德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開(kāi)發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:348342 
的制造商如何通過(guò)提高可靠性來(lái)提高可靠性設(shè)計(jì)，元件選擇和制造過(guò)程。一些例子將說(shuō)明供應(yīng)商如何在公司制造的AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊中整合和指定這些實(shí)踐。
2019-03-11 08:32:005446 
科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)
2022-03-31 18:10:575864 
大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對(duì)功率器件的可靠性要求很高，為此，針對(duì)自主研制的3300V SiC MOSFET 開(kāi)展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評(píng)估技術(shù)對(duì)其進(jìn)行了高溫柵
2024-01-04 09:41:545025 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
MOSFET的柵氧可靠性問(wèn)題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310726 
CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:081369 AAPITech推出用于緩解關(guān)鍵航空電子系統(tǒng)中C波段5G干擾的高可靠性腔體濾波器
2022-02-09 10:24:082596 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三安光電在投資者平臺(tái)上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國(guó)內(nèi)頭部電動(dòng)車(chē)企客戶處的摸底模塊驗(yàn)證已完
2025-08-10 03:18:008199 3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設(shè)計(jì)？3G核心網(wǎng)高可靠性設(shè)計(jì)方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET在開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導(dǎo)體（Si）實(shí)現(xiàn)不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本
2020-09-24 16:23:17
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類(lèi)問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
，即非本征缺陷時(shí)才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險(xiǎn)與沒(méi)有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無(wú)缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類(lèi)型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價(jià)格，可靠性，堅(jiān)固性和供應(yīng)商的多樣化。盡管價(jià)格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項(xiàng)技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類(lèi)似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會(huì)借其他機(jī)會(huì)再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM針對(duì)SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)與評(píng)估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化。國(guó)內(nèi)外大量
2018-09-21 14:49:10
的前提下，應(yīng)盡量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使每個(gè)部件都成為最簡(jiǎn)設(shè)計(jì)。當(dāng)今世界流行的模塊化設(shè)計(jì)方法是提高設(shè)備可靠性的有效措施。塊功能相對(duì)單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，將設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化
2018-11-23 16:50:48
為提高單片機(jī)本身的可靠性。近年來(lái)單片機(jī)的制造商在單片機(jī)設(shè)計(jì)上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術(shù)主要體現(xiàn)在以下幾方面： 1.降低外時(shí)鐘頻率 外時(shí)鐘是高頻的噪聲源，除能引起對(duì)本應(yīng)用系統(tǒng)
2020-07-16 11:07:49
和恢復(fù)特性，還成功將VF降低至約0.15V，達(dá)到當(dāng)時(shí)業(yè)界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低設(shè)備的傳導(dǎo)損耗。第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
高可靠性的線路板具有什么特點(diǎn)？
2021-04-25 08:16:53
。所有這些應(yīng)用都需要具備更高功率密度的先進(jìn)半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類(lèi)功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅(jiān)固性和長(zhǎng)使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動(dòng)條件下的堅(jiān)固性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn)，同時(shí)也
2018-12-03 13:49:12
開(kāi)來(lái)，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過(guò)的環(huán)境隔離開(kāi)來(lái)。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
供5A的強(qiáng)勁拉灌電流，其納秒級(jí)的開(kāi)關(guān)速度與高欠壓保護(hù)閾值，使其成為替代傳統(tǒng)分立驅(qū)動(dòng)方案、提升系統(tǒng)可靠性的理想選擇。核心特性：
高壓高速驅(qū)動(dòng)：支持9V至30V的寬驅(qū)動(dòng)電源范圍，在18V供電下可提供5A的峰值
2025-12-29 08:33:43
秋”將全力以赴地持續(xù)提高可靠性，一如既往地積極捍衛(wèi)國(guó)家市場(chǎng)形象，不遺余力地為“中國(guó)制造”代言，竭盡全力助推中國(guó)從“制造大國(guó)”邁向“制造強(qiáng)國(guó)”！`
2020-07-09 11:54:01
作業(yè)的設(shè)備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費(fèi)、停機(jī)損失可大幅減少，資產(chǎn)及生命安全更有保障！當(dāng)今，放眼全球，國(guó)家與國(guó)家的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)演變成企業(yè)與企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，可靠性
2020-07-03 11:09:11
，發(fā)現(xiàn)提高可靠性水平可大大幅減少電子設(shè)備的維修費(fèi)用；表面看來(lái)，高可靠性的前期生產(chǎn)、管控成本會(huì)較高，但是，后期的故障率更少，而且維護(hù)費(fèi)、停機(jī)損失會(huì)更低。為了幫助客戶實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益最大化，“華秋”更執(zhí)念于把
2020-07-08 17:10:00
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認(rèn)識(shí)到，SiC MOSFET 的輸出開(kāi)關(guān)電流變化率 (di/dt) 遠(yuǎn)高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時(shí)振蕩、電磁干擾以及輸出級(jí)損耗。高開(kāi)關(guān)速度還可能導(dǎo)致電壓過(guò)沖。滿足高電壓應(yīng)用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測(cè)試方法，對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
標(biāo)記。GE公司分析，對(duì)能源、交通、礦山、通訊、工控、醫(yī)療等連續(xù)作業(yè)的設(shè)備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費(fèi)、停機(jī)損失可大幅減少，資產(chǎn)及生命安全更有保障！當(dāng)今
2020-07-03 11:18:02
的可靠性防范措施。3．本質(zhì)可靠性與可靠性控制本質(zhì)可靠性是只考慮系統(tǒng)功能要求的軟、硬件可靠性設(shè)計(jì)，是可靠性設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。如采用 CMOS 電路代替 7rrL 電路提高噪聲容限，增加系統(tǒng)抗干擾能力：采用
2021-01-11 09:34:49
，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高可靠性電源系統(tǒng)的要求 在理想的世界里，高可靠性系統(tǒng)應(yīng)該設(shè)計(jì)為能夠避免單點(diǎn)失效，有辦法在保持運(yùn)行 (但也許是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
`請(qǐng)問(wèn)如何提高PCB設(shè)計(jì)焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢(mèng)想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個(gè)艱苦的過(guò)程，需要開(kāi)發(fā)人員維護(hù)和管理系統(tǒng)的每個(gè)比特和字節(jié)。當(dāng)一個(gè)應(yīng)用程序被確認(rèn)為“成功”的那一刻，通常會(huì)有一種如釋重負(fù)
2019-09-29 08:10:15
無(wú)線電池管理系統(tǒng)突出了業(yè)界提高可靠性的動(dòng)力
2019-09-09 08:23:41
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
頻率做得更高。作為傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中IGBT和Si-MOSFET的替代品，TO-247三線和四線封裝仍將占有一席之地。隨著技術(shù)的成熟，可靠性將得到越來(lái)越多的證明，隨著成品率的提高和片芯尺寸的縮小，成本有望降低
2023-02-27 14:28:47
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
PCB的外殼中?？梢?b class="flag-6" style="color: red">將組件安裝到靈活的解決方案上，而不是將組件安裝到剛性PCB上，它們將與外形合適的外殼相符。此外，可以用加固基板加固柔性PCB的部分，以提高可靠性。最后，柔性印制電路板可提供最輕
2023-04-21 15:52:50
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 ）電機(jī)已成為許多勻速或變速的高可靠性中高檔系統(tǒng)的選擇。借助幾個(gè)霍爾效應(yīng)傳感器和一個(gè)控制器，BLDC 電機(jī)變得相對(duì)容易控制。如今，BLDC 電機(jī)系統(tǒng)已十分常見(jiàn)，但是，大多數(shù)系統(tǒng)仍使用傳感器來(lái)控制電機(jī)。為了降低 BLDC 系統(tǒng)的成本并提高可靠性，許
2017-09-15 08:53:08
15 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:023163 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 半導(dǎo)體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時(shí)也擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高性能和競(jìng)爭(zhēng)力。
2022-02-18 16:44:105622 
作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車(chē)高端車(chē)型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車(chē)規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161790 )(統(tǒng)稱(chēng)“東芝”)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:211980 
ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開(kāi)發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:121911 
2022年11月，上海瞻芯電子開(kāi)發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為T(mén)O247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333849 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:311477 
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過(guò)優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步
2022-04-20 09:56:201544 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492168 
2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開(kāi)關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:261670 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:022142 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:002364 
另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411773 的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效
2024-03-12 08:13:021124 
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301584 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547 
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 近日，瞻芯電子正式推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:49873 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-04-17 14:02:491619 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車(chē)規(guī)與工規(guī)不同等級(jí)的需求。
2024-05-06 15:20:521273 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944 
內(nèi)置900V~1500V MOSFET的高可靠性AC-DC電源芯片
2024-08-08 09:50:382347 
IGBT和1200V D3 EliteSiC二極管，實(shí)現(xiàn)高電壓和大電流轉(zhuǎn)換的同時(shí)降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT關(guān)斷損耗低，可將開(kāi)關(guān)損耗降低達(dá)8%，而EliteSiC二極管則提供了卓越的開(kāi)關(guān)性能，與前幾代產(chǎn)品相比，導(dǎo)通壓降（VF）降低了15%。
2024-08-29 15:09:29847 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車(chē)規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-10-29 13:54:371063 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開(kāi)始提供測(cè)試樣品，供客戶評(píng)估。
2024-11-21 18:10:251354 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444 
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 ，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021063 近期，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專(zhuān)為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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