--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AM7411P-VB 產(chǎn)品簡介
AM7411P-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封裝,適用于高壓功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。其設(shè)計(jì)注重低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,能夠在高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定電源控制方面發(fā)揮重要作用。
### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: AM7411P-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 36mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -28A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源開關(guān)**: AM7411P-VB 可以用于各種電源開關(guān)應(yīng)用,特別是在需要高電壓和大電流承載能力的場合。例如,它可以用作電源開關(guān)以控制各種電子設(shè)備的電源供應(yīng)。
2. **電動(dòng)車充電器**: 在電動(dòng)車充電器中,這款 MOSFET 可以用于功率開關(guān)電路,確保高效的充電和電池管理。其高電壓承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高充電效率和安全性。
3. **直流-直流轉(zhuǎn)換器**: 在需要進(jìn)行高效率電能轉(zhuǎn)換的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,AM7411P-VB 可以用作輸出端的功率開關(guān),幫助提供穩(wěn)定的輸出電壓和電流。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)或其他高功率設(shè)備的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量轉(zhuǎn)換。
5. **電源逆變器**: AM7411P-VB 也適用于電源逆變器,用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,如太陽能逆變器或UPS(不間斷電源)系統(tǒng)中的功率開關(guān)控制。
通過以上應(yīng)用示例,可以看出 AM7411P-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,適用于需要高電壓、高電流處理和低導(dǎo)通電阻的各種電源管理和功率控制場合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛