本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:00
2983 
英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2012-07-15 01:23:461633 什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個(gè)門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:013657 【 2024 年 11 月 20 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G
2024-11-20 18:27:291135 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?近日，英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列，并已經(jīng)開始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)生產(chǎn)產(chǎn)品系列樣品，包括高壓
2025-10-24 09:12:119041 3G無線基站技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化第三代(3G)無線基礎(chǔ)設(shè)施將實(shí)現(xiàn)真正的移動(dòng)接入互聯(lián)網(wǎng)并大幅提高新網(wǎng)絡(luò)的語音容量?，F(xiàn)在還需要進(jìn)一步技術(shù)開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化，以降低成本和推進(jìn)3G基站收發(fā)信臺(tái)的部署工作。 [hide][/hide]
2009-12-12 10:08:40
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管之間的差異性：就三極
管，mos
管和可控
硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。。?/div>
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
硅NPN RF晶體管BFX89、BFY90，專為VHF/UHF放大器、振蕩器、轉(zhuǎn)換器應(yīng)用BFX89和BFY90硅NPN RF晶體管采用TO-72封裝方式封裝。它們的實(shí)物如圖1所示，專為VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)AGV需求市場(chǎng)80%-90%都是我們國(guó)內(nèi)AGV廠家自主提供的。AGV行業(yè)水平的提高，產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化不可少目前我國(guó)AGV市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)劇烈，同質(zhì)化嚴(yán)重，價(jià)格和質(zhì)量參差不齊，需要統(tǒng)一的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，形成一個(gè)
2017-10-10 11:00:43
EMC的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)有人匯總過嗎？想整理一下
2019-04-18 16:10:23
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
雙極晶體管MAPRST0912-50產(chǎn)品特性NPN硅微波功率晶體管金金屬化系統(tǒng)擴(kuò)散Emitter Ballasting Resistor高效數(shù)字化幾何寬帶C類操作共基極結(jié)構(gòu)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的密封金屬
2018-08-09 09:57:23
MRF1004MB硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF1004MB報(bào)價(jià)MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司
2018-08-09 10:01:09
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
`產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測(cè)試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
PROFIBUS 技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化1.PROFIBUS技術(shù)的由來2.現(xiàn)場(chǎng)總線歐洲標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)3.現(xiàn)場(chǎng)總線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) IEC 61158 的形成4.中國(guó)現(xiàn)場(chǎng)總線標(biāo)準(zhǔn)化工作的現(xiàn)狀 
2009-11-17 10:28:16
HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝，非常適合于。產(chǎn)品型號(hào): QPD1018產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍：2.7
2019-07-17 13:58:50
HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝，非常適合于軍用雷達(dá)。?產(chǎn)品型號(hào): QPD1018產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍
2018-07-27 09:06:34
W（p3db）寬帶GaN-on-SiC HEMT由DC至12 GHz和32v供電軌。該裝置是在一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3x3毫米QFN封裝，非常適合軍用和民用雷達(dá)、地面移動(dòng)和軍事無線電通信、航空電子設(shè)備
2018-07-25 10:06:15
購買標(biāo)準(zhǔn)的成本和費(fèi)用，為企業(yè)直接產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)效益。系統(tǒng)名稱：創(chuàng)智標(biāo)準(zhǔn)化信息網(wǎng)站管理系統(tǒng)系統(tǒng)價(jià)格：4998元 系統(tǒng)包含標(biāo)準(zhǔn)文檔數(shù)量：我們會(huì)根據(jù)客戶要求整理國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電子版本系統(tǒng)另外包括標(biāo)準(zhǔn)化模板：企業(yè)
2010-08-10 22:51:46
和 SF3E 工藝技術(shù)，從 FinFET 晶體管過渡到 GAA 晶體管。GAA 晶體管結(jié)構(gòu)允許電流流過水平堆疊的硅層，這些硅層四周均被材料包裹，從而減少漏電。這可以更好地控制性能和功耗，并實(shí)現(xiàn)更小
2025-06-20 10:40:07
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
硅雙向開關(guān)(SBS-雙向觸發(fā)晶體管) 硅雙向開關(guān)SBS（Silicon bidirectional Switch）也叫雙向觸發(fā)晶體管。它相當(dāng)于把兩只硅單向開關(guān)反極性并聯(lián)，等效電路
2009-04-26 13:27:24
的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時(shí)，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計(jì)的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動(dòng)IC以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)浣M合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件選型需求。
2019-10-18 06:23:59
的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于更常見的可視晶體管，如硅基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質(zhì)差，包括多晶結(jié)構(gòu)、低熱導(dǎo)率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中，遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52
功率設(shè)計(jì)通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅(qū)動(dòng)螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負(fù)載。 與使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比，達(dá)林頓晶體管設(shè)計(jì)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。該對(duì)中每個(gè)晶體管的增益相乘，從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
。中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)要整合資源、匯聚眾智，共同推動(dòng)量子通信標(biāo)準(zhǔn)化工作。一是標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)，支撐發(fā)展，盡快推出一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需、具有重要應(yīng)用和推廣價(jià)值的標(biāo)準(zhǔn)，支撐量子通信技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。二是勇于創(chuàng)新
2017-06-19 10:34:39
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國(guó)產(chǎn)管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國(guó)產(chǎn)管S一6封裝外形基本相同?！ ?b class="flag-6" style="color: red">采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2SD869
2008-06-17 14:42:50
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于硅晶體管模糊電路。除了標(biāo)準(zhǔn)的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外，Dirt Transmitter 還具有一個(gè) Bias 旋鈕，用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足，以獲得類似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
，導(dǎo)致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉。 截?cái)鄥^(qū)域特征如下所示： 圖3.截?cái)鄥^(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關(guān)
2023-02-20 16:35:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯
來自普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員制作出一種新型晶體管，所使用的材料有望取代硅，并且采用了立體結(jié)構(gòu)，而非傳統(tǒng)的平板結(jié)構(gòu)。這種
2011-12-08 00:01:44
【摘要】：無鉛工藝是一個(gè)技術(shù)涉及面極廣的制造過程,包涵設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備、工藝與可靠性等技術(shù)。因此,無鉛工藝的標(biāo)準(zhǔn)化工作需要全行業(yè)眾多和研究機(jī)構(gòu)的共同努力。工藝相關(guān)要素的標(biāo)準(zhǔn)化可以大大降低生產(chǎn)成本
2010-04-24 10:08:34
密鑰的跟蹤器。
我計(jì)劃使用 CPU 的硅 ID 作為 SAM 主密鑰，以便將它們綁定在一起
是否有為 SAM 創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法？
2023-05-18 14:53:23
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
，而且縮小器尺寸比運(yùn)用硅雙極結(jié)晶體管(SiBJT)或橫向分散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50% 封裝和供貨： 2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨，在密封的焊料密封封裝
2012-12-06 17:09:16
特性，我們將首先從GaN器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)開始介紹?！ ≌_設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝，這會(huì)將器件的柵極閾值電壓轉(zhuǎn)換
2021-01-19 16:48:15
英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263 硅晶體管與鍺晶體管的識(shí)別及區(qū)分方法
將萬用表撥至R×1k檔。對(duì)于PNP型管，黑表筆接發(fā)射極E，
2008-10-19 09:47:349620 
通過外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號(hào)判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產(chǎn)品治療說明或工具書中，常常只給晶體管的封裝代號(hào)，這些晶體管的引腳排列都是符合
2009-07-31 17:24:331979 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 3G標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展與市場(chǎng)發(fā)展
摘要：簡(jiǎn)要介紹了第三代移動(dòng)通信的發(fā)展歷程、主流技術(shù)特點(diǎn)和最新標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展，以及我國(guó)第三代移動(dòng)通
2009-12-14 16:39:13972 多晶硅發(fā)射極晶體管,多晶硅發(fā)射極晶體管是什么意思
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛
2010-03-05 11:08:271967 晶體管和可控硅的封裝形式
2010-03-05 15:07:342478 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172281 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對(duì)3CG120在不同溫度段的失效機(jī)理進(jìn)行了研究。通過對(duì)硅PNP型晶體管3CG120進(jìn)行170~340 ℃溫度范圍內(nèi)序進(jìn)應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)，發(fā)
2012-07-11 14:59:13
0 近年來相關(guān)部委和標(biāo)準(zhǔn)化組織都開展了標(biāo)準(zhǔn)制定工作。目前已經(jīng)發(fā)布實(shí)施的與LED產(chǎn)品相關(guān)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)共70余項(xiàng)、已立項(xiàng)或正在制定中的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)共50余項(xiàng)。
2012-09-17 15:47:011062 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號(hào)雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271582 當(dāng)前，5G進(jìn)程加速，投資規(guī)模將十分巨大，需要更好地發(fā)揮標(biāo)準(zhǔn)化工作在降低行業(yè)成本、支撐產(chǎn)業(yè)協(xié)同、推動(dòng)科技進(jìn)步方面的作用，也需要更好發(fā)揮中國(guó)鐵塔的統(tǒng)籌共享作用，深挖共享潛力，釋放共享紅利，快速經(jīng)濟(jì)高效地建設(shè)5G基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-05-17 09:54:571670 奚國(guó)華指出，通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化非常重要，我們見證了從2G、3G、4G到5G的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，從3G的多元化標(biāo)準(zhǔn)，4G兩元化標(biāo)準(zhǔn)，到5G世界統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，這是一個(gè)偉大的進(jìn)展。
2019-11-24 09:45:123263 1月9日，中國(guó)首批14項(xiàng)5G核心標(biāo)準(zhǔn)在中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)(CCSA)主辦的“5G標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布及產(chǎn)業(yè)推動(dòng)大會(huì)”上發(fā)布，這些5G標(biāo)準(zhǔn)涵蓋核心網(wǎng)、無線接入網(wǎng)、承載網(wǎng)、天線、終端、安全、電磁兼容等領(lǐng)域。
2020-01-14 09:46:111381 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD850-TO-3規(guī)格書
2021-12-15 10:05:111 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD905-TO-3規(guī)格書
2021-12-15 11:03:046 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1026-3PN規(guī)格書
2021-12-15 13:56:4410 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1027-3PN規(guī)格書
2021-12-15 13:59:126 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1435-3PN規(guī)格書
2021-12-17 09:46:109 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1559-3PN規(guī)格書
2021-12-18 09:19:5010 SPTECH硅NPN功率晶體管2SD1662-3PN規(guī)格書
2021-12-18 14:42:473 SPTECH硅NPN功率晶體管2N3771-TO-3規(guī)格書.pdf
2021-12-24 14:26:002 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC1226-220c3產(chǎn)品手冊(cè)
2022-03-10 15:39:404 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199 
SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2792-3PL手冊(cè)免費(fèi)
2022-06-14 11:17:241 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2792-3PN手冊(cè)免費(fèi)
2022-06-14 11:16:461 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2908-3PN英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-06-21 16:02:551 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PML英文手冊(cè)
2022-06-21 14:57:531 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PN英文手冊(cè)
2022-06-21 14:56:593 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3182N-3PN英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-06-24 15:06:231 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3281-3PN英文手冊(cè)
2022-06-23 15:37:060 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3306-3PI英文手冊(cè)
2022-06-22 16:47:450 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3527-3PML英文手冊(cè)
2022-07-27 16:14:432 英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項(xiàng)尖端硅技術(shù)與寬帶對(duì)應(yīng)技術(shù)相結(jié)合?；谑袌?chǎng)上已經(jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù)，英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案，這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:111675 
SPTECH硅NPN功率晶體管2SC3949-3pml英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:50:270 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC4059-3PN英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:23:240 SPTECH硅NPN功率晶體管2SC5352-3PN英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-09-29 14:22:250 研發(fā)激光電視之初，海信就積極推動(dòng)激光顯示產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)制定，截止目前，海信已累計(jì)推動(dòng)6項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，2項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和13項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的制定發(fā)布，是激光顯示標(biāo)準(zhǔn)的領(lǐng)跑者，充分彰顯出海信深耕激光顯示技術(shù)的決心與毅力，和共同奔赴消費(fèi)者體驗(yàn)科技進(jìn)步帶來的
2022-10-18 17:45:371340 
全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近期宣布了一項(xiàng)重要產(chǎn)品擴(kuò)展計(jì)劃，其備受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管（BJT）系列再添新成員。此次，Nexperia隆重推出了二十款新型
2024-09-03 14:28:571386 英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46840 
高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命，且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，詳細(xì)闡述了
2024-12-18 17:20:15840 英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44806 材料選擇從電氣、機(jī)械、尺寸精度等多維度深刻影響TNC連接器的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。德索精密工業(yè)通過優(yōu)質(zhì)材料的選用與精湛工藝，不斷推動(dòng)TNC連接器標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展，為各行業(yè)提供可靠、通用的連接解決方案。
2025-05-23 08:39:31479 
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472332 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052816 的光電晶體管，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3毫米通孔燈封裝。其獨(dú)特的黑色環(huán)氧樹脂封裝能夠過濾掉不需要的可見光，提供了±12度和±25度兩種半靈敏度角度選擇。 應(yīng)用領(lǐng)域 該產(chǎn)
2025-12-30 11:40:07195 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論