91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BSZ16DN25NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSZ16DN25NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSZ16DN25NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽(Trench)技術,具備較高的耐壓能力和較低的導通電阻,專為高電壓、高功率應用設計。該MOSFET廣泛應用于電源管理、開關電路及其他需要高電壓和高電流處理的場景。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: BSZ16DN25NS3
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單極N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓(V_DS)**: 250V
- **柵極-源極耐壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 3.5V
- **導通電阻(R_DS(ON))**: 125mΩ(在V_GS = 10V時)
- **漏極電流(I_D)**: 10.3A
- **技術**: 溝槽(Trench)

### 應用領域及模塊示例

**1. 高壓電源管理:**  
BSZ16DN25NS3 具有高達250V的漏極-源極耐壓,使其非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng)。這款MOSFET可以在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,廣泛應用于AC-DC轉換器、DC-DC轉換器和電源開關模塊。

**2. 工業(yè)設備:**  
在工業(yè)設備中,如電機驅動系統(tǒng)和電源保護電路,BSZ16DN25NS3 提供可靠的高電壓開關能力。它能夠在高功率條件下高效工作,確保設備的穩(wěn)定性和安全性。

**3. 電池管理系統(tǒng):**  
這款MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中用于高電壓應用時,能夠提供可靠的開關性能和過流保護。例如,它可以用于電池充電和放電控制,確保電池在高電壓環(huán)境下的安全和有效操作。

**4. 逆變器和變換器:**  
在逆變器和變換器模塊中,BSZ16DN25NS3 的高耐壓和低導通電阻特性使其成為理想選擇。它能夠有效地管理和轉換電力,保證系統(tǒng)的高效運行。

**5. 汽車電子系統(tǒng):**  
在汽車電子系統(tǒng)中,這款MOSFET 適用于高電壓的開關和保護應用,如電池保護和高壓負載開關。它的高電壓處理能力和穩(wěn)定性使其適合于汽車環(huán)境中的苛刻條件。

BSZ16DN25NS3 的這些應用示例展示了其在不同領域中的廣泛適用性,特別是在高電壓和高功率環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    426瀏覽量