AOS推出創(chuàng)新型雙面散熱 DFN 5x6 封裝

AONA66916采用全新頂部開窗式DFN5x6封裝，可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的散熱性能，提供可靠性更高的設(shè)計

日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL) Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS)（納斯達(dá)克代碼：AOSL）發(fā)布了一款 100V MOSFET——AONA66916，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝?？蛻粝到y(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應(yīng)用要求?，F(xiàn)如今，AOS產(chǎn)品進(jìn)一步創(chuàng)新，提供最先進(jìn)的封裝以保持其器件實現(xiàn)最佳的散熱性能，使工程師能夠在長期處于惡劣條件下運行的電信系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用中開發(fā)更高效的方案設(shè)計。

通常來說，標(biāo)準(zhǔn) DFN 5x6 封裝主要是依靠底部焊盤進(jìn)行散熱，器件產(chǎn)生的大部分熱量都將轉(zhuǎn)移到 PCB上。為滿足系統(tǒng)要求，增加了PCB 熱管理設(shè)計的難度。AOS雙面散熱型 DFN 5x6 封裝由于其較大的表面接觸面積結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)外露的頂部窗口和散熱器之間的最高熱傳遞。這使得器件能夠?qū)崿F(xiàn) 0.5°C/W 的低熱阻（Rthc-top max），從而顯著提高熱性能。AONA66916 的頂部開窗式 DFN 5x6 封裝與 AOS 標(biāo)準(zhǔn)的 DFN 5x6具有相同的封裝和尺寸（5mm x 6mm），無需修改現(xiàn)有 PCB 布局，以最小的評估工作量提高功率密度。
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值得一提的是，AONA66916利用AOS 100V AlphaSGT? 技術(shù)，其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù)（FOM）完美適配硬開關(guān)的應(yīng)用。 AONA66916 RDS(on) 最大值為 3.4mOhms，支持最大結(jié)溫 175°C。
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“在高功率電源設(shè)計中，MOSFET的散熱性能具有一定的挑戰(zhàn)性，AOS 通過其先進(jìn)的頂部開窗封裝設(shè)計成功解決了這一基本問題。由于頂部開窗的面積相對較大，這不僅實現(xiàn)了MOSFET從頂部窗口到散熱器之間更好的熱傳遞。而且MOSFET較低的溫度，也有助于實現(xiàn)更高效、更穩(wěn)健的設(shè)計方案” ，AOS MOSFET 產(chǎn)品線資深市場總監(jiān) Peter H. Wilson 說道。

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240N12NS3-VB一款N-Channel溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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35P03-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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45P03-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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50N03-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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520N15NS3-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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2024-11-14 11:31:51

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75N3LLZH5-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介75N3LLZH5-VB 是一款單路 N 溝道功率 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封裝，適用于中等電壓和高電流的應(yīng)用場合。它采用了 Trench（溝道結(jié)構(gòu)）技術(shù)，具有低導(dǎo)

2024-11-20 15:13:47

80N03F-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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80N3LLH6-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AM7411P-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AM7461P-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AON6204-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6204-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝為DFN8(5X6)，適用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的電子應(yīng)用。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝

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AON6232-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AON6234-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AON6240-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AON6260-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AON6404-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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AON6407-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

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2024-12-07 15:28:30

AON6408-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、AON6408-VB 產(chǎn)品簡介AON6408-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，設(shè)計用于高效能功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異

2024-12-07 15:31:40

AON6410-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介**AON6410-VB** 是一款單N-溝道MOSFET，采用了Trench技術(shù)，封裝為DFN8(5X6)。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適合在高效能量轉(zhuǎn)換和功率管

2024-12-07 15:33:06

AON6416-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6416-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝為DFN8(5X6)，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高電流承載能力，適用于需要高效能電源開關(guān)

2024-12-07 15:37:00

AON6424-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介AON6424-VB 是一款單 N 型通道 MOSFET，采用槽道結(jié)構(gòu)技術(shù)（Trench），封裝在 DFN8(5X6) 中。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力，適用于需要

2024-12-07 15:40:28

AON6428-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6428-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，設(shè)計用于高功率密度和低導(dǎo)通電阻要求的功率管理應(yīng)用。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **產(chǎn)品型號

2024-12-07 15:42:39

AON6435-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### AON6435-VB 產(chǎn)品簡介AON6435-VB是一款單P溝道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高漏極電流和優(yōu)秀的熱特性，適合應(yīng)對高電流和高功率密度的應(yīng)用需求

2024-12-07 15:44:33

AON6440-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、AON6440-VB 產(chǎn)品簡介AON6440-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，專為高效能功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用而設(shè)計。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異

2024-12-07 15:45:45

AON6442-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介**AON6442-VB** 是一款單N-溝道MOSFET，采用了Trench技術(shù)，封裝為DFN8(5X6)。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適合在高效能量轉(zhuǎn)換和功率管

2024-12-07 15:48:01

AON6448-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6448-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝為DFN8(5X6)，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適合高效能的電源管理和開關(guān)

2024-12-07 15:50:19

AON6454A-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介AON6454A-VB 是一款單 N 型通道 MOSFET，采用槽道結(jié)構(gòu)技術(shù)（Trench），封裝在 DFN8(5X6) 中。該器件具有高漏源電壓（VDS）、低導(dǎo)通電阻和高電流

2024-12-07 15:59:12

AON6482-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### AON6482-VB 產(chǎn)品簡介AON6482-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有高漏極電流、低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性，非常適合用于高效能的電源管理和轉(zhuǎn)換

2024-12-07 16:03:41

AON6486-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介**AON6486-VB** 是一款單N-溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，封裝為DFN8(5X6)。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，特別適合在需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠性高

2024-12-07 16:05:58

AON6526-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介AON6526-VB 是一款高性能的單 N 型通道 MOSFET，采用槽道結(jié)構(gòu)技術(shù)（Trench），封裝在 DFN8(5X6) 中。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和較低的柵極

2024-12-07 16:13:00

AON6704A-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6704A-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，設(shè)計用于高電流和低導(dǎo)通電阻要求的功率管理和開關(guān)應(yīng)用。其優(yōu)秀的導(dǎo)通特性和高電流承載能力使其適用于

2024-12-07 16:27:41

AON6704-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### AON6704-VB 產(chǎn)品簡介AON6704-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高漏極電流和高性能特性，適合應(yīng)對高電流和高效能要求的電源管理

2024-12-07 16:29:28

AON6706-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、AON6706-VB 產(chǎn)品簡介AON6706-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，設(shè)計用于高性能功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異

2024-12-07 16:34:56

AON6708-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介**AON6708-VB** 是一款單N-溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，封裝為DFN8(5X6)。它具有極低的導(dǎo)通電阻和高達(dá)120A的最大漏極電流承載能力，適合高功率

2024-12-07 16:36:15

AON6710-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、AON6710-VB 產(chǎn)品簡介AON6710-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，設(shè)計用于高性能電源管理和開關(guān)應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適合需要

2024-12-07 16:38:05

AON6712-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6712-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝為DFN8(5X6)。它具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適用于需要高效能和低損耗的應(yīng)用場

2024-12-07 16:39:11

AON6780-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介AON6780-VB 是一款高性能的單 N 型通道 MOSFET，采用槽道結(jié)構(gòu)技術(shù)（Trench），封裝在 DFN8(5X6) 中。它具有極低的導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和較低的柵極

2024-12-07 16:43:54

AON6784-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6784-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適合需要高效能和高功率密度的電源管理和開關(guān)

2024-12-07 16:46:43

AON6786-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### AON6786-VB 產(chǎn)品簡介AON6786-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高漏極電流和高性能特性，適合應(yīng)對高電流和高效能要求的電源管理

2024-12-07 16:48:22

AON6788-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、AON6788-VB 產(chǎn)品簡介AON6788-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，設(shè)計用于要求高效能和高電流承載能力的功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)

2024-12-07 16:53:00

AON6790-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介**AON6790-VB** 是一款單N-溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，封裝為DFN8(5X6)。它具有極低的導(dǎo)通電阻和高達(dá)120A的最大漏極電流承載能力，適合需要

2024-12-07 16:54:24

AON6906-VB一款Half-Bridge-N+N溝道DFN8(5X6)-C的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6906-VB** 是一款半橋式雙N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝為DFN8(5X6)-C。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適用于需要高效能和低損耗的半

2024-12-07 16:57:04

AON6912-VB一款Half-Bridge-N+N溝道DFN8(5X6)-C的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**AON6912-VB** 是一款高性能半橋N+N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)-C封裝。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適合需要高效能和高功率密度的電源管理和開關(guān)

2024-12-07 17:03:29

AON6920-VB一款Half-Bridge-N+N溝道DFN8(5X6)-C的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### AON6920-VB 產(chǎn)品簡介AON6920-VB是一款半橋N+N溝道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)-C封裝。該器件設(shè)計用于高效能的功率開關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻、高漏極電流和優(yōu)異

2024-12-07 17:05:27

AON6932-VB一款Half-Bridge-N+N溝道DFN8(5X6)-C的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、AON6932-VB 產(chǎn)品簡介AON6932-VB是一款半橋N+N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)-C封裝，專為高效能功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用而設(shè)計。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載

2024-12-07 17:09:12

AP1203GMT-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### AP1203GMT-VB 產(chǎn)品簡介AP1203GMT-VB是一款單N溝道MOSFET，封裝形式為DFN8(5X6)，采用溝槽工藝技術(shù)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高漏源極電流能力，適合需要

2024-12-16 15:37:25

AP4024GEMT-HF-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介AP4024GEMT-HF-VB是一款單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（N-Channel MOSFET），采用DFN8(5X6)封裝。該型號MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和高電流

2024-12-18 16:00:02

AP4439GMT-HF-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介AP4439GMT-HF-VB是一款單P溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和優(yōu)異的開關(guān)特性，適合用于要求高效率和可靠性的電子設(shè)備

2024-12-19 14:51:29

AP85U03GMT-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介**AP85U03GMT-VB** 是一款單N-Channel MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝。它具有極低的導(dǎo)通電阻和高達(dá)120A的漏極電流承載能力，適用于高功率密度

2024-12-21 16:04:12

AP93T03AGMT-HF-VB一種DFN8(5X6)封裝Single-N-Channel場效應(yīng)管

### 產(chǎn)品簡介AP93T03AGMT-HF-VB 是一款單通道N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，具有優(yōu)異的功率管理性能和高效率。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **封裝類型**：DFN

2024-12-23 15:31:01

AP9410GMT-HF-VB一種DFN8(5X6)封裝Single-N-Channel場效應(yīng)管

### 產(chǎn)品簡介AP9410GMT-HF-VB 是一款單通道N溝道MOSFET，采用DFN8(5X6)封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流特性，適用于要求高效能和高功率密度的電源管理和功率控制

2024-12-23 16:09:04

APM4354KPC-TRL-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 1. 產(chǎn)品簡介：APM4354KPC-TRL-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造，封裝為 DFN8(5X6)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力

2024-12-31 11:12:19

APM4356KPC-TRL-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 1. 產(chǎn)品簡介APM4356KPC-TRL-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。其封裝為 DFN8(5X6

2024-12-31 11:13:35

創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80％

創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80% 　　德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個采用封裝頂部散熱的標(biāo)

2010-03-01 11:37:22

1113

AOS推出超薄DFN3X3封裝功率MOSFET

日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。

2012-05-28 11:30:24

3028

WSD30L120DN56 P DFN5X6-8 -30V -1

WSD30L120DN56 P DFN5X6-8 -30V -120A

2017-07-29 10:24:54

WSD30150DN56 N DFN5X6-8 30V 150A

WSD30150DN56 N DFN5X6-8 30V 150A

2017-07-29 10:15:16

WSD75100DN56 N DFN5X6-8 75V 100A

WSD75100DN56 N DFN5X6-8 75V 100A

2017-07-29 10:09:03

WSD2010DN25 N+N DFN2X5-6 20V11A

WSD2010DN25 N+N DFN2X5-6 20V11A

2017-07-28 14:43:08

東芝的創(chuàng)新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance

電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。

2018-04-04 11:02:02

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新型封裝組件DFN3030-10B冷卻柱形,具有高散熱性

特瑞仕半導(dǎo)體株式會社，于2018年7月舉行了冷卻柱形新型封裝組件DFN3030-10B的首次出廠儀式。

2018-08-25 11:11:26

5342

DFN-2L封裝ESD二極管型號介紹

DFN封裝，相對來說，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產(chǎn)品中，DFN封裝很常見，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN

2021-08-16 17:12:35

4254

DFN8、5 x 6 mm、雙旗板的板安裝說明

DFN8、5 x 6 mm、雙旗板的板安裝說明

2022-11-14 21:08:08

雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創(chuàng)新

封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱（double-sided cooling， DSC）功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱（single-sided cooling， SSC）功率模塊具有更強的散熱能力和更低的寄生參數(shù)

2023-03-02 16:04:27

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KUU MOS管 K070N060N DFN5x6-8L

MOS場效應(yīng)管DFN5x6-8L60V80A

2022-09-23 17:59:38

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。

2024-01-26 18:25:15

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