91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

35P03-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 35P03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào)**: 35P03-VB

**封裝類型**: DFN8(5X6)

**產(chǎn)品概述**: 35P03-VB是一款單P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),具有負(fù)向漏源電壓(-30V)特性。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性,適用于各種負(fù)向電壓功率控制和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 7.8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -60A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**領(lǐng)域:**
1. **電源管理**: 35P03-VB適用于負(fù)向電壓電源管理應(yīng)用,如負(fù)向電源開關(guān)和逆變器。
2. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,適用于負(fù)向電源管理和控制。
3. **工業(yè)控制**: 由于其負(fù)向漏源電壓特性,該器件適用于負(fù)向電壓工業(yè)控制系統(tǒng)。

**模塊:**
1. **負(fù)向電源管理**: 在負(fù)向電源管理模塊中,35P03-VB可作為功率開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的負(fù)向電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。
2. **汽車電子控制器**: 在汽車電子控制器中,可用于負(fù)向電源管理和控制,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
3. **逆變器**: 在負(fù)向電壓逆變器中,提供高功率輸出,適用于各種負(fù)向電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng),提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。

綜上所述,35P03-VB MOSFET憑借其負(fù)向漏源電壓、低導(dǎo)通電阻和高可靠性,能夠滿足不同負(fù)向電壓電子系統(tǒng)的需求,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    501瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量