功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:52
3253 大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進行了高溫柵
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點。
2025-03-24 17:43:272363 
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì)，而SiC則需要更嚴(yán)格的品質(zhì)控制和可靠性測試，以充分發(fā)揮其作為高性能器件的特性。
2025-12-24 15:49:584965 
V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
ROHM，除了ROHM產(chǎn)品的可靠性高以外，還在于ROHM的服務(wù)支持非常迅速，從試制階段開始就能提供樣品。此外，我們正在開發(fā)的三相逆變器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相關(guān)產(chǎn)品可以滿足我們的性能
2023-03-02 14:24:46
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-SBD－關(guān)于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
半導(dǎo)體的測試方法，其可靠性試驗結(jié)果如下。從結(jié)果可以看出，ROHM的SiC-MOSFET具有足夠的可靠性。關(guān)鍵要點:?ROHM的SiC-MOSFET與已經(jīng)普及的Si-MOSFET具有相同的可靠性。
2018-11-30 11:30:41
SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂SiC-SBD－關(guān)于可靠性試驗所謂SiC-MOSFET所謂SiC-MOSFET－特征所謂SiC-MOSFET－功率
2018-11-27 16:38:39
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
模塊壽命，提高系統(tǒng)的經(jīng)濟性。文獻 [12] 針對 IGBT 開關(guān)模塊的緩沖吸收電路進行了參數(shù)設(shè)計和研究，該電路比較復(fù)雜，文中沒有給出參數(shù)選取的優(yōu)化區(qū)間。由于 SiC-MOSFET開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
，其重要性在以后的部分中得到了保存。在這里，我們證實了今天的SiC MOSFET質(zhì)量，包括長期可靠性，參數(shù)穩(wěn)定性和器件耐用性。 使用加速的時間相關(guān)介質(zhì)擊穿（TDDB）技術(shù)，NIST的研究人員預(yù)測
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進行試驗與評估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
設(shè)計，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
可靠性試驗分類方法及試驗標(biāo)準(zhǔn) 1.如可靠性測試以環(huán)境條件來劃分,可分為包括各種應(yīng)力條件下的模擬試驗和現(xiàn)場試驗;2.可靠性試驗以試驗項目劃分，可分為環(huán)境試驗、壽命試驗、加速試驗和各種特殊試驗;3.
2017-01-20 09:59:00
設(shè)計(使用冗余技術(shù))，使用故障診斷技術(shù)等。可靠性主要包括電路可靠性及元器件的選型有必要時用一定儀器檢測。可靠性試驗是對產(chǎn)品進行可靠性調(diào)查、分析和評價的一種手段。試驗結(jié)果為故障分析、研究采取的糾正措施
2015-08-04 11:04:27
電路器件與系統(tǒng)的可靠性預(yù)計和分配評估 第二章 電子產(chǎn)品可靠性試驗技術(shù)1、概述：環(huán)境試驗的發(fā)展、環(huán)境試驗的目的和應(yīng)用范圍、環(huán)境試驗和可靠性試驗2、環(huán)境試驗的基礎(chǔ)知識和術(shù)語3、環(huán)境試驗標(biāo)準(zhǔn)
2010-08-27 08:25:03
可靠性是我們在開展電子產(chǎn)品設(shè)計過程中常常繞不開的問題。例如，客戶需要我們提供相關(guān)的可靠性預(yù)計報告，客戶需要我們的產(chǎn)品提供相應(yīng)的可靠性試驗報告，或者企業(yè)內(nèi)部需要控制產(chǎn)品質(zhì)量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
、15min關(guān)的循環(huán)測試到壽命終了，對LED產(chǎn)品的測量顯然不現(xiàn)實。因此有必要對LED產(chǎn)品采用加速老化壽命試驗[1]，同時，也應(yīng)當(dāng)測試LED的熱學(xué)特性、環(huán)境耐候性、電磁兼容抗擾度等與壽命和可靠性密切相關(guān)
2015-08-04 17:42:14
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
費舍爾科技有限公司，專注與環(huán)境與可靠性試驗設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品有：鹽霧試驗箱、高低溫（交變）濕熱試驗箱、冷熱沖擊試驗箱、紫外光耐氣候試驗箱、氙燈耐氣候試驗箱、臭氧老化試驗箱、熱老化試驗
2008-09-22 16:46:32
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
1952年3月便提出了具有深遠影響的建議；研究成果首先應(yīng)用于航天、軍事、電子等軍工工業(yè)，隨后逐漸擴展到民用工業(yè)。60年代，隨著航空航天工業(yè)的迅速發(fā)展，可靠性設(shè)計和試驗方法被接受和應(yīng)用于航空電子系統(tǒng)中
2020-07-03 11:18:02
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
`可靠性試驗是為了解、分析、提高、評價產(chǎn)品的可靠性而進行的工作的總稱。依據(jù)GJB450A《裝備可靠性工作通用要求》分類，可靠性試驗可以分為環(huán)境應(yīng)力篩選、可靠性研制試驗、可靠性增長試驗、可靠性鑒定試驗
2019-07-23 18:29:15
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
為了FPGA保證設(shè)計可靠性, 需要重點關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
。因此，硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計，更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2021-01-25 07:13:16
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
淺談HALT試驗在可靠性設(shè)計中的應(yīng)用 錢惠龍***江蘇安科瑞電器制造有限公司 江蘇 江陰 214405摘要：本文主要介紹HALT（高加速壽命篩選試驗）在可靠性設(shè)計中的應(yīng)用，以安科瑞電氣股份有限公司
2016-01-18 10:42:33
淺談手機環(huán)境可靠性試驗 本文關(guān)鍵字: 手機 環(huán)境可靠性 本文簡要介紹了手機環(huán)境可靠性試驗的目的、內(nèi)容，在試驗中容易出現(xiàn)的故障，指出了目前在手機環(huán)境可靠性測試中存在的問題。1 引言 隨著社會
2009-11-13 22:31:55
深圳市華耀檢測技術(shù)服務(wù)有限公司環(huán)境試驗與可靠性試驗雖然關(guān)系緊密，但它們在試驗目的，所用環(huán)境應(yīng)力數(shù)量，環(huán)境力量值選用準(zhǔn)則，試驗類型，試驗時間，試驗終止判據(jù)方面存在截然的不同之處。試驗目的：環(huán)境試驗考察
2022-01-13 14:03:37
為了評價分析電子產(chǎn)品可靠性而進行的試驗稱為可靠性試驗。試驗目的通常有如下幾方面：1. 在研制階段用以暴露試制產(chǎn)品各方面的缺陷，評價產(chǎn)品可靠性達到預(yù)定指標(biāo)的情況；2. 生產(chǎn)階段為監(jiān)控生產(chǎn)過程提供信息
2015-08-04 17:34:26
電子產(chǎn)品的可靠性試驗，不看肯定后悔
2021-05-12 06:11:07
我想問一下高速電路設(shè)計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達到高的可靠性，要做好哪些工作??？在網(wǎng)上找了好久，也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作開關(guān)的準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器IC。在使用電源IC的設(shè)計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC設(shè)計中使用的電源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”這款I(lǐng)C
2018-11-27 16:54:24
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
LED產(chǎn)品可靠性試驗與應(yīng)用
本文主要站在LED制造者或使用者的立場來探討對應(yīng)不同的使用環(huán)境與場所，較具有效益的可靠性試驗項目以及這些試驗的
2009-12-11 21:46:471696 可靠性試驗指為分析評價產(chǎn)品的可靠性而進行的所有試驗。廣義地講，任何與產(chǎn)品故障或故障效應(yīng)有關(guān)的試驗都可以被認為是可靠性試驗。在新產(chǎn)品的開發(fā)過程中，調(diào)試、發(fā)現(xiàn)問題、改
2011-05-26 17:38:41
0 世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:462565 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438319 
大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
本文首先介紹了可靠性測試的概念與分類，其次介紹了壽命測試屬于可靠性測試及其作用，最后介紹了有效的壽命測試項目及壽命試驗相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
2018-05-14 09:40:4618251 
可靠性試驗，是指通過試驗測定和驗證產(chǎn)品的可靠性。研究在有限的樣本、時間和使用費用下，找出產(chǎn)品薄弱環(huán)節(jié)。可靠性試驗是為了解、評價、分析和提高產(chǎn)品的可靠性而進行的各種試驗的總稱。目的：為了測定、驗證或
2018-06-28 18:38:501298 關(guān)于環(huán)境試驗與可靠性試驗之間關(guān)系的緊密性已毋庸置疑，可他們在研究目的、選取的環(huán)境應(yīng)力數(shù)量、選取環(huán)境應(yīng)力所需值標(biāo)準(zhǔn)、試驗類型、試驗時間、試驗終止判據(jù)這6點方面上存在著顯著不同。
2021-05-19 14:42:372098 《工業(yè)級SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性——偏壓溫度不穩(wěn)定性（BTI）》 在正常使用器件時，由于半導(dǎo)體-氧化層界面處缺陷的產(chǎn)生和/或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓可能略有漂移。閾值電壓
2021-01-12 16:09:106758 
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認可?；诖罅康脑O(shè)計優(yōu)化和可靠性驗證工作，瑞能
2022-02-18 16:44:105625 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:513205 
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18985 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19713 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201447 
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202302 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134 
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設(shè)計案例中有兩個關(guān)鍵要點。一個是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:081415 進行半導(dǎo)體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。
2023-02-23 11:24:561425 
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47684 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191295 
ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:121912 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:291413 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:343040 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:335126 
AEC-Q101車規(guī)級認證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成為國內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。 ? 創(chuàng)新突破，無懼極限考驗 AEC-Q101
2023-10-24 15:52:321851 芯片的老化試驗及可靠性如何測試？ 芯片的老化試驗及可靠性測試是評估芯片性能和使用壽命的關(guān)鍵步驟。老化試驗旨在模擬芯片在長期使用過程中可能遭遇的各種環(huán)境和應(yīng)激，并確定芯片的可靠性和耐久性。本文將詳細
2023-11-09 09:12:015257 國家電網(wǎng)：在就地化保護入網(wǎng)檢測中，首次引入可靠性試驗，驗證產(chǎn)品可靠性設(shè)計水平和壽命指標(biāo)。在關(guān)于新型一、二次設(shè)備（例如：電子式互感器）的科研項目中，增加了可靠性驗證和壽命評估等相關(guān)研究課題。
2023-11-13 16:32:042777 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:022143 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告
2023-12-05 14:34:461464 
環(huán)境試驗與可靠性試驗的區(qū)別
2023-12-08 09:31:461694 
，標(biāo)志著產(chǎn)品的長期可靠性得到了市場驗證。 SiC MOSFET作為功率變換系統(tǒng)的核心元器件，其性能表現(xiàn)影響應(yīng)用系統(tǒng)的效率表現(xiàn)。而產(chǎn)品的長期可靠性則更為關(guān)鍵，它決定了應(yīng)用系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。 瞻芯電子CTO葉忠博士說：“對SiC MOSFET來說，產(chǎn)品可靠性驗證過程是一場馬拉松長跑。產(chǎn)品
2024-09-27 10:43:23908 
三菱電機新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以滿足鐵路應(yīng)用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47:491968 
日前，在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）發(fā)布了9項碳化硅 (SiC) MOSFET測試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)，旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學(xué)、合理的測試與評估方法，支撐產(chǎn)品性能提升，推動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
2024-11-29 13:47:101822 
傾佳電子碳化硅（SiC）MOSFET可靠性綜合分析：試驗方法及其意義 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-10-18 21:05:57524 
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