車載充電機等應用中，驅(qū)動電路的性能直接影響著GaN、SiC等新一代功率器件的潛力發(fā)揮。為滿足高頻、高壓驅(qū)動的嚴苛要求，SiLM27531H——一款通過車規(guī)認證的單通道低邊門極驅(qū)動器

2025-12-26 08:20:58

為何使用 SiC MOSFET

要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導入。不過，市場估算，循續(xù)漸進采用SiC后，平均2輛Te.

2021-09-15 07:42:00

什么是車規(guī)級芯片

`　　誰來闡述一下什么是車規(guī)級芯片？`

2019-10-18 10:55:55

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊的開關損耗

SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規(guī)格書的規(guī)格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代

2018-11-27 16:37:30

分立器件封裝技術及產(chǎn)品的主要發(fā)展狀況

和雙極型功率晶體管的特點，現(xiàn)已開發(fā)出第5代技術的產(chǎn)品，在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流功率器件，從模塊化封裝轉(zhuǎn)向分立單管封裝，做成塑封器件，應用于空調(diào)器、洗衣機、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中

2018-08-29 10:20:50

基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊

英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW

2021-11-29 07:42:30

歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰(zhàn)

2023-02-22 16:06:08

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

2019-03-12 03:43:18

有知道國內(nèi)生產(chǎn)車規(guī)級器件的嗎？求大神

求可靠的生產(chǎn)廠家，車規(guī)級器件。求推薦

2017-05-12 10:21:28

淺析SiC-MOSFET

，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。近年來，隨著國內(nèi)多品牌的進入，SiC技術

2019-09-17 09:05:05

深度解析車規(guī)級低邊單通道門極驅(qū)動SiLM27531H

、變頻器中的隔離或非隔離驅(qū)動電路。總結在功率半導體技術快速迭代向GaN、SiC演進的時代，門極驅(qū)動器的性能已成為決定系統(tǒng)天花板的關鍵一環(huán)。SiLM27531H以其車規(guī)級的可靠性、對標先進功率器件的超高速

2025-12-12 08:39:51

深愛半導體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代

2012-12-06 14:32:55

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體

2019-03-18 23:16:12

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產(chǎn)品陣容

%。這非常有望進一步實現(xiàn)應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了

2018-12-04 10:11:50

SiC功率器件的封裝技術要點

SiC功率器件的封裝技術要點　　具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S

2009-11-19 08:48:43

2711

晶片級封裝技術應用手冊

國際整流器公司的晶片級封裝(Wafer Level Package)器件將最近的芯片設計與最新的封裝技術結合使具有最可能小的體積。首先使用WLP 技術的產(chǎn)品是HEXFET 功率MOSFET 器件的FlipFET 系列，F(xiàn)lipFET

2011-05-19 18:18:46

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

2012-08-29 14:52:06

1021

SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景

本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。

2018-05-28 15:33:54

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中科同志獲2021年中國國際車規(guī)級功率器件封裝優(yōu)質(zhì)供應商獎

2021年11月4日-5日舉辦的2021年中國國際車規(guī)級功率半導體年會上,中科同志獲得2021年度中國國際車規(guī)級功率器件封裝服務類年度優(yōu)質(zhì)供應商獎。由旺材新媒體和中國國際車規(guī)級功率半導體組委會共同

2021-11-10 09:18:31

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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。

2021-12-08 15:55:51

2174

安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET

晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

2022-05-11 11:29:33

3578

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認證

值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。

2022-11-08 14:45:16

1791

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

2964

“合作共贏·智行天下”華潤微電子重磅發(fā)布車規(guī)級系列產(chǎn)品

。會議主要圍繞華潤微電子在車規(guī)功率器件與模塊、車規(guī)工藝等方面的布局展開，其中在車規(guī)級功率器件技術及市場方面，公司針對車規(guī)級中低壓MOS、高壓超結MOS、IGBT以及SiC MOS單管與模塊等器件芯片制造、模組封裝、可靠性提升等關鍵技術進行分享；發(fā)

2022-12-14 17:22:28

1060

低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設計的

大家好，我們都知道無論是**功率半導體模塊封裝設計**還是**功率變換器的母線**設計，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因為這樣可以有效減小器件的 **開關振蕩及過壓風險** ，今天我們結合主流功率半導體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設計的？

2023-01-21 15:45:00

2218

ST推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝

? SMIT 封裝能夠簡化組裝工序，提高模塊的功率密度。工程師有五款產(chǎn)品可選：兩個 STPOWER 650V MOSFET半橋模塊、一個 600V超快二極管整流橋、一個 1200V 半橋全波整流模塊和一

2023-01-18 15:40:29

1253

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

2522

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。

2023-02-16 14:05:57

4999

如何辨別車規(guī)級電子元器件

車用電子元器件，也稱為車規(guī)級電子元器件，它以國際汽車電子協(xié)會(Automotive Electronics Council，簡稱AEC)作為車規(guī)驗證標準。其測試條件比消費型類電子元器件更加

2023-02-23 11:24:49

4596

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認證

2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。

2023-03-22 16:47:33

3850

全面詳解車規(guī)級芯片封裝技術

按功能種類劃分，車規(guī)級半導體大致可分為主控/計算類芯片（MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等）、功率半導體（IGBT和MOSFET）、傳感器（CIS、加速傳感器等）、無線通信及車載接口類芯片、車用存儲器等。

2023-04-08 11:24:22

4741

深度解析車規(guī)級芯片封裝技術

2023-04-18 11:52:03

1366

賽晶首款車規(guī)級SiC模塊進入測試階段！

近日，賽晶首款車規(guī)級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國內(nèi)外與會專家、客戶的廣泛關注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺

2023-05-31 16:49:15

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國產(chǎn)車規(guī)級功率電感廠家科普功率電感封裝不同能用嗎

國產(chǎn)車規(guī)級功率電感廠家科普功率電感封裝不同能用嗎編輯：谷景電子功率電感作為一款應用非常廣泛的一種電感產(chǎn)品，大家在使用功率電感的時候會遇到很多問題。關于功率電感使用的問題我們已經(jīng)給大家分享了很多，本篇

2022-11-08 15:19:37

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淺談車規(guī)級功率模塊測試

，中車時代電氣，練就了多年各路英豪，在當下車規(guī)級功率半導體器件領域各顯其能，在一定程度上，我們想借用英飛凌Hybridpack模塊封裝形式，切入標準化電驅(qū)應用領域

2023-01-17 09:28:02

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科普:車規(guī)級芯片封裝技術

貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應解決方案汽車芯片的基本概況車規(guī)級半導體，又俗稱

2023-03-07 17:03:24

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車規(guī)級芯片封裝技術

2023-04-04 17:45:34

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SiC功率模塊封裝技術：探索高性能電子設備的核心競爭力

隨著電子技術的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優(yōu)勢。

2023-04-23 14:33:22

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瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn)，助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品（IV1Q12160D7Z），該產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性測試認證(AEC-Q101)。

2023-06-27 11:29:48

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TMC2023-車規(guī)級功率半導體論壇劇透丨SiC在NEV中的創(chuàng)新型應用

，電驅(qū)動系統(tǒng)引入SiC模塊如何進一步降低雜散電感，功率器件與模塊可靠性如何提升等。以上話題將在SiC在NEV中的創(chuàng)新型應用版塊一一研討。 ? 第十五屆汽車動力系統(tǒng)技術年會（TMC2023）暨第二屆車規(guī)級功率半導體及應用技術論壇將于7月13-14日在青島重磅推

2023-06-27 16:06:52

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車規(guī)級功率器件可靠性測試難點及應用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:多應力綜合測試方法、新型結溫測試方法和技術 ●進展方面:國產(chǎn)在趕超進口(參數(shù)和性能)，可靠性還需要時間沉淀

2023-07-04 10:48:05

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車規(guī)級IGBT功率模塊散熱基板技術

散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結構與通道，也是模塊中價值占比較高的重要部件，車規(guī)級功率半導體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點。

2023-07-06 16:19:33

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SiC MOSFET器件技術現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。

2023-08-08 11:05:57

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賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技表示，為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

2023-09-02 09:42:41

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SiC功率器件的封裝技術

傳統(tǒng)的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅固性。

2023-10-09 15:20:58

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國產(chǎn)車規(guī)級芯片發(fā)展現(xiàn)狀、問題及建議

近年來，國產(chǎn)汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為全球最大的汽車市場之一。然而，汽車電子系統(tǒng)在車輛中的應用越來越廣泛，對高性能、可靠的車規(guī)級芯片需求也隨之增加。本文將探討國產(chǎn)車規(guī)級芯片發(fā)展的現(xiàn)狀，面臨的問題以及可能的解決方案和建議。

2023-10-21 15:43:14

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國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了

2023-10-24 15:52:32

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SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應用

，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性和如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應用。封裝 WBG半導體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近

2023-11-09 10:10:02

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芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認證，成功進入新能源汽車供應鏈！

近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V

2023-12-06 14:04:49

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AOS｜80V和100V車規(guī)級TOLL封裝MOSFET

應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其

2023-12-15 11:26:49

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瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認證

出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品，并順利通過了車規(guī)級可靠性認證（AQG324）。

2024-03-07 09:37:27

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瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。

2024-04-07 11:37:32

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基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設計

功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術的商業(yè)化，因為它們已經(jīng)被認為具有較高的寄生電感。

2024-05-08 17:43:58

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TMC2024丨車規(guī)級功率半導體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導體制造技術創(chuàng)新

聚焦車規(guī)級功率半導體與應用技術創(chuàng)新及發(fā)展趨勢 21+創(chuàng)新技術與戰(zhàn)略報告 15+車規(guī)級SiC相關企業(yè)產(chǎn)品展示 1場高層閉門會 ? SiC在新能源汽車上的應用進展遠超行業(yè)預估，降本增效，提升可靠性，突破

2024-06-18 15:26:46

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瞻芯電子SiC MOSFET技術新突破，車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)

Ω SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）成功通過了車規(guī)級可靠性（AEC-Q101）測試認證，這一里程碑式的成果標志著瞻芯電子在SiC MOSFET領域的技術實力達到了新的高度。

2024-06-24 10:05:43

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TMC2024丨車規(guī)級功率半導體論壇劇透二丨全球技術趨勢與主驅(qū)功率半導體應用創(chuàng)新

聚焦車規(guī)級功率半導體與應用技術創(chuàng)新及發(fā)展趨勢 21+創(chuàng)新技術與戰(zhàn)略報告 15+車規(guī)級SiC相關企業(yè)產(chǎn)品展示 1場高層閉門會 ? 隨著新能源汽車快速發(fā)展，應用于主驅(qū)逆變器的功率半導體競爭愈演愈烈，緊跟

2024-06-26 16:18:27

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SiC MOSFET模塊封裝技術及驅(qū)動設計

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET這些優(yōu)良特性，需要通過模塊封裝以及驅(qū)動電路系統(tǒng)，才能得到完美展現(xiàn)。

2024-10-16 13:52:05

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下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術

的影響引線框架氧化對模塊分層的影響去溢料的過程對模塊分層的影響在之前，國內(nèi)絕大多數(shù)功率器件IGBT SiC模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式；隨著國內(nèi)客戶在新能源車用電網(wǎng)電力風電方面（1200V以上領域）對模塊封裝的要求越來越高，硅膠灌封有不足之處，

2024-12-30 09:10:56

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SiC模塊封裝技術解析

較多的闡述，比如IGBT模塊可靠性設計與評估，功率器件IGBT模塊封裝工藝技術以及IGBT封裝技術探秘都比較詳細的闡述了功率模塊IGBT模塊從設計到制備的過程，那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進行學習。 SiC近年來在光伏，工業(yè)電

2025-01-02 10:20:24

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SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹

2025-01-16 14:32:04

碳化硅功率器件的封裝技術解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術，從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。

2025-02-03 14:21:00

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三菱電機高壓SiC模塊封裝技術解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術。

2025-02-12 11:26:41

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SiC器件封裝技術大揭秘：三大“絕技”讓你驚嘆不已！

半導體碳化硅（SiC）功率器件作為一種寬禁帶器件，以其耐高壓、高溫、導通電阻低、開關速度快等優(yōu)異特性，在電力電子領域展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢性能，封裝技術起著

2025-02-21 13:18:36

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會展動態(tài)｜TMC2025車規(guī)級功率半導體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

將聚焦車規(guī)級功率半導體前沿技術，匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊： >第三、四代車規(guī)級功率半導體全球發(fā)展趨勢 >主驅(qū)功率半導體應用需求 >SiC/GaN模塊封裝技術革命 >SiC器件創(chuàng)新設計與制造創(chuàng)新比亞迪、吉利、匯川、舍弗勒、采埃孚、

2025-04-17 13:50:46

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車規(guī)級封裝的優(yōu)勢有哪些

封裝技術不僅是芯片的保護殼，更是決定芯片工作穩(wěn)定性的核心要素，普通封裝芯片在汽車電子領域使用時，可能會因為一次顛簸或高溫罷工，而車規(guī)級封裝卻能在15年壽命周期內(nèi)耐受極端環(huán)境。

2025-05-07 10:27:42

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揚杰科技SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目盛大開工

2025 年5月9日上午，中共揚州市委副書記、秘書長焦慶標，邗江區(qū)委書記張新鋼，揚州市財政局局長楊蓉、副局長徐軍，揚州市邗江區(qū)副區(qū)長陳德康等領導齊聚揚杰科技，出席揚杰科技SiC車規(guī)級功率半導體模塊

2025-05-10 09:16:20

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聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

，聞泰科技半導體業(yè)務近期推出領先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。

2025-05-14 17:55:02

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森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

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商用車電驅(qū)動SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告

工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)S

2026-01-03 17:30:48

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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

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