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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>AOS推出采用 TOLL 封裝技術(shù)的80V 和 100V 車規(guī)級MOSFET

AOS推出采用 TOLL 封裝技術(shù)的80V 和 100V 車規(guī)級MOSFET

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2016-02-24 15:18:55

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2016-04-19 15:49:13

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2016-04-25 15:03:11

DCDC80V降壓芯片,80V轉(zhuǎn)12V 5V 3.3V/2A降壓轉(zhuǎn)換器

包括每周期的峰值限流、內(nèi)部軟啟動和溫度保護。SL0450HV需要非常少的常規(guī)外圍器件,采用8腳的SOP8封裝。特性:寬輸入電壓:4.5V80V輸出電壓可從0.8V到30V集成110mΩ的功率開關(guān)最高
2022-08-24 11:45:32

GPS定位器IC替代SY8502耐壓100V芯片

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2019-01-21 16:03:06

LDO支持80V輸入轉(zhuǎn)輸出1.8V-2.5V-3V-3.3V

電阻擴流輸出電壓5V/60MA+=特性:輸出無上電過沖特性低功耗低壓降較低的溫度系數(shù)支持80V輸入,最高耐壓100V靜態(tài)電流 2μA大電流輸出: 200mA輸出電壓精度: ±2%封裝類型: TO92
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2022-01-14 10:50:35

SL3041 100V降壓恒壓芯片 GPS定位器驅(qū)動芯片

產(chǎn)品概述SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器??晒ぷ髟趯捿斎腚妷悍秶哂袃?yōu)良的負載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(10V100V)可提供最大3A電流的高效率
2021-09-29 10:25:53

SL3041 100V降壓恒壓芯片 GPS定位器驅(qū)動芯片 80V降壓5V/12V 2.5A電流

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2022-01-05 09:54:11

SL6203H 80V降壓5V降壓3.3V LDO三端穩(wěn)壓器專用于單片機供電

計,但這 IC 可與外部元件結(jié)合來獲得可變的電壓和電流。特性:低功耗低壓降較低的溫度系數(shù)支持80V輸入,最高耐壓100V靜態(tài)電流 2μA大電流輸出:200mA輸出電壓精度:±2%輸出無上電過沖采用
2021-10-25 10:40:36

一手資源100V轉(zhuǎn)5V電源芯片輸出2A

GPS供電芯片,60VGPS供電IC,80V電動GPS控制器降壓芯片,電動摩托車GPS定位降壓IC,電動摩托車GPS防盜供電芯片 ,電動汽車GPS定位供電IC,100V防盜GPS定位IC,48V摩托車
2019-02-22 10:24:40

低輻射120V降壓IC 100V轉(zhuǎn)5V恒壓IC低調(diào)登場

2A3A恒壓驅(qū)動IC,可提供型號樣品、方案、還可以提供DEMO版,而且所有我司出售的產(chǎn)品都有技術(shù)支持, 森利威爾還提供以下產(chǎn)品,低輻射120V降壓IC 100V轉(zhuǎn)5V恒壓IC低調(diào)登場 GPS定位IC降壓IC
2019-02-21 10:00:38

供應(yīng)AP8850DC/DC降壓恒壓電源芯片80V降壓5V 9V 12V

25-30 毫歐。葉先生 ***◆內(nèi)置溫度保護◆內(nèi)部軟啟動◆內(nèi)置100V/6A 功率MOS 管◆寬輸入電壓:4.5V80V◆固定200KHZ 頻率◆輸出電壓可從0.8V 到30V◆每周期電流保護◆高效率90%◆SOP8 封裝產(chǎn)品應(yīng)用◆電動GPS 定位追蹤器◆汽車點煙器適配器◆獨輪◆汽車車充
2022-01-06 09:48:56

國產(chǎn)芯片SL3041 100V 3A 電動中控專用電源芯片

保護、輸出短路保護和過溫保護。SL3041 外圍電路簡單,封裝采用ESOP8產(chǎn)品特點● 3A輸出峰值電流● 10V100V寬工作電壓范圍● 內(nèi)置100V功率MOSFET● 130KHZ固定開關(guān)頻率
2021-07-30 10:38:25

德州儀器14款采用TO-220及SON封裝的功率MOSFET

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2018-11-29 17:13:53

惠海半導體 12V-85V90V100V轉(zhuǎn)5V2A 高效率USB手機充電器IC芯片 H6201

100V降壓恒壓IC芯片】48V72V80V85V90V120V轉(zhuǎn)5V3A 12V3A,100V降壓IC芯片【120V降壓恒壓IC芯片】48V72V80V85V90V120V轉(zhuǎn)5V3A 12V
2020-08-20 16:58:42

直流100V降壓恒壓IC 7V48V72V90V120V轉(zhuǎn)5V3A 12V3A

降壓供電IC7-120V轉(zhuǎn)5V3A電動USB手機充電器IC方案80V電動儀表供電IC,100V電動藍牙音響供電IC,100V電動車手機充電器IC,100V電動防盜器降壓供電IC,100V電動
2020-10-26 14:44:36

耐壓100V電瓶儀表IC 100V降壓恒壓IC

SL3026、恒壓IC, SL3028電瓶車手機充電IC,摩托車給手機充電ICSL3028功率10W頻率150KHz 封裝TO-263-5L 80V轉(zhuǎn)5V工業(yè)36V48V 50V 55V 60V系列
2019-03-09 10:40:55

耐壓80V,5V1A,-ZCC2480

產(chǎn)品概述: ZCC2480是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達到快速 環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V80V)提供最大1.5A電流
2020-11-09 14:53:40

語音控制100V降壓IC轉(zhuǎn)5V無死角芯片

GPS定位IC,電瓶SL3026、恒壓IC, SL3028電瓶車手機充電IC,摩托車給手機充電IC,語音控制100V降壓IC轉(zhuǎn)5V無死角芯片SL3028功POE分離器降壓IC 48V轉(zhuǎn)12V
2019-02-21 10:02:53

Power SO-8LFPAK封裝60V100V晶體管

Power SO-8LFPAK封裝60V100V晶體管  恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出全新60 V100 V晶體管,擴充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392762

基于LT3956設(shè)計的80V恒流恒壓HBLED驅(qū)動技術(shù)

Linear 公司的LT3956 是80V輸入80V輸出恒流恒壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,非常適合用來驅(qū)動大電流高亮度LED(HBLED).3000:1真彩色PWM調(diào)光,輸入電壓從4.5V80V,輸出電壓高達80V,內(nèi)部集成了3.3V/80V開關(guān),可調(diào)頻率
2010-06-05 09:36:411837

輸出40V80V的串聯(lián)穩(wěn)壓電路

本內(nèi)容提供了輸出40V80V的串聯(lián)穩(wěn)壓電路,附圖是一款輸出電壓為+40V~+80V的直流串聯(lián)穩(wěn)壓電路。由于輸出電壓最高可調(diào)整至+80V,而集成運算放大器的電源電壓都不高,無法采用集成運
2011-11-10 10:00:596496

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出100V全H橋DMHC10H170SFJ,把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。
2016-02-16 10:56:361840

80V轉(zhuǎn)15V80V轉(zhuǎn)12V,80V轉(zhuǎn)5V的高壓降壓芯片規(guī)格書

80V轉(zhuǎn)15V,80V轉(zhuǎn)12V80V轉(zhuǎn)5V的高壓降壓芯片規(guī)格書
2020-11-25 16:23:1321

雙向電流檢測放大器工作在 -5V80V,并且在 100kHz 時具 80dB CMRR

雙向電流檢測放大器工作在 -5V80V,并且在 100kHz 時具 80dB CMRR
2021-03-21 17:06:3812

NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:003105

NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)

NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:572243

NextPower 80V,2.3mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET,采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF

NextPower 80 V、2.3 mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET,采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF
2023-02-08 19:24:130

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80V,2.8mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,15.3mOhmN溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:470

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,11.7mOhmN溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:001

內(nèi)置耐壓高達80VMOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹

ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80VMOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平,在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:061338

80V耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的定位與市場

ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80VMOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平,在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機型。
2023-02-13 09:30:061756

采用 LFPAK56 的 NextPower 80V,4.5mOhmN溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF

采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80V,3.5mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF

采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF
2023-02-15 19:43:380

內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC BD9G341AEFJ介紹

ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”,是內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級水平,在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中,也是耐壓最高的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-17 12:06:401958

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

N 溝道 80V,4.3 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220-PSMN4R3-80PS

N 溝道 80 V、4.3 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220-PSMN4R3-80PS
2023-02-22 18:46:220

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520

N 溝道 80V,17 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220-PSMN017-80PS

N 溝道 80 V、17 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220-PSMN017-80PS
2023-02-22 19:04:010

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570

英諾賽科100V GaN再添新品,采用FCQFN封裝

英諾賽科(Innoscience)一直致力于推動GaN技術(shù)的發(fā)展,從而推動新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月,英諾賽科推出了一款100V的GaN新品,采用FCQFN封裝,再次彰顯了其在GaN領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。
2023-08-14 15:07:062681

TOLL封裝MOSFET系列

產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:342882

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101規(guī)認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101規(guī)認證后,近日,國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應(yīng)管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:321851

規(guī)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝技術(shù)需求 2、規(guī)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610

Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹

Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富,提供優(yōu)異的散熱,極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002172

AOS80V100V規(guī)TOLL封裝MOSFET

應(yīng)用的80V100V MOSFET,這兩款規(guī)器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件,尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:491339

英諾賽科發(fā)布100V規(guī)GaN推進汽車激光雷達市場

英諾賽科宣布推出100V規(guī)氮化鎵器件INN100W135A-Q,該器件已通過AEC-Q101 認證,適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的規(guī)激光雷達、高功率密度DC-DC變換器、D類音頻。
2023-12-29 16:00:341856

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET

近日,全球知名的半導體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021363

瞻芯電子推出一款規(guī)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一款規(guī)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101規(guī)可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440

東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品

東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝,使得導通電阻達到極低水平,極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114

強茂推出最新的60V、100V和150V規(guī)MOSFET

強茂推出最新的60V、100V和150V規(guī)MOSFET,此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492165

圣邦微電子推出規(guī) -4V80V、高 PWM 抑制的雙向超精密電流放大器 SGM840xQ

圣邦微電子推出 SGM840xQ,一款規(guī) -4V80V、高 PWM 抑制的雙向超精密電流放大器。 該器件可應(yīng)用于汽車、電機控制、電磁閥和閥門控制、電源管理、執(zhí)行器控制壓力調(diào)節(jié)器和電信設(shè)備
2024-11-28 09:19:101328

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計,以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38958

PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-80CSE N溝道、80V、0.95 mOhm、MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:37:380

PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:17:400

新品 | 100V耐壓360A電流 MOSFET 高效能 小體積TOLL封裝——開啟電源管理新紀元

「KM10360N-TOL」。以1.2mΩ超低內(nèi)阻、100V耐壓和極致散熱性能,還采用了先進的TOLL封裝技術(shù),重新定義小型化電源方案的新邊界!01產(chǎn)品參數(shù):精準匹配高性能需求這些
2025-02-27 12:02:084597

英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景

英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03235

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