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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): P2804EDG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P2804EDG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P2804EDG-VB是一款高效能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為中高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏極-源極電壓(VDS)為40V,能夠支持高達(dá)55A的漏極電流(ID),使其成為高效電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)的理想選擇。該器件的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為14mΩ@VGS=4.5V和12mΩ@VGS=10V)以及Trench技術(shù)設(shè)計(jì),確保了在開(kāi)關(guān)過(guò)程中低能耗和高效率,是現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要組件。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: P2804EDG-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N-Channel
- **VDS**: 40V
- **VGS**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **RDS(ON)**:
 - @ VGS = 4.5V: 14mΩ
 - @ VGS = 10V: 12mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 55A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: P2804EDG-VB非常適用于開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠提供高效的電流控制,提高系統(tǒng)的整體效率,減少能量損耗。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**: 在各種電子產(chǎn)品中,該MOSFET可用作負(fù)載開(kāi)關(guān),確保設(shè)備在不同操作狀態(tài)下可靠切換,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備。

3. **馬達(dá)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,P2804EDG-VB可以實(shí)現(xiàn)高效的驅(qū)動(dòng),適用于電動(dòng)工具和家電產(chǎn)品,提供強(qiáng)勁的啟動(dòng)和運(yùn)行能力。

4. **LED驅(qū)動(dòng)電源**: 該器件也適用于LED驅(qū)動(dòng)電源,為照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電流,確保LED燈的高亮度和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

5. **音頻放大器**: 在音頻功率放大器中使用,可以提高信號(hào)的傳輸效率,改善音質(zhì)表現(xiàn),適合高保真音響設(shè)備。

憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的適用性,P2804EDG-VB在多個(gè)行業(yè)中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

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