應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。 ? 上一篇我們先就SiC MOSFET的驅(qū)動電壓做了一定的分析及探討（SiC設(shè)計分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討）。本
2022-06-16 07:00:00
109963 
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于
2022-07-07 09:55:003147 
? ? 隨著制備技術(shù)的進步，碳化硅（SiC）器件與模塊，在需求的不斷拉動下，成本逐年降低， 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用得到了極大的加速。其中，新能源汽車，可再生能源，儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展實力尤其不容小覷
2022-05-30 07:00:008698 
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-06-16 15:12:097393 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-07-30 09:42:124693 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:262551 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，進而縮短產(chǎn)品的設(shè)計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身
2022-08-01 14:39:003733 
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，進而縮短產(chǎn)品的設(shè)計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身
2022-08-30 09:31:001740 
創(chuàng)新及革命性的技術(shù)為各種應(yīng)用帶來顯著的功率效率。第三代半導(dǎo)體主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的先進電子器件，其器件與模塊應(yīng)用范圍，涵蓋開關(guān)電源充電器和適配器、伺服電源、太陽光伏逆變器、軌道交通、新能源汽車驅(qū)動
2022-11-17 15:28:073911 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在當前的儲能系統(tǒng)中，尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時，寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC（碳化硅）正越來越受到青睞，因為這種材料相對于傳統(tǒng)的IGBT（硅基絕緣柵雙極型晶體管
2024-04-29 01:12:004832 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）當前，SiC芯片已經(jīng)在儲能系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用，并且發(fā)展呈現(xiàn)出快速增長的趨勢，其技術(shù)優(yōu)勢和市場潛力逐漸顯現(xiàn)。 ? SiC材料憑借其寬禁帶特性，在高溫、高壓和高頻場景下表
2025-05-12 09:18:535904 半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來隨著電力電子技術(shù)在電動汽車、風力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。例如，自六年前Digi-Key首次發(fā)布以來，即使SiC MOSFET價格仍然高出2-3倍，TO-247中1200 V，80mΩ器件的價格也下降了80％以上。比類似的硅IGBT。在今天的價格水平上，設(shè)計人
2023-02-27 13:48:12
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
進行半導(dǎo)體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
推動電網(wǎng)柔性半導(dǎo)體化進程，SiC器件在新型電力系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。在可預(yù)見的未來，電力電子器件將向高頻、高效、高功率密度方向快速發(fā)展?！ ≡陔娏?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)領(lǐng)域，隨著對高電壓、大電流SiC器件需求的不斷增長
2023-02-27 14:22:06
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
/電子設(shè)備實現(xiàn)包括消減待機功耗在內(nèi)的節(jié)能目標。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生的能耗是當務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進行了性能測試和環(huán)境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強等特點。
2019-08-12 06:59:10
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。
2019-07-30 06:18:11
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
標準的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標準和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：風電伺服驅(qū)動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動器的開發(fā)，是一個國產(chǎn)化項目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
`項目名稱：光伏儲能逆變器開發(fā)試用計劃：采用SiC器件替代Si器件，開發(fā)逆變器產(chǎn)品`
2020-04-24 18:13:51
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設(shè)計——功率子模塊驅(qū)動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學習和開發(fā)經(jīng)驗，曾設(shè)計過基于半橋級聯(lián)型拓撲的儲能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
器件的溫升
綜上，SiC SBD無反向恢復(fù)、能并聯(lián)使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優(yōu)勢。沒有反向恢復(fù)，減小反向恢復(fù)帶來的開關(guān)損耗從而提高系統(tǒng)效率，同時避免反向恢復(fù)引起的振蕩，改善系統(tǒng)
2023-10-07 10:12:26
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
對市場驅(qū)動因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄嶋H設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
成本方面，采用新技術(shù)可以為汽車制造商節(jié)省很多金錢。” 他的理由是：當采用SiC時，開關(guān)頻率可以設(shè)計得更高，這將提高器件的能效，降低無源元件的尺寸和成本，因為無源器件在應(yīng)用系統(tǒng)總成本中占比很高。此外，當
2023-02-27 14:28:47
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國內(nèi)第一個SiCMOSFETt31。器件最大跨導(dǎo)為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
功率器件提高了應(yīng)用能效，同時也提高了工作溫度。從項目的角度看，熱動力汽車向混動汽車和最終的電動汽車發(fā)展，需要使用高效的先進的電子產(chǎn)品，我們預(yù)計碳化矽技術(shù)在新車中的應(yīng)用將會對經(jīng)濟產(chǎn)生積極的影響。
2019-06-27 04:20:26
100 kW的1500 VDC電站級串式逆變器將占有90%以上的市場份額。它們代表了采用創(chuàng)新多電平拓撲結(jié)構(gòu)的新型高密度SiC/GaN功率開關(guān)的測試基準。電動汽車 (EV) 和儲能系統(tǒng) (ESS) 等顛覆性
2018-10-22 17:01:41
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:006667 富昌電子+阿里巴巴發(fā)力,富昌電子擁有電子元器件行業(yè)最大的可銷售庫存，為確保網(wǎng)站數(shù)據(jù)信息全部打通，富昌電子與阿里巴巴就數(shù)據(jù)對接、系統(tǒng)流程等問題進行了反復(fù)溝通，希望能給在線采購用戶帶去來自富昌電子一貫的優(yōu)質(zhì)采購體驗。
2018-07-26 06:52:002608 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
隨著互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展，電子元器件分銷行業(yè)正經(jīng)歷變革，分銷商們也在不斷探索新的出路，紛紛開辟自己的電商平臺。作為世界前三的電子元器件分銷商，富昌電子更是在推出自己全新的中國區(qū)官網(wǎng)之后，又和阿里巴巴超級店合作
2018-08-21 10:30:006759 電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電樁
2021-08-13 18:16:278493 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-09-28 09:29:091656 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:231598 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102964 送上一場SiC技術(shù)直播： （掃碼免費預(yù)報名） 這可是在2023年， 即將大放異彩的 SiC！ 而其中，儲能（ESS）和新能源汽車則是助力SiC高速發(fā)展的兩大賽道。 在即將過去的2022年，富昌電子已為大家連續(xù)奉上SiC設(shè)計經(jīng)驗分享的系列文章，包括： SiC設(shè)計分享
2022-12-27 07:10:09806 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163129 -第93期-越來越多的電池供電應(yīng)用，特別是新能源汽車和便攜式電子設(shè)備，使得全球?qū)﹄姵氐男枨蟛粩嘣黾樱瑢τ陔姵氐墓芾砼c能量儲存的需求也更為殷切。儲能系統(tǒng)(ESS)：清潔能源轉(zhuǎn)型關(guān)鍵太陽能和風能等
2023-04-19 09:41:5510027 
?近日，世界著名的工業(yè)控制產(chǎn)品制造商-美國C3CONTROLS在其技術(shù)白皮書中分析了當今儲能系統(tǒng)ESS的技術(shù)新趨勢，以下為節(jié)選內(nèi)容：原始形式的電不能以任何規(guī)模存儲，但通過使用儲能系統(tǒng)(ESS)，它可
2023-05-11 10:45:221964 
基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:231248 
碳化硅這樣的寬禁帶半導(dǎo)體元件的大規(guī)模生產(chǎn)，可以將儲能系統(tǒng)效率和熱性能提升到一個新的水平。具體而言，碳化硅在帶隙能量、擊穿場強、熱導(dǎo)率等幾個參數(shù)方面具有優(yōu)越的特性。這些特性允許SiC系統(tǒng)以更高的頻率
2023-09-28 14:28:471886 
隨著光伏儲能技術(shù)的崛起，SiC器件已成為微型逆變器性能提升的關(guān)鍵?？?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件如何為光伏儲能帶來革命性的改變！ 編者按： 在當今能源轉(zhuǎn)型的大背景下，微型逆變器技術(shù)以其高效、可靠和靈活的特性，逐漸
2024-05-29 14:46:471206 
光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案可使用BTD25350
2024-06-11 09:35:471096 
富昌電子為您推薦安森美的車載充電器（OBC）和電池儲能系統(tǒng)（ESS）方案，幫助您解決汽車電源領(lǐng)域以及能源儲存系統(tǒng)方面的設(shè)計挑戰(zhàn)。
2024-08-19 14:40:131118 
SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨特的物理和化學特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細探討SiC器件在電源中的應(yīng)用，包括其優(yōu)勢、具體應(yīng)用場景、技術(shù)挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。
2024-08-19 18:26:082419 的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計中寄生電容對開通電流應(yīng)力、電流振蕩和開通損耗的負面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長，SiC器件越來越受到工程師
2024-08-30 12:24:391214 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體材料，因其卓越的電學
2024-11-25 16:30:082707 SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402037 
隨著雙向儲能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢發(fā)展,SiC器件在雙向PCS中開始應(yīng)用。SiC的PCS主電路拓撲采用可以有效降低并網(wǎng)電流諧波的T型三電平逆變電路。針對SiC器件開關(guān)頻率高
2025-01-06 08:47:121741 碳化硅（SiC） MOSFET的雙極性退化（Bipolar Degradation）是其在實際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題，尤其在儲能變流器（PCS）等高功率、高頻應(yīng)用場景中矛盾尤為突出。在儲能變
2025-03-09 06:44:311467 
傾佳電子：碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng)，引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革，正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下，混合逆變器和儲能變流器（PCS）已成為新能源系統(tǒng)
2025-06-25 06:45:05693 儲能系統(tǒng)（ESS）是一種儲存能量以供后續(xù)使用的技術(shù)，這些系統(tǒng)可以捕獲一次產(chǎn)生的能量，并在需要時提供可靠的供應(yīng)，這一過程對于維持穩(wěn)定的能源供應(yīng)、優(yōu)化能源使用和有效整合可再生能源至關(guān)重要。
2025-09-04 16:54:16805 傾佳電子陽臺光儲電源系統(tǒng)架構(gòu)及SiC器件替代超結(jié)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子
2025-09-23 08:28:001058 
傾佳電子單相戶用儲能逆變器中Heric拓撲的綜合分析及其SiC MOSFET應(yīng)用價值 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-10-15 09:13:59891 
在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢，在新能源汽車、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411174 傾佳電子市場報告：國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率
2025-11-24 04:57:29243 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論