中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動器出廠提供涂覆三防
2018-05-02 14:18:27
5871 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:523254 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設(shè)計在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:073179 
Power Integrations門極驅(qū)動器產(chǎn)品高級市場總監(jiān)Michael Hornkamp表示：“碳化硅MOSFET技術(shù)開啟了減小尺寸和重量的大門，并且還可以降低電源系統(tǒng)的損耗
2019-02-27 12:46:524934 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運用要點柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2應(yīng)用要點緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！ ?. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
的影響很小。體二極管的通電劣化一般認為SiC-MOSFET存在稱為“體二極管的通電劣化”的故障模式。這是正向電流持續(xù)流過MOSFET的體二極管時，電子-空穴對的重新復(fù)合能量使稱為“堆垛層錯”的缺陷擴大
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。SiC-MOSFET應(yīng)用實例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
了主要的電路寄生參數(shù)以及 RC 電路。圖中，Vds 為 SiC-MOSFET 模塊關(guān)斷電壓；Vdc 為雙脈沖實驗電源電壓；Lds 為 SiC-MOSFET 模塊內(nèi)部寄生電感；L 表示負載電感器；Lbus
2025-04-23 11:25:54
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
的影響，而且由于 RG_EXT 是外置電阻，因此也可調(diào)。下面同時列出公式（1）用以比較。能給我們看一下比較數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動器源極引腳的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
開關(guān)損耗。測試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產(chǎn)品（型號：SCT3040KL）沒有驅(qū)動器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
61000-4-x（EMC測試）和IEC 60068-2-x（一系列環(huán)境測試）的預(yù)認證。此外，還可提供老化測試選項。新款門極驅(qū)動器在85°C環(huán)境溫度且無風(fēng)冷時的額定峰值輸出電流為每通道20A，額定功率為
2021-09-09 11:00:41
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與
2023-03-29 15:06:13
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
的開關(guān)電源應(yīng)用中，功率MOSFET或新興的SiC/GaN器件的潛能能否完全釋放，極度依賴于門極驅(qū)動器的性能。一個平庸的驅(qū)動器會帶來過高的開關(guān)損耗、延遲和振鈴，從而拉低整機效率，限制功率密度提升，并威脅
2025-12-10 08:55:48
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓撲。SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
、根據(jù)評估版原理圖，分析SIC MOS的驅(qū)動和保護方案。2、搭建一個非隔離的半橋結(jié)構(gòu)的雙向DC-DC變換器樣機。預(yù)期參數(shù)：高壓端400V，低壓端200V，開關(guān)頻率250KHZ，電流10A。3、對DSP
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
MOSFET驅(qū)動器內(nèi)置保護，狀態(tài)反饋和門電荷泵。LTC1154由以下功能塊組成：TTL和CMOS兼容輸入LTC1154輸入和關(guān)閉輸入已經(jīng)過設(shè)計，以適應(yīng)廣泛的邏輯系列。兩個輸入閾值均設(shè)置為約1.3V，滯后約為
2020-09-08 17:28:16
限度降低柵極損耗。柵極驅(qū)動器需要能夠以最小的輸出阻抗和高電流能力，提供 +20 伏和 -2 伏到 -5 伏負偏壓。尤其當(dāng)開關(guān)速度較快時，必須特別留意系統(tǒng)的寄生效應(yīng)。具體而言，這指的是硅模塊周圍通常存在
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
片有米勒鉗位結(jié)論圖片05 單通道帶米勒鉗位隔離驅(qū)動BTD5350Mx系列介紹產(chǎn)品特性專門用于驅(qū)動SiC MOSFET的門極驅(qū)動芯片副方驅(qū)動器帶米勒鉗位功能腳Clamp驅(qū)動器輸出峰值電流可達10A驅(qū)動器
2025-01-04 12:30:36
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
轉(zhuǎn)換器評估板之外，還備有全SiC模塊的柵極驅(qū)動器評估板等。與以往的Si元器件相比具有優(yōu)異特性的SiC-MOSFET，工作電路也需要優(yōu)化，全部從沒有參考的狀態(tài)進行評估是非常艱苦而細致的工作。總之，希建議
2018-12-04 10:11:25
為6.8 Ω）。對于使用VSD的1200V、55A SiC-MOSFET，需要27Ω的柵極電阻才能將dv/dt限制在5V/ns，對于電流源極驅(qū)動器，需要290mA的柵極電流設(shè)置（ROUTREF值為
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專門驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。本文討論柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅(qū)動強度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
MOSFET DriverTC4424COE713Microchip Technology18+9800 門驅(qū)動器 3A DualSI8234BB-D-IS1RSilicon Labs18+9800 門驅(qū)動器
2018-08-02 09:39:35
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉(zhuǎn)換器用的準諧振控制器，是全球首款*專為驅(qū)動SiC-MOSFET而優(yōu)化的IC。（*截至2015/3/25的數(shù)據(jù)）您可能已經(jīng)注意到，開關(guān)要使用SiC-MOSFET時，需要為將
2018-11-27 16:54:24
%。這非常有望進一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
通過隔離門極驅(qū)動器抑制 dVdt 噪聲，消除混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器的噪聲
2016-01-06 16:58:32
0 帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:223 和MOSFET器件的同時，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0438319 
日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。
2019-05-14 11:44:535136 耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個中央絕緣主控制(IMC)和一到四個模塊適配型門極驅(qū)動器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:325694 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅(qū)動器系統(tǒng)可輕松實現(xiàn)業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯(lián)。
2019-08-01 16:06:133144 “ 適合4500V模塊的靈活、強大且可靠的IGBT門極驅(qū)動器中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出1SP0351
2020-03-08 10:27:072675 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布，其適合碳化硅（SiC） MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE-iDriver
2020-03-18 16:56:534084 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設(shè)計。
2020-08-13 15:31:283280 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 安森美半導(dǎo)體提供用于各種應(yīng)用和市場的門極驅(qū)動器，并提供多種選項以精確滿足系統(tǒng)需求。我們的產(chǎn)品有用于工業(yè)、高性能計算和電信環(huán)境的性能、可靠性和能效。安森美半導(dǎo)體以全面的電源開關(guān)和相應(yīng)的門極驅(qū)動器陣容，提供完整的系統(tǒng)方案以滿足任何設(shè)計需求。
2022-05-07 17:34:093758 
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:485123 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012626 
驅(qū)動器和 SiC MOSFET 打開電源開關(guān)的大門
2023-01-03 09:45:061403 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:513208 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19714 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191307 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201448 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202551 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202302 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:211981 
本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082523 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134 
上一篇文章對設(shè)計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設(shè)計案例的電路。準諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:061358 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設(shè)計案例中有兩個關(guān)鍵要點。一個是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:081415 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47691 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:404753 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191299 
帶DESAT保護功能的 IGBT /SiC隔離驅(qū)動器SLMi334 。內(nèi)置快速去飽和（DESAT） 故障檢測功能、米勒鉗位功能、漏極開路故障反饋、軟關(guān)斷功能以及可選擇的自恢復(fù)模式，兼容 光耦 隔離
2023-02-24 15:10:462 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:335127 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:291784 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護
2023-12-14 11:37:101162 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:041174 IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器件導(dǎo)通損耗，SiC MOSFET的導(dǎo)通壓降對門
2024-05-13 16:10:171488 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211466 三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場對高性能逆變器日益增長的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規(guī)格，將于6月10日起正式投入市場。
2024-06-12 14:51:071362 三菱電機新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以滿足鐵路應(yīng)用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47:491968 
SiC-MOSFET，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住
2025-04-21 09:21:56879 
引領(lǐng)高電壓驅(qū)動新紀元——10P0635Vxx IGBT門極驅(qū)動器賦能高效電力系統(tǒng) 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅
2025-05-06 09:52:27601 
為高壓應(yīng)用注入“強心劑”1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動器——高可靠性驅(qū)動解決方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅
2025-05-06 09:48:47430 
碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081324 
隔離型門極驅(qū)動器，以卓越的電氣性能、多元的功能配置及廣泛的行業(yè)適用性，成為驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件的理想選擇。本文將深入解析其技術(shù)特性與應(yīng)用價值。 一、產(chǎn)品概述：高集成度與高可靠性的完美融合 BTD5350x 系列是專為高壓隔離場景設(shè)計的
2025-06-10 09:00:57630 
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