Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān),能夠通過(guò)以太網(wǎng)線纜向無(wú)線接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。
2015-10-19 13:36:16
1345 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過(guò)36%的空間。
2020-04-23 11:05:58
1200 SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間,是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。
2020-07-09 16:26:13
1726 2*5mm Rectangular Flangless LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明 產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm
2008-09-28 17:42:08
2*5mm Rectangular Type LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:44:49
2*5mm Rectangular With Flange LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明 產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaAsP/GapEmitted Color:Yellow
2008-09-28 17:41:25
2.4*4.5mm Rectangular LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明 產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Yellowλσ(nm):590Lens
2008-09-28 17:47:24
的技術(shù)信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見(jiàn)圖1),是專為諸如信息娛樂(lè)系統(tǒng)等空間受限的應(yīng)用情況設(shè)計(jì)的。圖1:CSD18541F5l與網(wǎng)格陣列封裝相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝(參見(jiàn)圖2…
2022-11-16 07:06:25
5*5mm Square Type LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明 產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Orangeλσ(nm):700Lens
2008-09-28 17:43:30
`5MM草帽紅光LED燈珠相關(guān)參數(shù):產(chǎn)品品牌:鑫光碩LED產(chǎn)品包裝:3000個(gè)/袋產(chǎn)品型號(hào):5MM草帽紅光色區(qū)(X/Y)/波長(zhǎng) :615-630nm產(chǎn)品尺寸:5MM(±0.2)半功率角度:120度電
2019-03-07 11:59:06
);5MM草帽紅光LED燈珠相關(guān)參數(shù):產(chǎn)品品牌:鑫光碩LED產(chǎn)品包裝:3000個(gè)/袋產(chǎn)品型號(hào):5MM草帽紅光色區(qū)(X/Y)/波長(zhǎng) :615-630nm產(chǎn)品尺寸:5MM(±0.2)半功率角度:120度電
2019-03-07 11:55:22
5mm Backlighting Wide Angle LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明 產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaAsp/GapEmitted Color:Orange
2008-09-28 17:39:06
5mm Bi-Color(Multi-Color)with Common產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Greenλσ(nm):571Lens Color
2008-09-28 17:58:22
5mm Low Profile Shape LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:07:40
5mm Round Flangeless LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明 產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaN/SicEmitted Color:Blueλσ(nm
2008-09-28 17:50:25
5mm Round High Efficiency LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:46:48
5mm Round LED封裝尺寸產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaAsP/GaPEmitted Color:Redλσ(nm):700Lens Color:Color DiffVF(V
2008-09-28 17:00:02
5mm Round LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Super Greenλσ(nm):571Lens Color:Water
2008-09-28 17:51:08
5mm Round Standard LED封裝尺寸及參數(shù)說(shuō)明產(chǎn)品說(shuō)明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Redλσ(nm):650Lens Color:Color
2008-09-28 17:37:47
北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 LT1912,該器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
BLDC電機(jī),則需要使用三個(gè)半橋(六個(gè)MOSFET)組成一個(gè)三相逆變器。憑借TI采用堆疊管芯架構(gòu)的CSD88584Q5DC和 CSD88599Q5DC功率塊(小型無(wú)引線(SON),5mm×6mm封裝
2019-03-05 06:45:07
概述:LTC3811采用5mm x 7mmQFN和G36封裝,全部采用N溝道MOSFET、用4.5V至30V的輸入電壓工作,為0.6V至3.3V的低輸出電壓而優(yōu)化。
2021-04-12 07:08:14
(POL)、高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件,能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">封裝尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm,節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
深圳Fast-print Circuit Technology公司推出系列8層PCB,其線寬和間距分別為0.15mm和0.2mm。板厚度為5mm,過(guò)孔直徑為0.3mm。該系列多層PCB板尺寸為364.5×259mm,采用FR-4碾壓基材制造,表面覆鎳金鍍層。
2018-08-27 16:14:02
輸出電容器時(shí),在 12A 時(shí)達(dá)到約 97% 的峰值效率。TPS40170 是輸入電壓為 4.5V 至 60V 的全功能同步降壓控制器,采用 3.5mm x 4.5mm 20 引腳 QFN 封裝。
2018-07-13 03:33:47
STTS751溫度傳感器是否可以測(cè)量200mm到5mm變化距離的液體溫度呢?
2022-12-07 10:41:55
幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中,可靠地驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性:
高壓與小封裝集成:支持最高200V的母線電壓,采用超緊湊的DFN3x3-8封裝,顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
哪位兄弟知道QFN 5mm*4mm 16-lead封裝的尺寸告訴我一下,謝謝啦。
2010-03-22 14:10:45
`<p>Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
proteus 上怎么找到φ5mm的紅外線發(fā)射管??求賜教
2017-11-15 21:47:06
為什么貼片電阻的封裝是3.81mm*1.27mm?應(yīng)該是0805=2.0x1.2mm才對(duì)啊
2013-08-19 20:14:30
的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET,業(yè)內(nèi)的一個(gè)趨勢(shì)是從SO-8等標(biāo)準(zhǔn)引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉(zhuǎn)變。對(duì)于大電流應(yīng)用,常用的是功率6mmx 5mm封裝,例如PowerPAK? SO-8。但對(duì)
2013-12-23 11:55:35
描述16針5mm MSOP轉(zhuǎn)DIP適配器我需要一個(gè) MSOP 5mm 16 針到 PDIP 適配器,用于面包板和測(cè)試 LTC2645,很難找到,所以我為此制作了自己的 BoB。我建議也買一個(gè)小模板。耐心和小心,仔細(xì)檢查你的工作,但對(duì)我來(lái)說(shuō)它有效!
2022-07-14 06:34:59
藍(lán)牙背光超薄鍵盤Light 1,其外觀大小為281mm X 143mm X7mm,重量為210克,最薄處僅4.5mm。這款鍵盤的按鍵采用先進(jìn)的剪刀腳X架構(gòu)設(shè)計(jì),精準(zhǔn)的剪刀式按鍵機(jī)械結(jié)構(gòu)可以使受力
2013-01-21 13:53:23
MOSFET減小了75%。圖2:傳統(tǒng)SOT-23封裝,旁邊是CSD18541F5LGA封裝和這位工程師做了一些快速計(jì)算,我們的結(jié)論是如果每個(gè)電路板用10個(gè)元件,他就能節(jié)省大約55mm2占位面積——每個(gè)元件的節(jié)省
2018-08-29 16:09:11
有人知道4.5*4.5MM封裝的芯片嗎,麻煩告訴下型號(hào),謝謝
2021-05-25 11:15:54
和贊許,成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢(shì)壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V,反向電壓(VR)也均為
2019-07-23 04:20:37
LTC3612 :采用3mm x 4mm QFN封裝的3A、4MHz同步降壓型穩(wěn)壓器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步降壓型穩(wěn)壓器 LTC3612,該器件采用
2009-09-20 07:50:59
1308 
安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)完備測(cè)試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:09
2023 Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:39
2762 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4毫米,占板面積只有四平方毫米,是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:40
2363 Diodes公司近日推出一系列採(cǎi)用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採(cǎi)用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4mm,面積只有4mm2,是一款額定電壓為 -25V的P通道元件,較同類
2012-05-04 11:34:53
1159 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為L(zhǎng)ED照明及通用功率管理應(yīng)用,推出支持升、降壓和電壓反向電路拓?fù)涞奈⑿椭绷?直流轉(zhuǎn)換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝,只需少量外部元件,就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:15
2176 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號(hào)雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:27
1575 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件,在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間,并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44
1122 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過(guò)減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無(wú)線充電電路。
2015-03-03 10:43:40
2499 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計(jì)小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝,分別
2015-12-16 16:57:43
1580 轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對(duì)稱封裝里,低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:17
1295 關(guān)鍵詞:邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02
539 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01
1015 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是C1301系列4.5mm線對(duì)線卡扣連接器的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
2019-06-19 08:00:00
0 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是4.5mm高貼片電解電容封裝規(guī)格說(shuō)明。
2021-01-07 08:00:00
1 DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測(cè)電阻器集成在一個(gè) 5mm x 3mm DFN 封裝中,以在緊湊狹小的空間提供 準(zhǔn)確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)視
2021-03-18 21:25:58
5 采用纖巧 2mm x 2mm DFN 封裝的 40V、500mA (Iout)、2.2MHz 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
2021-03-18 22:33:57
11 LTC3605 - 采用 4mm x 4mm QFN 封裝的 15V、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器提供 5A 電流
2021-03-19 02:16:56
2 4 路同步降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器采用 3mm x 3mm QFN 封裝,提供獨(dú)立的 300mA、2 x 200mA 和 100mA 輸出
2021-03-19 05:52:58
6 4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產(chǎn)生 7 個(gè)穩(wěn)定輸出
2021-03-19 06:09:49
7 具擴(kuò)展頻譜調(diào)制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩(wěn)壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-19 08:14:05
8 采用 3mm x 3mm QFN 封裝的 15V、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器提供 1.5A 電流
2021-03-19 09:10:58
7 LTC3309A:5V、6A 同步降壓型 Silent Switcher穩(wěn)壓器,采用 2mm × 2mm LQFN 封裝
2021-03-20 10:44:33
15 采用 3mm x 3mm QFN 封裝的 15V、2.25MHz 同步雙輸出 600mA 降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-20 19:00:33
6 LTC3611 - 采用 9mm x 9mm QFN 封裝的 32V 輸入同步降壓型穩(wěn)壓器提供 10A 電流
2021-03-20 23:24:18
4 LTC3609 - 采用 7mm x 8mm QFN 封裝的 32V 同步降壓型穩(wěn)壓器可提供 6A 電流
2021-03-21 00:43:02
7 采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-21 05:15:15
8 采用 3mm x 3mm QFN 封裝的15V、4MHz、同步 2.5A 降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-21 05:25:51
5 15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩(wěn)壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-21 06:00:37
7 LTC3610 - 采用 9mm x 9mm QFN 封裝的 24V 輸入同步降壓型穩(wěn)壓器提供 12A 電流
2021-03-21 10:42:48
4 采用 2mm x 2mm DFN 封裝的低噪聲偏置發(fā)生器
2021-03-21 15:07:45
11 5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達(dá) 140oC 工作
2021-03-21 17:14:02
8 LTC3311:5V、12.5A同步降壓靜音開(kāi)關(guān),采用3 mm x 3 mm LQFN數(shù)據(jù)表
2021-03-22 15:56:11
9 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:16
2199 
RAINSUN內(nèi)置RF射頻5MM藍(lán)牙陶瓷天線AN2051-245
2022-07-01 09:39:52
3683 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:25
0 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、5.6 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
2023-02-08 18:42:39
0 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:47
0 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:00
1 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:19
0 N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:36
0 N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,具有改進(jìn)的 SOA,采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE
2023-02-22 18:54:23
0 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:14
0 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:52
0 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:04
0 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:23
0 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:57
0 LTC3313 降壓型 Silent Switcher? Analog Devices 的 5 V、15 A 同步降壓 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封裝
2023-07-03 14:32:21
10035 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12
1705 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能,使其在長(zhǎng)期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:15
3071 帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G(3x310引腳DFN封裝)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)12個(gè)額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:07
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5mm LED 非常有用,因?yàn)樗鼈兛梢暂p松地由小型電池供電并持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間。這使得將它們集成到許多電子產(chǎn)品中或?qū)舴胖迷谒鼈兺ǔo(wú)法到達(dá)的地方變得很容易。 5mm LED 的名稱是根據(jù)其尺寸而得名
2024-05-22 16:06:44
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新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊系列新增5.2mΩ新規(guī)格。其采用了M1H芯片技術(shù),模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料
2024-07-05 08:14:38
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、選擇3mm視覺(jué)插件燈珠和5mm視覺(jué)插件燈珠時(shí),需要考慮多個(gè)因素,亮度,光色,應(yīng)用場(chǎng)景都是優(yōu)先要考慮的。如果你不清楚3mm還是5mm適合你,可以分別測(cè)試下樣品。沒(méi)有對(duì)比就沒(méi)有發(fā)言權(quán)嘛
2024-11-23 17:18:14
1312 LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) GaN FET 組成,由一個(gè)采用半橋配置的高頻
2025-02-21 17:17:56
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這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS(開(kāi)啟
2025-04-16 10:45:52
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TPSM53604 電源模塊是一種高度集成的 4A 電源解決方案,它將 36V 輸入降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器與功率 MOSFET、屏蔽電感器和無(wú)源器件組合在一個(gè)熱增強(qiáng)型 QFN 封裝中。5mm x
2025-04-21 09:22:48
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隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí),高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸,為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能
2025-04-30 18:33:29
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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:14
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ROHM(羅姆半導(dǎo)體)宣布,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝,非常適用于采用48V電源AI
2025-11-17 13:56:19
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特點(diǎn)、性能參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 文件下載: Bourns PEC05 5mm增量微型編碼器.pdf 一、產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 緊湊設(shè)計(jì) PEC05系列編碼器采用了緊湊的設(shè)計(jì),這對(duì)于空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。在如今追求小型化和集成化的電子設(shè)備中,緊湊的編碼器能夠節(jié)省寶貴的
2025-12-22 14:40:02
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評(píng)論