新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開(kāi)關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì),同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13
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在醫(yī)療設(shè)備、機(jī)器人關(guān)節(jié)或自動(dòng)化裝置中,驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和可靠性同樣關(guān)鍵。SiLM2026EN-DG半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,在僅3mm x 3mm的極小封裝內(nèi),提供了200V的耐壓和高效的驅(qū)動(dòng)能力。它旨在
2025-12-27 09:27:00
,近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù),為我們帶來(lái)了諸多驚喜。今天,我們就來(lái)深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載: Infineon
2025-12-20 10:35:06
517 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板:技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
225 探索 OptiMOS? 5 汽車(chē)功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車(chē)電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-19 10:20:16
207 。今天就來(lái)詳細(xì)聊聊英飛凌的OptiMOS? 5 Linear FET 2,也就是型號(hào)為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET,看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載: Infineon
2025-12-19 09:35:06
504 ?在全球化的商業(yè)浪潮中,企業(yè)設(shè)備跨區(qū)域遷移、生產(chǎn)線(xiàn)對(duì)接國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、數(shù)據(jù)中心服務(wù)海外市場(chǎng)已成為常態(tài)。然而,一道現(xiàn)實(shí)的電力鴻溝常常橫亙眼前:當(dāng)您價(jià)值不菲的精密設(shè)備遭遇200V或346V這類(lèi)非標(biāo)準(zhǔn)三相
2025-12-19 08:35:26
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探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06
185 XD1187 是一款 2內(nèi)置 200V/1A MOS 寬輸入電壓降壓型 DC-DC轉(zhuǎn)換器非隔離電源芯片。它提供了一個(gè)完整的電源解決方案,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1A 的輸出電流 (IOUT),并在 20V 至
2025-12-17 16:16:46
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?在全球產(chǎn)業(yè)鏈布局與設(shè)備流動(dòng)日益頻繁的今天,企業(yè)常常面臨一個(gè)看似基礎(chǔ)卻風(fēng)險(xiǎn)極高的難題:如何將設(shè)計(jì)運(yùn)行于中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)380V三相電環(huán)境下的核心設(shè)備,安全、穩(wěn)定地遷移至使用日本等地標(biāo)準(zhǔn)200V三相電的工廠(chǎng)或
2025-12-17 11:13:33
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DFN3x3-8的小封裝?,F(xiàn)在很多設(shè)計(jì)都在往小型化、高密度走,PCB空間寸土寸金,這種小封裝優(yōu)勢(shì)就體現(xiàn)出來(lái)了,能省下不少布局空間。性能參數(shù):
耐壓高:支持最高200V的母線(xiàn)電壓,VCC工作范圍10V-20V,通用性
2025-12-13 08:41:39
在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,選擇一款合適的MOSFET是電路穩(wěn)定高效運(yùn)行的基礎(chǔ)。南山電子代理的NCE0224K是新潔能推出的一款200V耐壓、24A電流的N溝道增強(qiáng)型功率MOS管,憑借
2025-12-11 17:21:54
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威兆半導(dǎo)體推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-09 10:49:57
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你是否也在高壓半橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中遇到這些挑戰(zhàn)?在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制或高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,常常會(huì)面臨到這樣的困境:既要滿(mǎn)足高壓(如200V)半橋驅(qū)動(dòng)的可靠性,又要在極有限的PCB空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能
2025-12-09 08:35:20
的設(shè)備,都能輕松適配,不占地方還靠譜。?
再看它的 “超能力”:內(nèi)置 200V 耐壓 MOS,就像給電路裝了個(gè) “高壓防火墻”,哪怕輸入電壓高達(dá) 180V 也能從容應(yīng)對(duì)。不管你的電動(dòng)車(chē)是 48V、60V
2025-12-08 10:06:04
欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流高達(dá)4A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配? 較強(qiáng)的負(fù)瞬態(tài)電壓耐受能力? 更好的抗噪性
2025-12-05 17:38:01
0 和 HB 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。 使能關(guān)斷功能降低驅(qū)動(dòng)器的功耗。特性:特性 描述? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流高達(dá)3.3A? 輸入互鎖? 低待機(jī)電流(7μA)? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配? 更好的抗噪性? DFN10-3*3 封裝
2025-12-05 16:18:47
0 VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流高達(dá)4.4A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配? 較強(qiáng)的負(fù)瞬態(tài)電壓耐受能力? 更好的抗噪性
2025-12-05 15:47:55
0 還可以通過(guò)外部電阻調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間。PC318C016M/ D 提供MSOP10 3mm*3mm 和DFN10 4mm*4mm 兩種封裝形式特性?? 可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低測(cè)N溝道MOSFET ? HS懸浮電壓高達(dá)200V ? 峰值輸出電流高達(dá)1.2/1.8A ? VDD電源電壓范圍 5V-20V ? V
2025-12-05 15:45:04
2 VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流1A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配?
2025-12-05 15:39:41
0 VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流1A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配
2025-12-05 15:37:46
0 在設(shè)計(jì)機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)、高精度醫(yī)療器械或自動(dòng)化設(shè)備時(shí),你是否也會(huì)面臨這樣的挑戰(zhàn):
如果你的電路需要在最高200V的母線(xiàn)電壓下工作,又要將驅(qū)動(dòng)電路塞進(jìn)極其緊湊的空間里,什么樣的驅(qū)動(dòng)器才能同時(shí)滿(mǎn)足高壓
2025-12-02 08:22:11
一、產(chǎn)品概述SLM2004SCA-13GTR是一款采用先進(jìn)高壓集成電路技術(shù)打造的半橋驅(qū)動(dòng)芯片,專(zhuān)為中高壓應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化設(shè)計(jì)。該芯片基于鎖存免疫CMOS工藝,具備完整的半橋驅(qū)動(dòng)能力,支持高達(dá)200V
2025-11-27 08:23:38
11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50
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高達(dá)200V的工作電壓(完全運(yùn)行時(shí)電壓高達(dá)200V),兼容3.3V至5V的邏輯輸入電平。其獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持自舉操作,配合1A/1.5A的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)電流,能夠?yàn)楣β书_(kāi)關(guān)器件提供快速、可靠的驅(qū)動(dòng)
2025-11-26 08:20:51
SiLM2024CA-DG是一款采用先進(jìn)HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。支持高達(dá)200V的工作電壓,提供290mA/600mA的非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)
2025-11-22 10:50:13
H6253HV 是惠海半導(dǎo)體推出的 200V 耐壓規(guī)格 DC-DC 降壓恒壓芯片,聚焦寬電壓適配與穩(wěn)定輸出需求,適配多場(chǎng)景電源應(yīng)用。
核心技術(shù)參數(shù)
輸入電壓適配范圍為 8V-180V,覆蓋中高壓輸入
2025-11-15 10:07:41
仁懋電子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-13 09:35:58
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【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC)汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵(GaN)晶體管系列
2025-11-05 14:31:05
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及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59
297 【2025年10月30日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出48V智能eFuse系列產(chǎn)品,以及
2025-10-30 15:25:03
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中科微電深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域11年,依托深厚的技術(shù)積淀與項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),推出的ZK200G120P N 溝道MOS管,以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合,不僅打破了傳統(tǒng)器件在高功率場(chǎng)景下的性能瓶頸,更重新定義了中高壓MOS管的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),成為多領(lǐng)域設(shè)備升級(jí)的關(guān)鍵選擇。
2025-10-25 11:10:14
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當(dāng)來(lái)自中國(guó)的精密數(shù)控機(jī)床抵達(dá)大阪工廠(chǎng),面對(duì)日本獨(dú)特的200V工業(yè)電網(wǎng),一道電力鴻溝成為設(shè)備啟動(dòng)前必須跨越的障礙。 聯(lián)、席呂/生/150-1909-3116 近日,一批專(zhuān)門(mén)針對(duì)日本電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)
2025-10-25 08:32:06
186 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?近日,英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 100V CoolGaN?汽車(chē)晶體管系列,并已經(jīng)開(kāi)始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)生產(chǎn)產(chǎn)品系列樣品,包括高壓
2025-10-24 09:12:11
9040 三星COG材質(zhì)電容的耐壓值通常覆蓋6.3V至500V,常見(jiàn)規(guī)格包括50V、100V、250V及500V,具體取決于封裝尺寸與產(chǎn)品系列。以下為詳細(xì)分析: 一、耐壓值范圍與典型規(guī)格 基礎(chǔ)耐壓值 COG
2025-10-13 14:38:59
389 SiLM2026是一款200V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片,采用DFN3×3-8小型封裝,專(zhuān)為高壓、高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品基于先進(jìn)的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù),具備高集成度和優(yōu)異的抗干擾能力,可
2025-09-15 09:12:42
在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人技術(shù)迅猛發(fā)展的今天,高效、緊湊、可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案成為提升設(shè)備性能的關(guān)鍵。SiLM2026EN-DG高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,200V耐壓、強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)電流(290mA/600mA) 以及
2025-09-04 08:22:55
國(guó)硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側(cè)NMOS靜態(tài)開(kāi)關(guān)常導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)芯片一、概述NSG2000是一款快速、高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,采用高達(dá)250V的輸入電壓工作。該器件可以實(shí)現(xiàn)一
2025-08-29 14:26:42
電流傳感器產(chǎn)品型號(hào)AN1V 50 PB512AN1V 100 PB512AN1V 150 PB512AN1V 200 PB512AN1V 250 PB512AN1V 300 PB512本傳感器的原邊
2025-08-25 14:48:41
1 在工業(yè)電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,一款能夠提供智能相位管理的高壓驅(qū)動(dòng)器對(duì)系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。SiLM2023CA-DG 正是這樣一款專(zhuān)為200V應(yīng)用設(shè)計(jì)的創(chuàng)新型半橋驅(qū)動(dòng)器。采用標(biāo)準(zhǔn)SOP8封裝,該芯片
2025-08-25 08:33:30
的要求, PFR20200CTF產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,PFR20200CTF運(yùn)用于充電器,小家電,電源,LED燈等電子產(chǎn)品
PTR20100CTF規(guī)格參數(shù):
參數(shù)名稱(chēng)屬性值
直流反向耐壓(Vr):200V
2025-08-20 14:53:50
惠海半導(dǎo)體針對(duì)高耐壓的應(yīng)用推出了高性能低功耗且快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的降壓恒壓芯片H6251L,H6251L是一款輸入高達(dá)200V的高壓降壓開(kāi)關(guān)控制器,可以向負(fù)載提供高達(dá)6.5A的連續(xù)電流。
H6251L產(chǎn)品
2025-08-20 09:10:28
在如今的科技發(fā)展浪潮中,電力電子器件的性能對(duì)眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲(chǔ)系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,1000V/800V 新能源汽車(chē)架構(gòu)平臺(tái)的蓬勃發(fā)展,高壓兆充的快速布局,森國(guó)科及時(shí)推出
2025-08-16 15:44:47
3018 
宿舍空調(diào)作為典型制冷設(shè)備,出口日本時(shí)需面對(duì)三相 200V 與國(guó)內(nèi) 380V、單相 100V 與國(guó)內(nèi) 220V 的電壓差異。東莞卓爾凡電力科技有限公司推出的 200V 變 380V、100V 變 220V 專(zhuān)用變壓器,為這一適配難題提供專(zhuān)業(yè)解決方案。本文從技術(shù)原理出發(fā),解析制冷設(shè)備出口日本
2025-08-07 10:20:11
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該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋,集成柵極驅(qū)動(dòng)器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動(dòng)器的集成簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。支持半橋和兩個(gè)獨(dú)立的開(kāi)關(guān)拓?fù)?、可配置的死區(qū)時(shí)間和可配置的直通互鎖保護(hù),有助于支持各種應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)。
2025-08-06 16:44:48
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在現(xiàn)代電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中,電路保護(hù)至關(guān)重要,而保險(xiǎn)絲作為最常用的保護(hù)元件之一,發(fā)揮著不可替代的作用。良勝保險(xiǎn)絲 5*20 15A 250V 憑借其出色的性能和可靠的質(zhì)量,成為眾多領(lǐng)域保障電路安全的理想選擇。
2025-08-04 18:08:43
826 特性:
- 200V浮動(dòng)通道:支持高邊N-MOSFET/IGBT自舉操作,耐受負(fù)壓瞬變
- 寬電壓兼容:10-20V驅(qū)動(dòng)供電,3.3V/5V/15V邏輯全兼容
- 智能防護(hù):集成欠壓鎖定(UVLO
2025-08-01 08:40:59
該TPS65133設(shè)計(jì)用于為任何需要±5.0V電源軌的系統(tǒng)供電。 每個(gè)輸出可提供高達(dá) 250 mA 的輸出電流。輸入電源電壓范圍合適 用于鋰離子電池或固定 3.3V 電源。
對(duì)于大多數(shù)
2025-07-31 13:44:47
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,提供單芯片驅(qū)動(dòng)高邊和低邊N溝道MOSFET或IGBT的能力,最高工作電壓可達(dá) 200V。
核心優(yōu)勢(shì):
200V 高壓浮動(dòng)通道: 專(zhuān)為自舉操作設(shè)計(jì),輕松驅(qū)動(dòng)高邊開(kāi)關(guān)管,簡(jiǎn)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
卓越的抗干擾性
2025-07-30 08:49:53
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,在低壓領(lǐng)域MOSFET,SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢(shì),正在獲得快速增長(zhǎng),逐步取代傳統(tǒng)
2025-07-12 00:15:00
3191 。
惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS
2025-07-10 14:03:45
面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!
2025-07-03 18:03:35
1094 
當(dāng)設(shè)備遠(yuǎn)渡重洋,電力標(biāo)準(zhǔn)差異成隱雷!日本、部分東南亞、中東等地區(qū)采用三相200V電壓(50Hz/60Hz),普通UPS無(wú)法兼容,輕則宕機(jī)停產(chǎn),重則損傷精密設(shè)備!優(yōu)比施三相200V專(zhuān)用UPS——為全球
2025-06-26 13:36:03
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H6259A DCDC 降壓恒壓芯片
功能特性
高耐壓與寬輸入電壓范圍:內(nèi)置 200V 耐壓 MOS,支持輸入高達(dá) 180V 的高壓,可適應(yīng) 24V、48V、60V、80V、100V、150V
2025-06-25 09:18:48
,H6201L 的寬輸入電壓范圍(8V - 200V)能很好地適應(yīng)這種情況,確保為汽車(chē)充電器、車(chē)載儀表等設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。例如在汽車(chē)啟動(dòng)時(shí),電源電壓可能會(huì)瞬間下降,H6201L 憑借其穩(wěn)定的電壓輸出特性
2025-06-17 09:13:52
類(lèi)比半導(dǎo)體(AnalogySemi)推出支持高側(cè)或者低側(cè)通用電流檢測(cè)放大器,其通常用于優(yōu)化系統(tǒng)精密電流測(cè)量或者電流環(huán)路控制電路。該系列產(chǎn)品供電電壓范圍2.7V-5.5V,-0.3V-40V輸入共模
2025-06-13 10:36:10
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-200V/50mΩ 高壓MOSFET。這款采用TO-247封裝的P溝道功率器件,以55A連續(xù)電流承載能力和超低導(dǎo)通電阻,填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高壓MOSFET在工業(yè)電源、新能源及汽車(chē)電子領(lǐng)域的空白,標(biāo)志著中國(guó)功率
2025-05-29 17:44:06
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LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配,可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個(gè)內(nèi)部 LDO,無(wú)論電源電壓如何,都能確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
2025-05-24 15:53:00
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INA200、INA201 和 INA202 器件是具有電壓輸出和集成比較器的高側(cè)電流分流監(jiān)控器。INA20x 器件能夠在 -16V 至 +80V 范圍內(nèi)的共模電壓下感測(cè)分流器兩端的壓降
2025-05-22 11:27:13
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范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-18 10:11:11
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范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-18 09:37:07
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范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-18 09:26:57
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范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-16 15:38:34
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范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-16 14:57:25
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TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V
2025-05-15 18:14:26
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TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6005(200V 額定值
2025-05-15 13:41:50
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-05-14 16:32:55
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分流電阻器上的電壓降。共有三種固定增益可供選擇:50V/V、100V/V 和200V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。這些器件由
2025-05-14 10:30:47
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,和 200V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)分流器上最大壓降低至 10mV 滿(mǎn)量程的電流感測(cè),或者具有超過(guò) 1000:1 的寬動(dòng)態(tài)范圍。
2025-05-12 10:16:47
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-05-12 10:13:42
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-30 09:20:25
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范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-04-29 09:54:32
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-25 14:41:39
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-25 14:34:58
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-25 14:17:01
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LT3580在5V出入的情況下,如何修改匝數(shù)比和反饋電阻,輸出200V電壓
2025-04-24 06:12:45
的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-21 11:27:33
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的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-21 11:20:51
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的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-18 14:29:57
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的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-18 14:21:34
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的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-18 09:23:19
808 
的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-18 09:19:35
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),可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-17 15:28:04
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)的一部分,可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 -Q1 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-17 15:04:57
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),可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-17 10:54:24
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)的一部分,可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 -Q1 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-15 18:13:20
1051 
電阻器上的壓降。INA185 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可盡可能減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-15 11:15:33
980 
),可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-15 11:11:10
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200KVA的隔離變壓器 480V變200V輸出端應(yīng)該選用多大的電纜線(xiàn)?? 在電力系統(tǒng)中,變壓器輸出端電纜線(xiàn)的正確選擇至關(guān)重要。對(duì)于卓爾凡電源的 200KVA 480V 變 200V 隔離變壓器而言
2025-04-03 08:36:30
1172 ? 電路設(shè)計(jì)痛點(diǎn)終結(jié)者來(lái)了! ?
無(wú)論是高壓嚴(yán)苛環(huán)境還是低壓精密控制,?惠海半導(dǎo)體20-250V系列MOS管****? 以強(qiáng)性能橫掃行業(yè)難題,為您的項(xiàng)目注入高效、穩(wěn)定、持久的動(dòng)力
2025-03-27 17:13:20
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來(lái)源:英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性?xún)r(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:00
2676 
公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52
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、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-22****0**
我司有20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56
2025-02-20 11:07:53
眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步,其他公司也在開(kāi)發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55
811 、±130V、±150V、±160V、±180V、±200VDC、±220VDC、±230VDC、±240VDC、±250VDC等,具有功率密度大,輸出功率高,應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
2025-02-14 15:57:12
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HRA 0.2~5W 系列模塊電源是一種DC-DC升壓變換器。該模塊電源的輸入電壓分為:4.5~9V、9~18V、18~36V及36~72VDC標(biāo)準(zhǔn)(2:1)寬輸入電壓范圍(寬電壓輸入模塊電源是指
2025-02-13 10:17:28
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200V/220V 變 440V、480V 變壓器,憑借卓越的性能和出色的品牌優(yōu)勢(shì),榮登出口熱銷(xiāo)榜,成為設(shè)備出口的可靠電力保障。 一、設(shè)備出口市場(chǎng)的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn) 隨著全球工業(yè)化進(jìn)程的加速,設(shè)備出口的需求持續(xù)增長(zhǎng)。從自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)到精密加工設(shè)備,
2025-02-12 08:23:07
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英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)
2025-02-08 11:24:57
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基于英特爾 vPro 平臺(tái)的全新英特爾 酷睿 Ultra 200V系列移動(dòng)處理器,為企業(yè)提供 AI 驅(qū)動(dòng)的生產(chǎn)力和提升的IT管理能力1。該產(chǎn)品不僅擁有卓越的性能、效率和非凡的商務(wù)計(jì)算能力,還有先進(jìn)的安全性和可管理性,為現(xiàn)代工作場(chǎng)所提供強(qiáng)大的平臺(tái)。
2025-01-20 09:21:13
1795 概述
SL3049 是一款外驅(qū)MOSFET管可設(shè)定輸出電流的同步降壓型開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器,可工作在寬輸入電
壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓11V至250V可提供最大10A以上的輸出電流
2025-01-08 15:15:12
評(píng)論