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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

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半橋驅(qū)動(dòng)SiLM2026EN-DG DFN3x3小封裝,輕松搞定200V機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)

DFN3x3-8的小封裝?,F(xiàn)在很多設(shè)計(jì)都在往小型化、高密度走,PCB空間寸土寸金,這種小封裝優(yōu)勢(shì)就體現(xiàn)出來(lái)了,能省下不少布局空間。性能參數(shù): 耐壓高:支持最高200V的母線(xiàn)電壓,VCC工作范圍10V-20V,通用性
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200V/24A功率MOS管選型參考:新潔能NCE0224K特性解析

在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,選擇一款合適的MOSFET是電路穩(wěn)定高效運(yùn)行的基礎(chǔ)。南山電子代理的NCE0224K是新潔能推出的一款200V耐壓、24A電流的N溝道增強(qiáng)型功率MOS管,憑借
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2025-12-09 10:49:57228

采用DFN3×3封裝SiLM2026EN-DG 200V半橋驅(qū)動(dòng)器,如何實(shí)現(xiàn)機(jī)器人關(guān)節(jié)的高效緊湊驅(qū)動(dòng)?

你是否也在高壓半橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中遇到這些挑戰(zhàn)?在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制或高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,常常會(huì)面臨到這樣的困境:既要滿(mǎn)足高壓(如200V)半橋驅(qū)動(dòng)的可靠性,又要在極有限的PCB空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能
2025-12-09 08:35:20

200V降壓穩(wěn)壓芯片H6259AB 48V60V72V80V降3.3V5V12V方案

的設(shè)備,都能輕松適配,不占地方還靠譜。? 再看它的 “超能力”:內(nèi)置 200V 耐壓 MOS,就像給電路裝了個(gè) “高壓防火墻”,哪怕輸入電壓高達(dá) 180V 也能從容應(yīng)對(duì)。不管你的電動(dòng)車(chē)是 48V、60V
2025-12-08 10:06:04

PC318C046EQ-200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流高達(dá)4A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配? 較強(qiáng)的負(fù)瞬態(tài)電壓耐受能力? 更好的抗噪性
2025-12-05 17:38:010

PC318C042NM 200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

和 HB 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。 使能關(guān)斷功能降低驅(qū)動(dòng)器的功耗。特性:特性 描述? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流高達(dá)3.3A? 輸入互鎖? 低待機(jī)電流(7μA)? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配? 更好的抗噪性? DFN10-3*3 封裝
2025-12-05 16:18:470

PC318C041EQ 200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流高達(dá)4.4A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配? 較強(qiáng)的負(fù)瞬態(tài)電壓耐受能力? 更好的抗噪性
2025-12-05 15:47:550

PC318C016M/D 200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

還可以通過(guò)外部電阻調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間。PC318C016M/ D 提供MSOP10 3mm*3mm 和DFN10 4mm*4mm 兩種封裝形式特性?? 可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低測(cè)N溝道MOSFET ? HS懸浮電壓高達(dá)200V ? 峰值輸出電流高達(dá)1.2/1.8A ? VDD電源電壓范圍 5V-20V ? V
2025-12-05 15:45:042

PC318C013EQ 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流1A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配?
2025-12-05 15:39:410

PC318C011EQ 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性? 懸浮電壓高達(dá)200V? 峰值輸出電流1A? 帶輸入互鎖和死區(qū)時(shí)間? 優(yōu)異的傳輸延遲匹配
2025-12-05 15:37:460

為機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)頭疼?SiLM2026EN-DG讓200V高壓與DFN3x3小封裝兼得!

在設(shè)計(jì)機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)、高精度醫(yī)療器械或自動(dòng)化設(shè)備時(shí),你是否也會(huì)面臨這樣的挑戰(zhàn): 如果你的電路需要在最高200V的母線(xiàn)電壓下工作,又要將驅(qū)動(dòng)電路塞進(jìn)極其緊湊的空間里,什么樣的驅(qū)動(dòng)器才能同時(shí)滿(mǎn)足高壓
2025-12-02 08:22:11

SLM2004SCA-13GTR 200V高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片的可靠性與時(shí)序優(yōu)化設(shè)計(jì)

一、產(chǎn)品概述SLM2004SCA-13GTR是一款采用先進(jìn)高壓集成電路技術(shù)打造的半橋驅(qū)動(dòng)芯片,專(zhuān)為中高壓應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化設(shè)計(jì)。該芯片基于鎖存免疫CMOS工藝,具備完整的半橋驅(qū)動(dòng)能力,支持高達(dá)200V
2025-11-27 08:23:38

英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)

11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50568

SLM2015CA-DG 160V/200V高速半橋驅(qū)動(dòng)芯片的卓越解決方案

高達(dá)200V的工作電壓(完全運(yùn)行時(shí)電壓高達(dá)200V),兼容3.3V至5V的邏輯輸入電平。其獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持自舉操作,配合1A/1.5A的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)電流,能夠?yàn)楣β书_(kāi)關(guān)器件提供快速、可靠的驅(qū)動(dòng)
2025-11-26 08:20:51

SiLM2024CA-DG 200V半橋驅(qū)動(dòng)器在工業(yè)應(yīng)用中的性能解析

SiLM2024CA-DG是一款采用先進(jìn)HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。支持高達(dá)200V的工作電壓,提供290mA/600mA的非對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)
2025-11-22 10:50:13

高耐壓200V 180V150V48V60V100V轉(zhuǎn)3.3V5V12V降壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片H6253HV紋波小

H6253HV 是惠海半導(dǎo)體推出200V 耐壓規(guī)格 DC-DC 降壓恒壓芯片,聚焦寬電壓適配與穩(wěn)定輸出需求,適配多場(chǎng)景電源應(yīng)用。 核心技術(shù)參數(shù) 輸入電壓適配范圍為 8V-180V,覆蓋中高壓輸入
2025-11-15 10:07:41

選型手冊(cè):MBR30200W 肖特基勢(shì)壘整流二極管

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2025-11-13 09:35:58266

英飛凌推出首款100V車(chē)規(guī)級(jí)晶體管,推動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

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及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297

英飛凌擴(kuò)展電源路徑保護(hù)產(chǎn)品組合,賦能48V及未來(lái)400V和800V AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)發(fā)展

【2025年10月30日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出48V智能eFuse系列產(chǎn)品,以及
2025-10-30 15:25:0364017

中科微電ZK200G120P:SGT工藝賦能的功率MOS管標(biāo)桿

中科微電深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域11年,依托深厚的技術(shù)積淀與項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),推出的ZK200G120P N 溝道MOS管,以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合,不僅打破了傳統(tǒng)器件在高功率場(chǎng)景下的性能瓶頸,更重新定義了中高壓MOS管的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),成為多領(lǐng)域設(shè)備升級(jí)的關(guān)鍵選擇。
2025-10-25 11:10:14326

中國(guó)制造變壓器精準(zhǔn)適配日本市場(chǎng),200V轉(zhuǎn)380V解決方案助力精密設(shè)備落地

當(dāng)來(lái)自中國(guó)的精密數(shù)控機(jī)床抵達(dá)大阪工廠(chǎng),面對(duì)日本獨(dú)特的200V工業(yè)電網(wǎng),一道電力鴻溝成為設(shè)備啟動(dòng)前必須跨越的障礙。 聯(lián)、席呂/生/150-1909-3116 近日,一批專(zhuān)門(mén)針對(duì)日本電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)
2025-10-25 08:32:06186

英飛凌進(jìn)軍車(chē)規(guī)級(jí)GaN,適用48V系統(tǒng)

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2025-10-13 14:38:59389

專(zhuān)為高壓高頻應(yīng)用設(shè)計(jì):SiLM2026 半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器支持200V/600mA輸出

SiLM2026是一款200V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片,采用DFN3×3-8小型封裝,專(zhuān)為高壓、高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品基于先進(jìn)的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù),具備高集成度和優(yōu)異的抗干擾能力,可
2025-09-15 09:12:42

SiLM2026EN-DG 小封裝大能量200V半橋驅(qū)動(dòng)助力機(jī)器人精準(zhǔn)關(guān)節(jié)控制

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2025-09-04 08:22:55

國(guó)硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側(cè) NMOS 靜態(tài)開(kāi)關(guān)常導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)芯片

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2025-08-29 14:26:42

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電流傳感器產(chǎn)品型號(hào)AN1V 50 PB512AN1V 100 PB512AN1V 150 PB512AN1V 200 PB512AN1V 250 PB512AN1V 300 PB512本傳感器的原邊
2025-08-25 14:48:411

SiLM2023CA-DG 智能相位控制的200V半橋驅(qū)動(dòng)芯片

在工業(yè)電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,一款能夠提供智能相位管理的高壓驅(qū)動(dòng)器對(duì)系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。SiLM2023CA-DG 正是這樣一款專(zhuān)為200V應(yīng)用設(shè)計(jì)的創(chuàng)新型半橋驅(qū)動(dòng)器。采用標(biāo)準(zhǔn)SOP8封裝,該芯片
2025-08-25 08:33:30

PFR20200CTF肖特基二極管TO-220F封裝200V20A

的要求, PFR20200CTF產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,PFR20200CTF運(yùn)用于充電器,小家電,電源,LED燈等電子產(chǎn)品 PTR20100CTF規(guī)格參數(shù): 參數(shù)名稱(chēng)屬性值 直流反向耐壓(Vr):200V
2025-08-20 14:53:50

200V高耐壓6.5A大電流24V48V60V100V120V150V降壓3.3V5V12V降壓恒壓芯片H6251L

惠海半導(dǎo)體針對(duì)高耐壓的應(yīng)用推出了高性能低功耗且快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的降壓恒壓芯片H6251L,H6251L是一款輸入高達(dá)200V的高壓降壓開(kāi)關(guān)控制器,可以向負(fù)載提供高達(dá)6.5A的連續(xù)電流。 H6251L產(chǎn)品
2025-08-20 09:10:28

森國(guó)科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

在如今的科技發(fā)展浪潮中,電力電子器件的性能對(duì)眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲(chǔ)系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用,1000V/800V 新能源汽車(chē)架構(gòu)平臺(tái)的蓬勃發(fā)展,高壓兆充的快速布局,森國(guó)科及時(shí)推出
2025-08-16 15:44:473018

學(xué)校宿舍空調(diào)出口日本200V變380V、100V變220V 制冷設(shè)備出口時(shí)為什么要用變壓器?

宿舍空調(diào)作為典型制冷設(shè)備,出口日本時(shí)需面對(duì)三相 200V 與國(guó)內(nèi) 380V、單相 100V 與國(guó)內(nèi) 220V 的電壓差異。東莞卓爾凡電力科技有限公司推出200V 變 380V、100V 變 220V 專(zhuān)用變壓器,為這一適配難題提供專(zhuān)業(yè)解決方案。本文從技術(shù)原理出發(fā),解析制冷設(shè)備出口日本
2025-08-07 10:20:11820

TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級(jí),集成驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋,集成柵極驅(qū)動(dòng)器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動(dòng)器的集成簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。支持半橋和兩個(gè)獨(dú)立的開(kāi)關(guān)拓?fù)?、可配置的死區(qū)時(shí)間和可配置的直通互鎖保護(hù),有助于支持各種應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)。
2025-08-06 16:44:48898

良勝保險(xiǎn)絲5*20 15A 250V:電路安全的可靠守護(hù)者

在現(xiàn)代電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中,電路保護(hù)至關(guān)重要,而保險(xiǎn)絲作為最常用的保護(hù)元件之一,發(fā)揮著不可替代的作用。良勝保險(xiǎn)絲 5*20 15A 250V 憑借其出色的性能和可靠的質(zhì)量,成為眾多領(lǐng)域保障電路安全的理想選擇。
2025-08-04 18:08:43826

SLM2004SCA-13GTR 200V半橋驅(qū)動(dòng)器代替IRS2004

特性: - 200V浮動(dòng)通道:支持高邊N-MOSFET/IGBT自舉操作,耐受負(fù)壓瞬變 - 寬電壓兼容:10-20V驅(qū)動(dòng)供電,3.3V/5V/15V邏輯全兼容 - 智能防護(hù):集成欠壓鎖定(UVLO
2025-08-01 08:40:59

TPS65133 分軌轉(zhuǎn)換器,±5V,250mA雙路輸出電源數(shù)據(jù)手冊(cè)

該TPS65133設(shè)計(jì)用于為任何需要±5.0V電源軌的系統(tǒng)供電。 每個(gè)輸出可提供高達(dá) 250 mA 的輸出電流。輸入電源電壓范圍合適 用于鋰離子電池或固定 3.3V 電源。 對(duì)于大多數(shù)
2025-07-31 13:44:47638

SiLM2004ECA-DG 200V 高魯棒性半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

,提供單芯片驅(qū)動(dòng)高邊和低邊N溝道MOSFET或IGBT的能力,最高工作電壓可達(dá) 200V。 核心優(yōu)勢(shì): 200V 高壓浮動(dòng)通道: 專(zhuān)為自舉操作設(shè)計(jì),輕松驅(qū)動(dòng)高邊開(kāi)關(guān)管,簡(jiǎn)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 卓越的抗干擾性
2025-07-30 08:49:53

RDS(on)低至8.6mΩ,揚(yáng)杰推出200V MOSFET Gen2.0系列

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,在低壓領(lǐng)域MOSFET,SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢(shì),正在獲得快速增長(zhǎng),逐步取代傳統(tǒng)
2025-07-12 00:15:003191

支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性?xún)r(jià)比高效率穩(wěn)定

。 惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS
2025-07-10 14:03:45

揚(yáng)杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列

面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設(shè)備向小型化、高頻化、高可靠進(jìn)化!
2025-07-03 18:03:351094

海外專(zhuān)屬電壓?三相200V,優(yōu)比施國(guó)外電壓的UPS電源,全球暢行無(wú)阻!

當(dāng)設(shè)備遠(yuǎn)渡重洋,電力標(biāo)準(zhǔn)差異成隱雷!日本、部分東南亞、中東等地區(qū)采用三相200V電壓(50Hz/60Hz),普通UPS無(wú)法兼容,輕則宕機(jī)停產(chǎn),重則損傷精密設(shè)備!優(yōu)比施三相200V專(zhuān)用UPS——為全球
2025-06-26 13:36:03649

H6259AMCU模塊供電芯片動(dòng)態(tài)響應(yīng)快48V60V72V80V150V 200V降3.3V 5V12V

H6259A DCDC 降壓恒壓芯片 功能特性 高耐壓與寬輸入電壓范圍:內(nèi)置 200V 耐壓 MOS,支持輸入高達(dá) 180V 的高壓,可適應(yīng) 24V、48V、60V、80V、100V、150V
2025-06-25 09:18:48

BMS專(zhuān)用支持3.3V 5V 12V 惠海H6201L 耐壓200V 低功耗峰值電流大

,H6201L 的寬輸入電壓范圍(8V - 200V)能很好地適應(yīng)這種情況,確保為汽車(chē)充電器、車(chē)載儀表等設(shè)備提供穩(wěn)定的電源。例如在汽車(chē)啟動(dòng)時(shí),電源電壓可能會(huì)瞬間下降,H6201L 憑借其穩(wěn)定的電壓輸出特性
2025-06-17 09:13:52

類(lèi)比半導(dǎo)體推出支持-0.3V-40V共模的車(chē)規(guī)級(jí)雙向通用電流檢測(cè)放大器

類(lèi)比半導(dǎo)體(AnalogySemi)推出支持高側(cè)或者低側(cè)通用電流檢測(cè)放大器,其通常用于優(yōu)化系統(tǒng)精密電流測(cè)量或者電流環(huán)路控制電路。該系列產(chǎn)品供電電壓范圍2.7V-5.5V,-0.3V-40V輸入共模
2025-06-13 10:36:101771

破局時(shí)刻:大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問(wèn)世-VBP2205N

-200V/50mΩ 高壓MOSFET。這款采用TO-247封裝的P溝道功率器件,以55A連續(xù)電流承載能力和超低導(dǎo)通電阻,填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高壓MOSFET在工業(yè)電源、新能源及汽車(chē)電子領(lǐng)域的空白,標(biāo)志著中國(guó)功率
2025-05-29 17:44:06806

LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配,可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個(gè)內(nèi)部 LDO,無(wú)論電源電壓如何,都能確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
2025-05-24 15:53:00891

INA200 帶比較器的、-16V至80V、500kHz、電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

INA200、INA201 和 INA202 器件是具有電壓輸出和集成比較器的高側(cè)電流分流監(jiān)控器。INA20x 器件能夠在 -16V 至 +80V 范圍內(nèi)的共模電壓下感測(cè)分流器兩端的壓降
2025-05-22 11:27:13857

INA214 26V、雙向、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-18 10:11:11864

INA213 26V、雙向、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-18 09:37:071085

INA210 26V、雙向、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-18 09:26:57885

INA211 26V、雙向、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-16 15:38:34785

INA212 26V、雙向、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-05-16 14:57:25728

TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V
2025-05-15 18:14:26720

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6005(200V 額定值
2025-05-15 13:41:50671

INA213-Q1 符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的、26V、雙向、高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-05-14 16:32:55830

INA199 26V、雙向、零漂移、低側(cè)或高側(cè)、電壓輸出、電流分流監(jiān)測(cè)器技術(shù)手冊(cè)

分流電阻器上的電壓降。共有三種固定增益可供選擇:50V/V、100V/V200V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。這些器件
2025-05-14 10:30:471193

INA216 采用WCSP封裝的、1.8V至5.5V、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

,和 200V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)分流器上最大壓降低至 10mV 滿(mǎn)量程的電流感測(cè),或者具有超過(guò) 1000:1 的寬動(dòng)態(tài)范圍。
2025-05-12 10:16:47777

INA214-Q1 AEC-Q100、26V、雙向、高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

/V、75V/V、100V/V200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-05-12 10:13:42788

INA212-Q1 符合 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的、26V、雙向、高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

/V、75V/V、100V/V200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-30 09:20:25835

INA215 26V、雙向、高精度電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

范圍內(nèi)的壓降,與電源電壓無(wú)關(guān)。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流感應(yīng)。
2025-04-29 09:54:32698

INA211-Q1 AEC-Q100、26V、雙向、高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-25 14:41:39748

INA210-Q1 AEC-Q100、26V、雙向、高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-25 14:34:58820

INA215-Q1 AEC-Q100、26V、雙向、高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

/V、75V/V、100V/V200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過(guò)流檢測(cè)、電壓反饋控制環(huán)路或用作功率監(jiān)控器。零漂移架構(gòu)的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿(mǎn)量程)的情況下進(jìn)行電流檢測(cè)。
2025-04-25 14:17:01727

LT3580在5V出入的情況下,如何修改匝數(shù)比和反饋電阻,輸出200V電壓?

LT3580在5V出入的情況下,如何修改匝數(shù)比和反饋電阻,輸出200V電壓
2025-04-24 06:12:45

INA181 26V、雙向、350kHz電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-21 11:27:331074

INA180 26V、350kHz電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-21 11:20:51957

INA2181 26V、雙通道、雙向、350kHz電流感測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-18 14:29:57911

INA2180 26V、雙通道、350kHz電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-18 14:21:34829

INA4180 26V、四通道、350kHz電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-18 09:23:19808

INA4181 26V、四通道、雙向、350kHz電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-18 09:19:35872

INA2181-Q1 AEC-Q100、26V、雙通道、雙向、350kHz電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

),可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-17 15:28:04844

INA2180-Q1 AEC-Q100、26V、雙通道、350kHz、電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

)的一部分,可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 -Q1 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-17 15:04:57901

INA4181-Q1 AEC-Q100、26V、四通道、雙向、350kHz電流感應(yīng)放大器技術(shù)手冊(cè)

),可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-17 10:54:24775

INA180-Q1 AEC-Q100、26V、350kHz電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

)的一部分,可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 +26V 范圍內(nèi)的共模電壓中檢測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx180 -Q1 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。該匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-15 18:13:201051

INA185 采用超小型SOT-563封裝的、26V、350kHz、雙向高精度電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

電阻器上的壓降。INA185 集成了匹配的電阻增益網(wǎng)絡(luò),支持四個(gè)固定增益器件選項(xiàng):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可盡可能減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-15 11:15:33980

INA181-Q1 AEC-Q100、26V、雙向、350kHz 電流檢測(cè)放大器技術(shù)手冊(cè)

),可在獨(dú)立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內(nèi)的共模電壓中感測(cè)電流檢測(cè)電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個(gè)固定增益器件選項(xiàng)中集成了匹配的電阻器增益網(wǎng)絡(luò):20V/V、50V/V、100V/V200V/V。此匹配的增益電阻網(wǎng)絡(luò)可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-15 11:11:10910

200KVA的隔離變壓器 480V200V輸出端應(yīng)該選用多大的電纜線(xiàn)?

200KVA的隔離變壓器 480V200V輸出端應(yīng)該選用多大的電纜線(xiàn)?? 在電力系統(tǒng)中,變壓器輸出端電纜線(xiàn)的正確選擇至關(guān)重要。對(duì)于卓爾凡電源的 200KVA 480V200V 隔離變壓器而言
2025-04-03 08:36:301172

?【工程師看過(guò)來(lái)!20-250V系列大電流低內(nèi)阻MOS管深度解析:硬核性能+多種場(chǎng)景適配!】?

? 電路設(shè)計(jì)痛點(diǎn)終結(jié)者來(lái)了! ? 無(wú)論是高壓嚴(yán)苛環(huán)境還是低壓精密控制,?惠海半導(dǎo)體20-250V系列MOS管****? 以強(qiáng)性能橫掃行業(yè)難題,為您的項(xiàng)目注入高效、穩(wěn)定、持久的動(dòng)力
2025-03-27 17:13:20

汽車(chē)48V、AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動(dòng),英飛凌OptiMOS 7系列器件解析

英飛凌OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來(lái)源:英飛凌 OptiMOS系列英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性?xún)r(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:002676

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758

惠海 H6255L降壓恒壓芯片 支持48V 60V轉(zhuǎn)12V5V3.3V2A POE供電方案 動(dòng)態(tài)響應(yīng)好 紋波小

、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-22****0** 我司有20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56
2025-02-20 11:07:53

英飛凌首批采用200毫米晶圓工藝制造的SiC器件成功交付

眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步,其他公司也在開(kāi)發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55811

新能源充電樁穩(wěn)壓高壓電源模塊12v轉(zhuǎn)1000v 500v800v600v700v

、±130V、±150V、±160V、±180V、±200VDC、±220VDC、±230VDC、±240VDC、±250VDC等,具有功率密度大,輸出功率高,應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
2025-02-14 15:57:12949

小體積低壓升高壓隔離電源模塊DC5v12v24v轉(zhuǎn)DC±50V±100V±120V±150V±200V±250V

HRA 0.2~5W 系列模塊電源是一種DC-DC升壓變換器。該模塊電源的輸入電壓分為:4.5~9V、9~18V、18~36V及36~72VDC標(biāo)準(zhǔn)(2:1)寬輸入電壓范圍(寬電壓輸入模塊電源是指
2025-02-13 10:17:28816

出口熱銷(xiāo)榜“三相200V220V變440V、480V變壓器” 卓爾凡

200V/220V 變 440V、480V 變壓器,憑借卓越的性能和出色的品牌優(yōu)勢(shì),榮登出口熱銷(xiāo)榜,成為設(shè)備出口的可靠電力保障。 一、設(shè)備出口市場(chǎng)的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn) 隨著全球工業(yè)化進(jìn)程的加速,設(shè)備出口的需求持續(xù)增長(zhǎng)。從自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)到精密加工設(shè)備,
2025-02-12 08:23:07592

英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)
2025-02-08 11:24:57891

英特爾酷睿Ultra 200V系列移動(dòng)處理器亮相CES 2025

基于英特爾 vPro 平臺(tái)的全新英特爾 酷睿 Ultra 200V系列移動(dòng)處理器,為企業(yè)提供 AI 驅(qū)動(dòng)的生產(chǎn)力和提升的IT管理能力1。該產(chǎn)品不僅擁有卓越的性能、效率和非凡的商務(wù)計(jì)算能力,還有先進(jìn)的安全性和可管理性,為現(xiàn)代工作場(chǎng)所提供強(qiáng)大的平臺(tái)。
2025-01-20 09:21:131795

SL3049 11V-250V寬電壓輸入,輸出可調(diào),同步降壓轉(zhuǎn)換器

概述 SL3049 是一款外驅(qū)MOSFET管可設(shè)定輸出電流的同步降壓型開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器,可工作在寬輸入電 壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓11V250V可提供最大10A以上的輸出電流
2025-01-08 15:15:12

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