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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

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4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產(chǎn)生 7 個(gè)穩(wěn)定輸出
2021-03-19 06:09:497

具擴(kuò)展頻譜調(diào)制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩(wěn)壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝

具擴(kuò)展頻譜調(diào)制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩(wěn)壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-19 08:14:058

采用 3mm x 3mm QFN 封裝的 15V、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器提供 1.5A 電流

采用 3mm x 3mm QFN 封裝的 15V、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器提供 1.5A 電流
2021-03-19 09:10:587

LTC3309A:5V、6A 同步降壓型 Silent Switcher穩(wěn)壓器,采用 2mm × 2mm LQFN 封裝

LTC3309A:5V、6A 同步降壓型 Silent Switcher穩(wěn)壓器,采用 2mm × 2mm LQFN 封裝
2021-03-20 10:44:3315

采用 3mm x 3mm QFN 封裝的 15V、2.25MHz 同步雙輸出 600mA 降壓型穩(wěn)壓器

采用 3mm x 3mm QFN 封裝的 15V、2.25MHz 同步雙輸出 600mA 降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-20 19:00:336

LTC3611 - 采用 9mm x 9mm QFN 封裝的 32V 輸入同步降壓型穩(wěn)壓器提供 10A 電流

LTC3611 - 采用 9mm x 9mm QFN 封裝的 32V 輸入同步降壓型穩(wěn)壓器提供 10A 電流
2021-03-20 23:24:184

LTC3609 - 采用 7mm x 8mm QFN 封裝的 32V 同步降壓型穩(wěn)壓器可提供 6A 電流

LTC3609 - 采用 7mm x 8mm QFN 封裝的 32V 同步降壓型穩(wěn)壓器可提供 6A 電流
2021-03-21 00:43:027

采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器

采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-21 05:15:158

采用 3mm x 3mm QFN 封裝的15V、4MHz、同步 2.5A 降壓型穩(wěn)壓器

采用 3mm x 3mm QFN 封裝的15V、4MHz、同步 2.5A 降壓型穩(wěn)壓器
2021-03-21 05:25:515

15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩(wěn)壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝

15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩(wěn)壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-21 06:00:377

LTC3610 - 采用 9mm x 9mm QFN 封裝的 24V 輸入同步降壓型穩(wěn)壓器提供 12A 電流

LTC3610 - 采用 9mm x 9mm QFN 封裝的 24V 輸入同步降壓型穩(wěn)壓器提供 12A 電流
2021-03-21 10:42:484

采用 2mm x 2mm DFN 封裝的低噪聲偏置發(fā)生器

采用 2mm x 2mm DFN 封裝的低噪聲偏置發(fā)生器
2021-03-21 15:07:4511

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達(dá) 140oC 工作

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達(dá) 140oC 工作
2021-03-21 17:14:028

LTC3311:5V、12.5A同步降壓靜音開(kāi)關(guān),采用3 mm x 3 mm LQFN數(shù)據(jù)表

LTC3311:5V、12.5A同步降壓靜音開(kāi)關(guān),采用3 mm x 3 mm LQFN數(shù)據(jù)表
2021-03-22 15:56:119

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹(shù)立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199

RAINSUN內(nèi)置RF射頻5MM藍(lán)牙陶瓷天線

RAINSUN內(nèi)置RF射頻5MM藍(lán)牙陶瓷天線AN2051-245
2022-07-01 09:39:523683

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,5.6mOhmN溝道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、5.6 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
2023-02-08 18:42:390

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,15.3mOhmN溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:470

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,11.7mOhmN溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:001

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

N 溝道 100V,5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO-220-PSMN5R0-100PS

N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:360

N 溝道 100V,5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,具有改進(jìn)的 SOA,采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE

N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,具有改進(jìn)的 SOA,采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE
2023-02-22 18:54:230

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,8.8 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570

5 V、15 A 同步降壓 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封裝

LTC3313 降壓型 Silent Switcher? Analog Devices 的 5 V、15 A 同步降壓 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封裝
2023-07-03 14:32:2110035

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能,使其在長(zhǎng)期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

160VSOI半驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V MOSFET評(píng)估套件

帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G(3x310引腳DFN封裝)半柵極驅(qū)動(dòng)器,可驅(qū)動(dòng)12個(gè)額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071575

5mm LED燈珠 基礎(chǔ)知識(shí)

5mm LED 非常有用,因?yàn)樗鼈兛梢暂p松地由小型電池供電并持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間。這使得將它們集成到許多電子產(chǎn)品中或?qū)舴胖迷谒鼈兺ǔo(wú)法到達(dá)的地方變得很容易。 5mm LED 的名稱是根據(jù)其尺寸而得名
2024-05-22 16:06:442155

新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展

新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半模塊系列新增5.2mΩ新規(guī)格。其采用了M1H芯片技術(shù),模塊還提供預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料
2024-07-05 08:14:38968

視覺(jué)插件是選擇3mm還是5mm直插燈珠

、選擇3mm視覺(jué)插件燈珠和5mm視覺(jué)插件燈珠時(shí),需要考慮多個(gè)因素,亮度,光色,應(yīng)用場(chǎng)景都是優(yōu)先要考慮的。如果你不清楚3mm還是5mm適合你,可以分別測(cè)試下樣品。沒(méi)有對(duì)比就沒(méi)有發(fā)言權(quán)嘛
2024-11-23 17:18:141312

技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) GaN FET 組成,由一個(gè)采用配置的高頻
2025-02-21 17:17:561047

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊(cè)

這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS(開(kāi)啟
2025-04-16 10:45:52677

TPSM53604 36V、4A 降壓電源模塊,采用小型 5.5 x 5 x 4mm 增強(qiáng)型 HotRod? QFN 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPSM53604 電源模塊是一種高度集成的 4A 電源解決方案,它將 36V 輸入降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器與功率 MOSFET、屏蔽電感器和無(wú)源器件組合在一個(gè)熱增強(qiáng)型 QFN 封裝中。5mm x
2025-04-21 09:22:48754

【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻,助力通信基站高效節(jié)能

隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí),高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸,為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能
2025-04-30 18:33:29877

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

ROHM(羅姆半導(dǎo)體)宣布,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm封裝,非常適用于采用48V電源AI
2025-11-17 13:56:19200

探索PEC05系列5mm增量式微型編碼器:設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析

特點(diǎn)、性能參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 文件下載: Bourns PEC05 5mm增量微型編碼器.pdf 一、產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 緊湊設(shè)計(jì) PEC05系列編碼器采用了緊湊的設(shè)計(jì),這對(duì)于空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。在如今追求小型化和集成化的電子設(shè)備中,緊湊的編碼器能夠節(jié)省寶貴的
2025-12-22 14:40:02188

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