Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56
1298 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:301180 基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS（包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:082025 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371997 隨著技術(shù)進(jìn)步及競(jìng)爭(zhēng)加劇，市場(chǎng)對(duì)功率及音質(zhì)的要求也越來越高，深圳市永阜康科技有限公司推出基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W雙聲道D類音頻功放升壓組合解決方案，為音頻愛好者提供極致的音質(zhì)體驗(yàn)。
2022-02-18 15:28:274912 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432169 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中
2023-12-12 18:04:371464 
基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W雙聲道D類音頻功放升壓組合解決方案，為音頻愛好者提供極致的音質(zhì)體驗(yàn)。輸出功率曲線圖方案簡(jiǎn)介此方案大致分為兩個(gè)主要級(jí)：1、采用FP5207非同步升壓控制器。此
2022-02-18 17:37:12
、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出短路保護(hù)9、SOT23-6L無鉛封裝
2019-07-09 09:05:20
。 產(chǎn)品特征：1、1.2A持續(xù)輸出電流2、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出
2018-08-06 18:13:53
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
7.5V至30V，并提供可調(diào)輸出電壓范圍為3V至25V。PC2330具有短路和增加系統(tǒng)的熱保護(hù)電路可靠性。內(nèi)部軟啟動(dòng)避免了輸入啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。PC2330要求最低外部組件的數(shù)量。和一個(gè)寬一系列保護(hù)功能，以
2025-04-15 14:55:47
30V 10A MOS管TO-252封裝HC005N03L，MOS原廠庫(kù)存現(xiàn)貨HC005N03L參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-12-01 15:57:36
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
。
SL1587采用 SOP8 的標(biāo)準(zhǔn)封裝。
特性
寬輸入電壓范圍：4V-30V
開關(guān)頻率：130kHz
寬輸出電壓范圍：1.8V-28V
輸入欠壓/過壓、輸出短路和過熱保護(hù)
效率可高達(dá)92%以上
輸出電流
2025-05-23 15:44:18
SOT23-6封裝形式。PW2902是一顆DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器芯片，輸入電壓范圍8V-90V，可負(fù)載2A，可調(diào)輸出電壓，頻率140kHZ。適用于輸出12V2A或者5V2A，可調(diào)輸出電壓5V-30V之間
2020-10-16 10:58:20
表說明了每種封裝技術(shù)對(duì)于主要參數(shù)影響因素如能效、功率密度和可靠性的不同效應(yīng)。這些組件包含一個(gè)采用IR硅技術(shù)的幾乎相同的30V MOSFET芯片。表1 幾種封裝的對(duì)比 基于所有上述特性，PQFN5×6
2018-09-12 15:14:20
（5）和（6）可知，影響MOSFET電流速率的源極引腳電感被消除了。根據(jù)等式（2）和（5），較之TO247封裝MOSFET,這縮短了器件的開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。最新推出的TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡(jiǎn)化熱管理。 因此，可以提高開關(guān)電源的功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)成本。 繼去年發(fā)布展示有巨大優(yōu)勢(shì)的全新30V硅技術(shù)產(chǎn)品之后
2018-12-06 09:46:29
。 產(chǎn)品特征：1、1.2A持續(xù)輸出電流2、4.5V-30V寬輸入范圍3、0.8V-15V寬輸出范圍4、集成0.3Ω功率MOSFET開關(guān)5、高達(dá)92%的效率6、可編程軟啟動(dòng)7、1.2MHz固定頻率8、輸出
2018-08-28 16:06:08
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
MCP16301。MCP16301具備4V至30V的寬輸入電壓范圍，輸出電壓范圍為2V至15V，效率可高達(dá)95%。600mAMCP16301 采用6引腳SOT-23封裝，集成上橋臂開關(guān)，所需的外部元件
2011-07-12 22:04:35
的MOSFET設(shè)計(jì)，就無法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
步降壓IC，sot23-6封裝，輸入＜30V輸出 5V 電流小于2A的有型號(hào)能配對(duì)上嗎，請(qǐng)大神指教
2019-12-30 12:27:38
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371627 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271386 英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011539 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471055 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071571 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:091458 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351748 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸
2010-12-17 08:55:211395 用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。
2011-03-09 09:13:026854 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:044803 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:402363 4月11日下午， OFweek光電新聞網(wǎng) （以下簡(jiǎn)稱OFweek）和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評(píng)選活動(dòng)，英飛凌科技公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY，以下簡(jiǎn)稱英飛凌）產(chǎn)品40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲了技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2013-04-12 09:37:161221 2015年3月24日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 Infineon（英飛凌）V2X技術(shù)開發(fā)平臺(tái)
2017-03-10 14:23:0156 Infineon（英飛凌）V2X技術(shù)資料
2017-03-10 14:23:3179 電容25V指的是該電容最高耐壓25V，使用該電容時(shí)，加在電容兩端的電壓不允許超過25V。
2019-12-08 10:37:5022372 30V 轉(zhuǎn) 15V ，30V 轉(zhuǎn) 12V，30V 轉(zhuǎn) 9V，30V 轉(zhuǎn) 8V ， 30V 轉(zhuǎn) 6V ，30V 轉(zhuǎn) 5V，30V 轉(zhuǎn) 3.3V，30V 轉(zhuǎn) 3V，30V 轉(zhuǎn) 1.8V 30V 轉(zhuǎn)
2020-10-12 08:00:0013 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:023163 較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：282A，導(dǎo)通電阻RDs
2022-08-27 11:02:271721 Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì) Vishay? 推出
2023-02-04 06:10:041602 
PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對(duì)稱雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:151480 
未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:590 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV25ENEA
2023-02-17 19:16:270 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD
2023-02-21 18:34:140 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN25ENE
2023-02-21 19:34:420 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 30 V、2.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-30YLC
2023-02-22 18:46:020 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30MLD
2023-02-22 18:57:060 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-25YLC
2023-02-22 18:58:220 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 30 V、3.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R2-30YLC
2023-02-22 19:01:160 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R9-25YLC
2023-02-22 19:01:280 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 30 V、2.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R6-30YLC
2023-02-22 19:01:460 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R2-25YLC
2023-02-22 19:01:590 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 30 V、1.25 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-30YLC
2023-02-22 19:02:550 采用 NextPower 技術(shù)的 LFPAK 中的 N 溝道 25 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLC
2023-02-22 19:03:140 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD
2023-02-23 18:43:080 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、4.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R2-30MLD
2023-02-23 18:45:501 較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。30v大電流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=30V，漏極電流Tc=25℃：282A，導(dǎo)通電阻RDs(on)
2022-08-30 13:54:164986 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
近日，英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X 充電樁。
2024-01-19 10:23:042042 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:43:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:46:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:11:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SOT583封裝的3.8V至30V、2A/3A同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS6293x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 11:16:210 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合，進(jìn)一步豐富了該系列的產(chǎn)品線，旨在響應(yīng)大眾
2024-09-30 16:15:581766 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:33:410 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38700 
方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD17581Q3A ? 類型 ?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低柵極電荷（Q_g）、低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、
2025-04-16 11:25:34775 
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297 威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-10 11:48:31227 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一
2025-12-15 09:51:07218 
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06518
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