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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231045

顛覆能效極限!BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng)

顛覆能效極限!基本股份BASiC SiC MOSFET工業(yè)模塊——重新定義高端電力電子系統(tǒng) 在光伏逆變器呼嘯而轉(zhuǎn)、超級充電樁極速賦能、工業(yè)焊機火花飛濺的背后,一場由碳化硅技術(shù)引領(lǐng)的能源革命正悄然爆發(fā)
2025-07-08 06:29:15543

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28492

傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞:1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)顯著進步,具體體現(xiàn)在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機驅(qū)動新紀元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢,成為理想選擇。基本半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊,憑借其高性能與高可靠性,為盤式電機驅(qū)動器帶來革新突破。
2025-06-19 16:59:06729

SiC碳化硅MOSFET時代的驅(qū)動供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-19 16:57:201228

SiC MOSFET模塊的損耗計算

為了安全使用SiC模塊,需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對IGBT,MOSFET可以反向?qū)?,即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:464438

SiC MOSFET計算損耗的方法

本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進行分割,并使用近似公式計算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:052161

碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-09 17:22:53859

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET
2025-06-08 11:13:471096

硅基時代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當效率差距跨越臨界點,IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03932

SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題

在電力電子領(lǐng)域,當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432259

SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值

基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值 隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)式增長,傳統(tǒng)UPS供電方案因效率低、損耗
2025-05-23 06:50:441167

東芝推出新型650V第3SiC MOSFET

”。這些器件配備其最新的[1]第3SiC MOSFET技術(shù),并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901

國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:081323

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-05-10 13:38:19860

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動板不僅是SiC MOSFET的“智慧大腦”,更是電力電子系統(tǒng)邁向高效與可靠的核心
2025-05-06 10:54:02730

國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)

Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
2025-05-05 12:01:57538

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案

34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiCMOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子
2025-05-04 09:42:31740

電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊SiC驅(qū)動雙龍出擊

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商
2025-05-03 15:29:13628

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561

SiC(碳化硅)模塊設(shè)計方案在工商業(yè)儲能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代
2025-04-30 14:30:531035

SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計注意事項

柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵,設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計、驅(qū)動電阻選擇、死區(qū)時間等注意事項。
2025-04-24 17:00:432034

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案

SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
2025-04-21 09:21:56870

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域,SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計和開發(fā)企業(yè),近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計,以滿足
2025-04-17 11:23:54723

BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊

對高性能、高穩(wěn)定性功率模塊的核心需求。BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊,主要基于以下產(chǎn)品力: 1. 基本股份SiC功率模塊BMF240R12E2G3卓越的電氣性能 高耐壓與低導(dǎo)通損耗 電壓等級1200V,適用于高壓直流母線(如900V)場景,覆蓋
2025-04-14 18:31:53770

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC MOSFET模塊通過高效率、高頻化、高溫
2025-04-12 13:23:05799

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiCMOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

碳化硅(SiCMOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

SiC MOSFET的動態(tài)特性

本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準確性。
2025-03-26 16:52:161889

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-12 15:53:221531

SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點

碳化硅(SiCMOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲能變流器(PCS)等高功率、高頻應(yīng)用場景中矛盾尤為突出。在儲能變
2025-03-09 06:44:311465

瞻芯電子推出2000V SiC 4升壓功率模塊

日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。
2025-03-01 09:27:101307

基于國產(chǎn)SiC模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計

傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊
2025-02-23 16:56:521100

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于
2025-02-21 11:24:201803

Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費下載
2025-02-13 17:21:182

BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項

在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiCMOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術(shù)細節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢和技術(shù)注意事項兩方面進行深度分析: 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58829

高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳
2025-02-10 09:41:151009

5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢,并做損耗仿真計算: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC
2025-02-10 09:37:55745

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾
2025-02-09 20:17:291126

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

MOSFET(U-MOSFET)作為新一代功率器件,近年來備受關(guān)注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001995

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅(SiCMOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性,并通過對比硅基MOSFET和IGBT,闡述其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002733

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

驅(qū)動Microchip SiC MOSFET

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費下載
2025-01-21 13:59:122

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572638

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042

國產(chǎn)SiC MOSFET,正在崛起

來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)??梢?,SiC這一市場在汽車領(lǐng)域頗有潛力。 不過,近幾年國內(nèi)SiC
2025-01-09 09:14:05976

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