商用車電驅(qū)動SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國
2026-01-03 17:30:48
247 威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451192 
威兆半導(dǎo)體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-30 11:59:2796 
通（Broadcom）的ASM3-Sxx2-NxxxH 3W 3535表面貼裝LED，看看它有哪些獨特的魅力。 文件下載： Broadcom ASM3x 3W 3535表面貼裝LED.pdf 一、產(chǎn)品概述 博
2025-12-30 11:50:06198 威兆半導(dǎo)體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220SF封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-29 09:53:44107 
幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中，可靠地驅(qū)動MOSFET或IGBT，簡化設(shè)計并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性：
高壓與小封裝集成：支持最高200V的母線電壓，采用超緊湊的DFN3x3-8封裝，顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
威兆半導(dǎo)體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TDFN3x3.3封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-25 16:22:10115 
探索P3H244x/P3H284x I3C Hub：多端口連接的理想之選 在電子設(shè)備設(shè)計中，高效的總線連接和靈活的端口配置至關(guān)重要。NXP Semiconductors推出的P3H244x
2025-12-24 10:20:02167 威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3x3封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型
2025-12-23 11:22:46175 
威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-18 17:42:57173 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3603GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-18 17:33:59125 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3522AA4是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN22x6.5-8L封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-18 17:24:48475 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18205 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15161 威兆半導(dǎo)體推出的VS3612GP是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-16 11:33:14198 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-15 10:49:09204 
DFN3x3-8的小封裝?，F(xiàn)在很多設(shè)計都在往小型化、高密度走，PCB空間寸土寸金，這種小封裝優(yōu)勢就體現(xiàn)出來了，能省下不少布局空間。性能參數(shù)：
耐壓高：支持最高200V的母線電壓，VCC工作范圍10V-20V，通用性
2025-12-13 08:41:39
威兆半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-12 15:36:26245 ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-11 15:36:26280 威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-11 10:52:20289 威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型
2025-12-10 14:53:13275 威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-10 11:48:31227 ，抗干擾性強，適用于噪聲環(huán)境復(fù)雜的工業(yè)場景。
產(chǎn)品優(yōu)勢：為什么選擇SiLM2026EN-DG？
極致小型化：DFN3×3封裝面積僅9mm2，極大節(jié)省PCB空間，適合對體積敏感的機器人關(guān)節(jié)、便攜醫(yī)療設(shè)備等
2025-12-09 08:35:20
在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-08 16:38:38548 
威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-08 10:59:34252 在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能對整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NVMJST1D3N04C 這款 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
2025-12-05 14:56:45308 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性對電路設(shè)計起著至關(guān)重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，它在多個方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著各種電力系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F這款N溝道、D2PAK - 7L封裝的650V MOSFET。
2025-12-02 11:24:34426 
CMOS技術(shù)，在僅3mm x 3mm的DFN-8超小封裝內(nèi)，實現(xiàn)了高達(dá)200V的工作電壓、290mA/600mA的驅(qū)動能力以及完善的保護(hù)功能。這使其成為機器人關(guān)節(jié)伺服驅(qū)動、精密醫(yī)療器械電源、緊湊型工業(yè)
2025-12-02 08:22:11
在電子設(shè)備的設(shè)計中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
2025-11-28 14:03:45181 
在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著各類電子設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFS3D0N08X 這款 N 溝道功率 MOSFET，剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場景。
2025-11-28 09:35:55330 在現(xiàn)代電子設(shè)備向高效、緊湊與高頻化發(fā)展的趨勢下，電路設(shè)計面臨著小空間內(nèi)處理高功率負(fù)載的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。南山電子代理品牌光頡科技推出的TR50系列TO-220封裝功率電阻器，以其獨特的封裝、卓越的功率處理能力和高頻特性，為現(xiàn)代電源與脈沖電路提供了理想的解決方案。
2025-11-20 14:02:44277 
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測量，實際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
電流的非對稱設(shè)計
3.精準(zhǔn)同步：雙通道間僅2ns延時匹配
4.寬壓工作：4.5V-20V單電源供電范圍
5.增強可靠：-5V負(fù)壓承受能力，輸入懸空保護(hù)
6.緊湊設(shè)計：DFN3x3-8封裝，優(yōu)化空間利用
2025-11-18 08:19:33
在開關(guān)電源、UPS系統(tǒng)、工業(yè)自動化控制器等電力電子設(shè)備中，功率電阻器扮演著不可或缺的角色。光頡科技推出的TR50-RF系列厚膜功率電阻，憑借TO-220封裝的優(yōu)良散熱特性和高達(dá)50W的功率處理能力
2025-11-11 11:57:54240 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機驅(qū)動（電動工具
2025-11-11 09:34:34187 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設(shè)備、電池
2025-11-11 09:29:03206 講解雷卯PESD3V3X4UHM是一款3.3V低鉗位電壓的ESD二極管，封裝為DFN1309-6L。PESD3V3X4UHM可以完全替代替代Nexperia安世(PESD3V3X4UHM)。參數(shù)對比列表如下：Parameter（參數(shù)）PES
2025-11-05 21:04:30455 
在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實用化的N溝道MOS管，以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝
2025-11-05 16:15:44304 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP3T 高功率天線調(diào)諧開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP3T 高功率
2025-10-30 18:30:43
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景，以低導(dǎo)通損耗
2025-10-24 15:59:53537 
一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內(nèi)，適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流等對空間與性能
2025-10-24 11:14:37282 MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場景，以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點。一
2025-10-24 10:22:08296 TO-220封裝，既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性，又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸，在工業(yè)控制、消費電子、備用電源等中小型功率場景中實
2025-10-21 11:38:20301 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機驅(qū)動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機。
2025-10-10 11:22:27700 XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺，專為電動汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動等高要求應(yīng)用設(shè)計。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
### 產(chǎn)品簡介 - IR9331-VB MOSFETIR9331-VB 是一款 DFN8 (3x3) 封裝的單通道 P 型 MOSFET，設(shè)計用于高效的開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具備 -30V
2025-09-02 15:53:59
### IR3707-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介IR3707-VB 是一款單一 N 溝道的 MOSFET，采用 DFN8 (3x3) 小封裝設(shè)計，具有高效的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻。其主要特點包括
2025-09-02 15:42:42
]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-09-01 16:33:492081 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優(yōu)勢 頂面散熱設(shè)計 熱管理優(yōu)化
2025-08-10 15:11:061220 
。故障保護(hù)包括逐周期限流保護(hù)和過溫保護(hù)。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封裝，最大限度地減少了現(xiàn)有外部元器件的使用。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
1.2A 峰值輸出電流
0.35Ω 內(nèi)部功率
2025-08-06 19:07:40
：DFN3x3-8
SiLM27213EK-DG：DFN4x4-8 SiLM27213EZ-DG：DFN3x3-10 SiLM27213LCB-DG：SOP8-EP
SiLM27213LCA-DG：SOP8
2025-07-05 08:55:40
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源極朝下（Source Down）封裝技術(shù)
2025-06-18 15:18:491438 
作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500 
上海雷卯推出兩款5V，小封裝（DFN1006和DFN0603），帶回掃，低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極管電性參數(shù)圖如下：我們可以看到，普通的ESD是隨著IPP
2025-05-23 16:16:19877 ”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
輸入電壓高于、低于或等于輸出電壓 的全工況下穩(wěn)定運行，無需外部電路切換模式。LTM4693內(nèi)部集成了開關(guān)控制器、功率 MOSFET、電感器及所有支持組件，形成完整的電源解決方案，顯著簡化系統(tǒng)設(shè)計并提
2025-05-13 09:45:09
日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728 
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），單電源電壓為+5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面，對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc（典型值）。
2025-04-17 11:21:29996 
方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD17581Q3A ? 類型 ?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低柵極電荷（Q_g）、低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、
2025-04-16 11:25:34775 
/1.5A電源開關(guān)提供高達(dá)6W的輸出功率。PC4401具有欠壓鎖定（UVLO）功能)短路保護(hù)（SCP）及以上溫度保護(hù)（OTP）以幫助設(shè)備安全可靠地運行。PC4401采用5引腳TSOT-23封裝。特征:?3V至
2025-04-08 10:43:00
)封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
功率損耗：50mW。
封裝尺寸
80mm x 53mm x 19mm。
應(yīng)用領(lǐng)域
電動汽車充電站：CAB450M12XM3模塊適用于高功率的快速充電設(shè)備，其高開關(guān)頻率和低損耗特性能夠滿足電動汽車快速充電
2025-03-17 09:59:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD0502L DFN1006-3L ESD保護(hù)器件規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 17:32:15
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2025-03-13 17:10:400 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出兩款先進(jìn)的表面貼片封裝選項，擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的高功率MOSFET產(chǎn)品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:564323 
IU5516具備直通跟隨模式，DFN2X2_6L封裝，低功耗3μA，1M@2.0A降壓穩(wěn)壓器
2025-03-02 20:26:17744 
適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計，TI以QFN 12x12格式封裝的新型LMG342x GaN功率級產(chǎn)品可以完全滿足高功率（>3 kW）轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需求。
2025-02-25 10:36:391037 
）超薄ePOP4x，實現(xiàn)了更精簡的穿戴物理布局。超薄封裝、高集成度設(shè)計穿戴設(shè)備更極致的空間利用最大厚度0.6mm(max)|64GB+16Gb與標(biāo)準(zhǔn)存儲方案相比，e
2025-02-20 17:31:571229 
特點AON7296采用溝槽MOSFET技術(shù)獨特優(yōu)化，提供最高效的高頻率切換性能。傳導(dǎo)和由于RDS（ON）、Ciss和Coss的組合極低。該設(shè)備非常適合升壓轉(zhuǎn)換器和同步用于消費類、電信、工業(yè)電源的整流器LED背光
2025-02-17 10:41:59
基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動功能及過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz，適用于給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
2025-01-15 10:22:362630 
### 產(chǎn)品簡介**BSZ900N20NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），采用DFN8(3X3)封裝。該MOSFET采用溝槽（Trench）技術(shù)，具有較高的耐壓能力
2025-01-10 16:20:48
### 一、產(chǎn)品簡介**型號：BSZ340N08NS3 G-VB**- **封裝類型**：DFN8 (3x3)- **配置**：單N溝道MOSFET- **技術(shù)**：溝槽式BSZ340N08NS3
2025-01-10 16:00:37
應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），采用緊湊的DFN8（3x3 mm）封裝。它使用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具備低導(dǎo)通電
2025-01-10 15:59:16
封裝在緊湊的DFN8（3x3）封裝中，適用于空間受限的應(yīng)用。BSZ22DN20NS3 G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻，能夠滿足各
2025-01-10 15:58:00
### 產(chǎn)品簡介**BSZ16DN25NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽（Trench）技術(shù)，具備較高的耐壓能力和較低
2025-01-10 15:42:55
### 一、產(chǎn)品簡介**型號：BSZ12DN20NS3 G-VB**- **封裝類型**：DFN8 (3x3)- **配置**：單N溝道MOSFET- **技術(shù)**：溝槽式BSZ12DN20NS3
2025-01-10 15:35:43
管理應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有-30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），采用緊湊的DFN8（3x3 mm）封裝，非常適合空間受限的設(shè)計需求。它使
2025-01-10 15:34:32
采用DFN8（3x3）封裝，尺寸小巧，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。BSZ120P03NS3 G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的功率處理能力，能夠滿足
2025-01-10 15:33:21
### 一、BSZ110N06NS3 G-VB 產(chǎn)品簡介BSZ110N06NS3 G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。這款產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 15:32:04
### 產(chǎn)品簡介**BSZ100N06LS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽（Trench）技術(shù)，具有優(yōu)良的性能和低導(dǎo)通電
2025-01-10 15:29:22
### 一、BSZ0909NS-VB 產(chǎn)品簡介BSZ0909NS-VB 是一款先進(jìn)的單N溝道MOSFET，采用DFN8 (3x3)封裝。它結(jié)合了現(xiàn)代Trench技術(shù)，提供卓越的電性能。憑借其低導(dǎo)通電
2025-01-10 15:24:28
應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），采用緊湊的DFN8（3x3 mm）封裝，適用于空間受限的設(shè)計。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)使其
2025-01-10 15:20:03
單極P溝道MOSFET封裝在緊湊的DFN8（3x3）封裝中，非常適合空間受限的應(yīng)用。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)確保了低導(dǎo)通電阻和高效能，使其在各種功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。#
2025-01-10 15:16:59
### 產(chǎn)品簡介**BSZ086P03NS3 G-VB** 是一款高性能單P溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)制造，封裝形式為DFN8(3x3)。該MOSFET設(shè)計用于負(fù)電壓、高電流應(yīng)用，具有
2025-01-10 15:15:32
### 產(chǎn)品簡介**型號**: BSZ076N06NS3 G-VB **封裝**: DFN8 (3x3) **配置**: 單N溝道MOSFET **技術(shù)
2025-01-10 15:13:11
### 產(chǎn)品簡介BSZ042N04NS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8 (3x3)。它具備高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，適合用于高效電源管理和開關(guān)
2025-01-10 14:59:17
**1. 產(chǎn)品簡介：**BSZ040N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 14:57:55
### 產(chǎn)品簡介**型號**: BSZ019N03LS-VB **封裝**: DFN8 (3x3) **配置**: 單N溝道MOSFET **技術(shù)**: 溝槽型
2025-01-10 14:53:08
### 產(chǎn)品簡介**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，具備高耐壓
2025-01-09 11:03:46
### 產(chǎn)品簡介BSC360N15NS3 G-VB 是一款高電壓 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。它能夠承受高達(dá) 150V 的漏源電壓，并提供穩(wěn)定的電流處理能力，適合
2025-01-09 10:53:43
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過電壓保護(hù)開關(guān)，電池充放電開關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182 楷登電子(Cadence)公司近日宣布，正式推出新一代Cadence? Palladium? Z3 Emulation和Protium? X3 FPGA原型驗證系統(tǒng)。這一組合標(biāo)志著數(shù)字孿生
2025-01-07 13:48:201849
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