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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P2904BDG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
P2904BDG-VB是一款高效能的單通道N型MOSFET,采用TO252封裝,專為低壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)特性和高漏電流能力,使其在電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,是現(xiàn)代電子設(shè)備中常見的關(guān)鍵組件。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N型
- **最大漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 14mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**:55A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域與模塊
P2904BDG-VB廣泛應(yīng)用于各類電源管理系統(tǒng),例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng),其能夠承受高達(dá)40V的漏源電壓,使其在這些應(yīng)用中具有良好的穩(wěn)定性。此外,該MOSFET適合用于電機(jī)驅(qū)動、LED照明和消費(fèi)電子產(chǎn)品,因其低導(dǎo)通電阻可以顯著提高系統(tǒng)效率,降低能量損失和發(fā)熱。

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