SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征導(dǎo)通電阻（RON,SP）與提升短路耐受時(shí)間(tSC)之間的權(quán)衡。
2025-08-04 16:31:12
3055 
隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機(jī)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。
2025-08-08 16:14:213189 
本文將介紹一種門極驅(qū)動(dòng)器利用SiC-MOSFET的檢測(cè)端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測(cè)試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測(cè)以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時(shí)主動(dòng)降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:5714243 碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時(shí)也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)它們的挑戰(zhàn)。 擴(kuò)展MOSFET功能 晶體管作為
2021-04-02 13:06:244643 
過程中SiC MOSFET的高短路電流會(huì)產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測(cè)與保護(hù)。同時(shí)，電流關(guān)斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi)，防止關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:073170 
本應(yīng)用筆記主要闡述了DESAT保護(hù)電路工作原理以及在設(shè)計(jì)DESAT外圍電路時(shí)需要考慮的一些因素。
2023-10-09 14:37:2216794 
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:193286 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:565346 
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582469 
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:585595 
的技術(shù)、項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)積累，著筆SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章，希望能給到大家一定的參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 作為系列文章的第四篇，本文主要針對(duì)SiC MOSFET 短路Desat 保護(hù)設(shè)計(jì)做一些探討。 1.???? 什么是Desat Desat保護(hù)是功率MOSFET和IGBT保護(hù)中很重要的概念, 下面我
2022-08-01 14:39:003733 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SiC-MOSFET獲得低導(dǎo)通電阻，Vgs需要在18V前后，要比Si-MOSFET高。?SiC-MOSFET的內(nèi)部柵極電阻比Si-MOSFET大，因此外置Rg較小，但需要權(quán)衡浪涌保護(hù)。
2018-11-30 11:34:24
SiC-SBD－關(guān)于可靠性試驗(yàn)所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
對(duì)體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測(cè)試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET導(dǎo)通電阻更低，晶體管數(shù)得以從8個(gè)減少到4個(gè)。關(guān)于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET時(shí)的結(jié)果最理想，無論哪種SiC-MOSFET的效率均超過Si IGBT
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡(jiǎn)稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會(huì)借其他機(jī)會(huì)再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM針對(duì)SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)與評(píng)估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
有沒有XDJM可以講講關(guān)于MOSFET損壞的知識(shí)，例如損壞類型（短路，斷路等），如何測(cè)定MOSFET是損壞的，有沒有什么樣的電路可以自定探測(cè)到MOSFET已損壞等等，多謝??！講n-MOSFET，增強(qiáng)型就行。
2009-07-02 04:08:59
有沒有XDJM可以講講關(guān)于MOSFET損壞的知識(shí)，例如損壞類型（短路，斷路等），如何測(cè)定MOSFET是損壞的，有沒有什么樣的電路可以自定探測(cè)到MOSFET已損壞等等，多謝??！講n-MOSFET，增強(qiáng)型就行。
2009-07-02 04:09:29
我現(xiàn)在有一塊電路板，當(dāng)我輸出端不連接任何負(fù)載時(shí)，把輸出端短路，電路板會(huì)進(jìn)入短路保護(hù)狀態(tài)，板子不工作。但是當(dāng)我把輸出端接一個(gè)發(fā)熱線圈，線圈的電阻大概是4歐姆，然有一根導(dǎo)線并聯(lián)在發(fā)線圈兩端進(jìn)行短路
2012-09-01 11:41:22
現(xiàn)在設(shè)計(jì)了一個(gè)穩(wěn)壓電源，在供驅(qū)動(dòng)器使用的大電模塊上需要一個(gè)短路保護(hù)的電路，電流需要很大，已經(jīng)有了過流保護(hù)，但是過流保護(hù)對(duì)短路現(xiàn)象不感冒，在短路時(shí)，MOS被燒壞了還沒有關(guān)斷，急需各位大佬幫助！！謝謝各位
2017-12-20 22:26:46
大家好！~有個(gè)問題一直困擾著我，我們的產(chǎn)品使用鉛酸蓄電池，這個(gè)電池的作用呢，是在樓宇突然停電的時(shí)候給我們的開窗器供電一次開的電能。但是，現(xiàn)在的問題為電池短路保護(hù)的問題。我根據(jù)計(jì)算，配備了一個(gè)
2018-01-31 18:53:48
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
驅(qū)動(dòng)用隔離電源，可通過可變電阻調(diào)整（+12V~+23V）? 可通過跳線引腳切換柵極驅(qū)動(dòng)用負(fù)偏壓和零偏壓? 可防止上下臂同時(shí)導(dǎo)通? 內(nèi)置過電流保護(hù)功能（DESAT, OCP）原理圖局部放大圖板子采用四層板
2020-07-26 23:24:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達(dá)5%采用準(zhǔn)諧振方式，可實(shí)現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用產(chǎn)品陣容新增4款保護(hù)功能
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，開關(guān)頻率高達(dá) 500kHz緊湊高效的內(nèi)置隔離式偏置電源（具有 15V 和 –4V 輸出）分立式兩級(jí)關(guān)斷功能可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，具有可調(diào)的電流限制和延遲（消隱）時(shí)間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強(qiáng)的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
，使得電路能夠達(dá)到±3%以內(nèi)的恒流精度，具有優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，并且通過RADJ引腳外接電阻可以方便地控制LED開路保護(hù)電壓。■SIC9654內(nèi)部集成了650V功率MOSFET，采用雙繞組原邊
2022-02-17 15:42:55
精度，并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對(duì)電感與輸出電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。SIC9554內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無需次級(jí)反饋電路，也無需補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)
2022-08-04 14:21:46
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
輸入欠壓保護(hù)功能（掉電）SiC-MOSFET用柵極鉗位電路＜重要特性＞工作電源電壓范圍（VCC）：15.0V～27.5V正常工作電流： 0.80mA（typ.）猝發(fā)模式時(shí)工作電流： 0.50mA
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力?？梢岳闷骷旧淼倪@一特性，在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中考慮短路保護(hù)功能，提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3826420 
雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級(jí)IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時(shí)間，但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個(gè)基本缺陷。但通過更為詳細(xì)的背景分析
2021-01-26 16:07:335884 
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來
2022-05-19 11:58:137471 
我們都知道，IGBT發(fā)生短路時(shí)，需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會(huì)因?yàn)檫^熱而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力較小，根本原因也是因?yàn)闊幔窃谟?b class="flag-6" style="color: red">短路事件前后的溫度分布不合理！
2022-08-07 09:55:314566 由于其極低的開關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)用解決方案時(shí)，它們的短路魯棒性長(zhǎng)期以來一直是討論的話題。
2022-08-09 09:39:512137 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202593 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:291100 SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個(gè)短而精的程度。
2023-01-21 15:54:002784 
近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201443 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034586 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105631 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191294 
帶DESAT保護(hù)功能的 IGBT /SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi334 。內(nèi)置快速去飽和（DESAT） 故障檢測(cè)功能、米勒鉗位功能、漏極開路故障反饋、軟關(guān)斷功能以及可選擇的自恢復(fù)模式，兼容 光耦 隔離
2023-02-24 15:10:46
2 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT）
2023-05-30 11:27:265450 
想象一個(gè)場(chǎng)景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)我開，你開我關(guān)
2023-05-30 11:35:078386 
首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:072957 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261149 
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:521410 短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 12:22:194983 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動(dòng)芯片退飽和保護(hù)(DESAT)應(yīng)用指導(dǎo).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-29 11:23:363 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保護(hù)方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-02 09:10:032 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過對(duì)比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002733 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動(dòng)Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:59:122 UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流
2025-05-15 11:32:02821 
UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流
2025-05-15 16:48:57870 
傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)（DESAT）深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-01 09:28:31851 
SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件初期，使用單管封裝測(cè)試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561104 
，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET等開關(guān)器件的安全運(yùn)行至關(guān)重要。其中，Desat保護(hù)作為一種關(guān)鍵的安全保護(hù)機(jī)制，對(duì)于防止器件因過載或短路而損
2025-09-17 07:21:22975 
基本半導(dǎo)體SiC功率模塊在固態(tài)變壓器（SST）中的驅(qū)動(dòng)匹配-短路保護(hù)兩級(jí)關(guān)斷 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-12-13 16:17:03669 
SiC碳化硅MOSFET短路保護(hù)中兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）機(jī)制的決定性地位及其物理本源深度解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)
2025-12-16 08:49:46556 
· 兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換· 10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅(qū)動(dòng)器和控制器生態(tài)· 內(nèi)置米勒鉗位，無需負(fù)壓關(guān)斷，支持高達(dá)100V/ns開關(guān)速度· 集成短路保護(hù)，欠壓保護(hù)
2025-12-24 16:50:100 SiC碳化硅MOSFET短路過流耐受時(shí)間較短的根本性物理分析與兩級(jí)關(guān)斷（2LTO）保護(hù)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的研究報(bào)告：兩級(jí)關(guān)斷（Two-Level Turn-Off, 2LTO）技術(shù)逐漸確立為平衡SiC
2026-01-01 13:48:1019 
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