致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)信號鏈芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80152和SPI高邊HD708204量產(chǎn)。自
2026-01-05 17:57:12
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的關(guān)鍵。無錫迪仕科技推出的全極性微功耗霍爾開關(guān)DH629，以三大技術(shù)優(yōu)勢重新定義了行李箱的智能化標(biāo)準(zhǔn)，推動行業(yè)進(jìn)入第二代技術(shù)迭代階段。 一、技術(shù)革新：DH629的核心突破 DH629作為專為移動設(shè)備設(shè)計(jì)的第二代霍爾元件，其技術(shù)參數(shù)
2026-01-05 15:00:1261 新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13326 
的力興電子第二代手持式系列儀器，通過多維度技術(shù)迭代，為行業(yè)提供了更貼合實(shí)際需求的解決方案。 一、核心測量功能：精準(zhǔn)與高效的雙重突破 電力檢測的核心訴求是數(shù)據(jù)精準(zhǔn)與測試高效，這也是傳統(tǒng)設(shè)備的主要痛點(diǎn)。力興電子第
2025-12-19 14:51:1497 
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)(Robustness-Validation)。該試驗(yàn)嚴(yán)格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545773 
發(fā)布。另外，該模型將作為西門子電子設(shè)備專用熱設(shè)計(jì)輔助工具“Simcenter? Flotherm? *2”的標(biāo)配被采用※。 羅姆的分流電阻器已被廣泛應(yīng)用于車載和工業(yè)設(shè)備等眾多應(yīng)用領(lǐng)域，憑借其高精度的電流檢測性能與 高可靠性，已獲得高度好評。此次，羅姆在已公開的分流電阻器“PSR系列”基礎(chǔ)上，新增
2025-11-19 14:14:13304 ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，作為半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800 VDC架構(gòu)的AI數(shù)據(jù)中心用的先進(jìn)電源解決方案白皮書。 本白皮書作為2025年6月發(fā)布的“羅姆為英偉達(dá)800V
2025-11-04 16:45:11579 ～為實(shí)現(xiàn)千兆瓦級AI基礎(chǔ)設(shè)施的800 VDC構(gòu)想提供支持～ 2025年10月28日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，作為半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)創(chuàng)新的主要企業(yè)，發(fā)布基于下一代800
2025-10-29 15:32:35313 
將成為對方 SiC 功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商，未來客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計(jì)與采購的靈活性。 具體而言，羅姆將采用英飛凌的 2.3mm 標(biāo)準(zhǔn)高度 SiC 頂部散熱平臺；而英飛凌則將導(dǎo)入羅姆的半橋結(jié)構(gòu) SiC 模塊 "DOT-247" 并開發(fā)兼容封裝。 左：英飛凌
2025-09-29 18:24:361709 
發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，用戶可同時(shí)從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品切換。此
2025-09-29 10:46:22303 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）與德國大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)（總部位于德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”）宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開始量產(chǎn)搭載羅姆SiC（碳化硅）MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
2025-09-26 09:37:27577 的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場舉辦技術(shù)研討會，分享其最新的電力電子解決方案。 羅姆憑借其業(yè)界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù)，以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù)。在提供電源解決方案的同時(shí)，為工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的節(jié)能化、小型化做出
2025-09-17 15:59:47360 
設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場舉辦技術(shù)研討會，分享其最新的電力電子解決方案。
2025-09-10 14:34:45811 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。相比上一代
2025-08-05 15:19:011208 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）正式發(fā)布第二代車規(guī)級高邊開關(guān) (HSD) SC77450CQ，基于國內(nèi)自主研發(fā)的垂直溝道 BCD 集成工藝和全國產(chǎn)化封測供應(yīng)鏈，在 N 型襯底單晶圓上實(shí)現(xiàn)了
2025-08-05 15:17:141221 
在AOV技術(shù)發(fā)展版圖中，覓睿與君正緊密攜手，共同繪就了創(chuàng)新畫卷。2024年，君正推出行業(yè)首顆AOV芯片T41，覓睿率先將其技術(shù)落地，成為該領(lǐng)域的開拓者。如今，隨著君正T32VN規(guī)格的發(fā)布，覓?；诖搜邪l(fā)的第二代AOV產(chǎn)品震撼亮相，續(xù)寫技術(shù)創(chuàng)新傳奇。
2025-07-30 13:48:581247 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，意法半導(dǎo)體推出了一款面向大功率家電應(yīng)用的
第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關(guān)拓?fù)?/div>
2025-07-28 07:29:003529 標(biāo)準(zhǔn)等方面進(jìn)行升級。 ? 下一代物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的新需求 ? 芯科科技無線產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Dhiraj Sogani在接受采訪時(shí)表示，我們的第一代、第二代和第三代無線開發(fā)平臺將繼續(xù)在市場上相輔相成。第二代無線開發(fā)平臺功能強(qiáng)大且高效，是各種主流物聯(lián)網(wǎng)
2025-07-23 09:23:006096 ~同步啟動面向中國市場的“ROHM官方技術(shù)論壇(Engineer Social Hub?)”技術(shù)支持服務(wù)~ 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，與中國電子元器件平臺型電商*獵芯網(wǎng)
2025-07-22 09:25:37425 
近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043 
近日，曠世之聲正式推出QCC Dongle Pro和QCC Dongle無損藍(lán)牙發(fā)射器，該系列產(chǎn)品分別搭載第二代高通S5音頻平臺和第二代高通S3音頻平臺，支持Snapdragon Sound 驍龍暢聽技術(shù)，賦能更多設(shè)備，帶來無線無損音頻體驗(yàn)。
2025-07-14 15:22:371214 AMD Power Design Manager 2025.1 版（PDM）現(xiàn)已推出——增加了對第二代 AMD Versal AI Edge 和 第二代 Versal Prime 系列的支持，并支持已量產(chǎn)的 AMD Spartan UltraScale+ 系列。
2025-07-09 14:33:00983 致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012，單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
2025-07-02 15:19:401136 
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與領(lǐng)先的車規(guī)芯片企業(yè)芯馳科技面向智能座艙聯(lián)合開發(fā)出參考設(shè)計(jì)“REF68003”。該參考設(shè)計(jì)主要覆蓋芯馳科技的智能座艙SoC*1“X9SP”產(chǎn)品，其中配備了羅姆的PMIC*2產(chǎn)品，并在2025年上海車展芯馳科技展臺進(jìn)行了展示。
2025-06-30 10:48:591525 
納芯微推出第二代車規(guī)級高性能步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器NSD8389-Q1，具備寬電壓、低內(nèi)阻、高細(xì)分等特性，支持多種配置與保護(hù)功能。該產(chǎn)品助力汽車制造商實(shí)現(xiàn)高精度電機(jī)控制，適用于熱管理、頭燈控制、HUD等場景，推動汽車電氣化和智能化升級。
2025-06-27 16:32:35760 
近日，埃斯頓酷卓科技正式發(fā)布第二代人形機(jī)器人CODROID 02。CODROID 02實(shí)現(xiàn)全身關(guān)節(jié)運(yùn)動能力升級，顯著提升復(fù)雜場景適應(yīng)性與靈活性，標(biāo)志著國產(chǎn)人形機(jī)器人技術(shù)邁入新階段。
2025-06-16 16:06:571560 本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:052160 
引言隨著汽車電子技術(shù)的飛速發(fā)展，捷捷微電推出了第二代車規(guī)MOSFET產(chǎn)品，致力于為汽車電源、電機(jī)驅(qū)動、鋰電池管理等領(lǐng)域提供高性能解決方案。本文將帶您深入了解捷捷微電車規(guī)MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢、產(chǎn)品
2025-06-11 14:20:15823 
近日，羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計(jì)。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性，滿足日益增長的人工智能計(jì)算需求。根據(jù)羅姆的介紹
2025-06-11 10:35:57903 
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展，可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
2025-06-11 09:59:401648 ）以及車內(nèi)各系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)交互與協(xié)同。 ? 為應(yīng)對不斷提升的信息傳輸需求，以及量子計(jì)算對車載網(wǎng)絡(luò)安全造成的沖擊，恩智浦半導(dǎo)體宣布推出第二代 OrangeBox 車規(guī)級開發(fā)平臺 OrangeBox 2.0，以促進(jìn)汽車網(wǎng)關(guān)與無線技術(shù)之間的安全通信。
2025-06-03 06:56:006279 在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432259 
重磅新品登場！第二代高性能分布式IOi.MX6ULL核心板以及配套工業(yè)級單板機(jī)分布式IO與核心板部分型號參與送樣文末了解詳情↓↓↓M31-U系列高性能分布式遠(yuǎn)程IOM31-U系列高性能分布式IO主機(jī)
2025-05-29 19:33:32963 
第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
2025-05-27 14:25:361162 5月24日，美格智能攜手阿加犀，助力維田科技正式推出第二代智能植保機(jī)器人。該機(jī)器人搭載了美格智能基于QCS8550平臺研發(fā)設(shè)計(jì)的48TOPS高算力AI模組SNM970，基于模組較高的NPU、CPU
2025-05-26 13:58:48981 
此前，5月15日-16日，由中國光伏行業(yè)協(xié)會、中國能源研究會可再生能源專委會、光伏們主辦的第三屆新能源電力發(fā)展論壇暨第九屆新能源電站設(shè)計(jì)、工程與設(shè)備選型研討會在山東濟(jì)南成功舉辦。上能電氣儲能解決方案部華東區(qū)技術(shù)總監(jiān)全盛凱受邀出席本次大會，并發(fā)表題為《第二代構(gòu)網(wǎng)技術(shù)助力新能源高質(zhì)量發(fā)展》的主題演講。
2025-05-23 14:31:43767 ”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004，單通道低內(nèi)阻4.3mΩ產(chǎn)品。
2025-05-21 18:04:201176 
Ultra，小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露，小米玄戒O1，采用第二代3nm工藝制程，力爭躋身第一梯隊(duì)旗艦體驗(yàn)。此次小米發(fā)布會的最大亮點(diǎn)之一肯定是小米自研手機(jī)SoC芯片「玄戒O1」，這標(biāo)志著小米在芯片領(lǐng)域的自主研發(fā)能力邁入新階段。從澎湃S1到玄戒O1，小米11年造芯
2025-05-19 16:52:591155 SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。 羅姆半導(dǎo)體
2025-05-15 17:34:42464 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布已與中國的電子元器件網(wǎng)絡(luò)電商獵芯網(wǎng)（以下簡稱“ICHunt”）簽訂了授權(quán)分銷合同。
2025-05-12 09:51:02753 第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺，提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
2025-04-24 14:52:031066 
4月23日，在上海車展上，英特爾發(fā)布第二代英特爾AI增強(qiáng)軟件定義汽車（SDV）SoC，并披露全新合作伙伴關(guān)系。第二代英特爾AI增強(qiáng)SDV SoC率先在汽車行業(yè)推出基于芯粒架構(gòu)的設(shè)計(jì)，進(jìn)一步擴(kuò)展了
2025-04-23 21:20:461064 
2025 年 4 月 23 日，上海 ——今日，在上海車展上，英特爾發(fā)布第二代英特爾AI增強(qiáng)軟件定義汽車（SDV）SoC，并披露全新合作伙伴關(guān)系。第二代英特爾AI增強(qiáng)SDV SoC率先在汽車行業(yè)推出
2025-04-23 14:26:07754 0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
2025-04-17 17:06:401384 和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET（絕緣柵雙極晶體管）便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢。
2025-04-17 16:20:38997 評估
搭建了一套動態(tài)測試平臺用于評估SiC MOSFET的開關(guān)特性。測試平臺采用C3M0075120K 型號的 SiC MOSFET，并配備 C4D10120A 續(xù)流二極管。柵極驅(qū)動芯片 UCC
2025-04-08 16:00:57
ROHM（羅姆）傳感器_MEMS選型指南
2025-04-01 15:58:37
3 高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求，羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能，為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。
2025-03-27 14:15:261187 
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。
2025-03-26 16:52:161889 
使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
2025年2月25日，F(xiàn)ramework在美國舊金山召開了盛大的第二代產(chǎn)品發(fā)布會。Framework發(fā)布了有史以來最大規(guī)模的一系列新品，包括Framework臺式機(jī)
2025-03-19 17:55:081327 
要點(diǎn) ??全新一代驍龍G系列平臺包括第三代驍龍G3、第二代驍龍G2和第二代驍龍G1，帶來定制化的卓越性能和沉浸式游戲體驗(yàn)。 ??驍龍G系列平臺支持玩家隨時(shí)隨地暢玩云端、主機(jī)、Android或PC游戲
2025-03-18 09:15:202366 
日前，在寧德時(shí)代的業(yè)績說明會上，寧德時(shí)代透露目前正在開發(fā)的第二代鈉電池性能指標(biāo)已與磷酸鐵鋰電池接近。后期如果規(guī)?；瘧?yīng)用成本相比磷酸鐵鋰電池會有一定優(yōu)勢；而且耐低溫的特性會更有嚴(yán)寒應(yīng)用場景的適配需求
2025-03-17 11:18:0452688 英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321135 之后，又打出的一把大牌。 據(jù)悉，比亞迪第二代刀片電池的能量密度提升很大；達(dá)到35%，由一代刀片電池的整包140Wh/kg能量密度，提升至整包190Wh/kg。這意味著續(xù)航700公里的車，搭載第二代刀片電池后續(xù)航可以達(dá)到950公里。而且二代刀片
2025-03-13 18:16:192880 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
2025-03-12 15:53:221529 
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582463 
約翰迪爾(John Deere)在拉斯維加斯舉辦的2025年國際消費(fèi)電子展(CES 2025)上展示了多款新一代自動駕駛技術(shù)和機(jī)械。去年11月中旬，部分記者受邀前往該公司位于三大地質(zhì)斷層帶之間，存在地震風(fēng)險(xiǎn)的加利福尼亞州吉爾羅伊測試中心，提前體驗(yàn)這些技術(shù)和機(jī)械。當(dāng)天現(xiàn)場空氣中彌漫著濃郁的蒜香。
2025-03-11 10:34:571253 在2025年世界移動通信大會（MWC 2025）期間，紫光展銳攜手美格智能正式推出了基于紫光展銳V620平臺的第二代5G Sub6G R16模組SRM812，以超高性價(jià)比方案，全面賦能合作伙伴，加速5G規(guī)模化應(yīng)用在各垂直領(lǐng)域的全面落地。
2025-03-05 17:14:201876 探討專為低電池電壓領(lǐng)域的高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的先進(jìn) onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術(shù)。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎(chǔ)知識、M3S 技術(shù)和產(chǎn)品組合。本文為第二篇，將介紹電氣特性、參數(shù)和品質(zhì)因數(shù)、拓?fù)渑c仿真等。
2025-02-21 11:24:201802 
挑戰(zhàn)的日益復(fù)雜，ART-Pi迎來了全新的迭代——基于STM32H7R的ART-Pi二代，現(xiàn)已正式發(fā)布! ART-Pi二代在繼承一代優(yōu)秀基因的基礎(chǔ)上，進(jìn)行了全面的技術(shù)升級和優(yōu)化。它采用了更為先進(jìn)的STM32H7R處理器，不僅性能大幅提升，還集成了更多高性能外設(shè)和接口，
2025-02-18 14:31:441223 ART-Pi一代于2020年首次推出，憑借強(qiáng)悍性能、豐富資源與極簡開發(fā)體驗(yàn)，迅速成為嵌入式工程師的“開發(fā)利器”。為滿足不斷增長的市場需求和技術(shù)挑戰(zhàn)，基于STM32H7R的ART-Pi二代迭代啟航
2025-02-17 18:37:091580 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 17:21:182 原子鐘無法滿足體積或功耗要求，以及衛(wèi)星基準(zhǔn)可能受影響的情況下，提供穩(wěn)定而精確的計(jì)時(shí)功能。 近日，Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)正式推出了其第二代低噪聲芯片級原子鐘(LN-CSAC)，型號為SA65-LN。這款新產(chǎn)品在繼承了第一代產(chǎn)品的優(yōu)秀性能基礎(chǔ)
2025-02-08 14:15:32943 新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
2025-02-08 08:34:44972 安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，融合國內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開創(chuàng)功率密度新高度，在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達(dá)到行業(yè)巔峰，助力高效能源轉(zhuǎn)換和低能耗運(yùn)行
2025-02-07 11:26:421582 
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001994 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過對比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002731 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有低拐點(diǎn)電壓的新一代SiC MPS二極管.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:54:250 近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 2025年1月23日，中國上?！驹煞?(芯原，股票代碼：688521.SH) 宣布其與無線通信技術(shù)和芯片提供商新基訊科技有限公司 (簡稱“新基訊”) 聯(lián)合推出經(jīng)量產(chǎn)驗(yàn)證的云豹系列第二代5G RedCap/4G LTE雙模調(diào)制解調(diào)器 (Modem) IP——云豹2。
2025-01-23 10:03:141122 。 羅姆半導(dǎo)體表示，此次高層調(diào)整旨在加快構(gòu)建堅(jiān)實(shí)的管理基礎(chǔ)，進(jìn)一步提升企業(yè)價(jià)值。東克己作為羅姆半導(dǎo)體的高級管理執(zhí)行官，目前負(fù)責(zé)質(zhì)量、生產(chǎn)、通用器件業(yè)務(wù)和模塊業(yè)務(wù)，并兼任下屬公司羅姆阿波羅的負(fù)責(zé)人。 在新聞發(fā)布會上，東克己坦誠地表
2025-01-22 14:01:481111 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
隨著驍龍8至尊版移動平臺的廣泛應(yīng)用，多款搭載該平臺的智能手機(jī)已陸續(xù)發(fā)布。其中，不少機(jī)型采用了第二代高通3D Sonic超聲波指紋解鎖技術(shù)，為用戶帶來了更為出色的解鎖體驗(yàn)。 作為高通新一代超聲波指紋
2025-01-21 14:56:331345 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《驅(qū)動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-21 13:59:122 目前，已有多款搭載驍龍8至尊版移動平臺的新機(jī)陸續(xù)發(fā)布，其中不少機(jī)型采用第二代高通3D Sonic超聲波指紋解鎖，為用戶帶來了更為便捷、高效的解鎖體驗(yàn)。作為高通新一代超聲波指紋解鎖解決方案，第二代高
2025-01-21 10:05:301520 BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載持續(xù)呈指數(shù)級增長，存儲層也需要同等的性能提升才能跟上步伐。第二代 AMD Versal Premium 系列器件為各種存儲應(yīng)用提供了巨大優(yōu)勢，包括企業(yè)級 SSD、加密/壓縮加速器
2025-01-15 14:03:461088 全球領(lǐng)先的Wi-Fi HaLow芯片供應(yīng)商摩爾斯微電子，近日正式推出了備受業(yè)界矚目的第二代系統(tǒng)級芯片(SoC)——MM8108。這款芯片基于IEEE 802.11ah標(biāo)準(zhǔn)，再次鞏固了摩爾斯微電子在
2025-01-14 13:45:221800 來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點(diǎn)。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)。可見，SiC這一市場在汽車領(lǐng)域頗有潛力。 不過，近幾年國內(nèi)SiC
2025-01-09 09:14:05976 
瑞芯微近期推出了第二代8nm高性能AIOT平臺——RK3576。RK3576應(yīng)用方向指向工業(yè)控制及網(wǎng)關(guān)，云終端，人臉識別設(shè)備，車載中控，商顯等等。參數(shù)方面，內(nèi)置了四核Cortex-A72+四核
2025-01-09 08:03:232156 
第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存儲器和數(shù)據(jù)帶寬，具備 CXL 3.1、PCIe Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能，可滿足當(dāng)今和未來數(shù)據(jù)中心、通信
2025-01-08 11:50:231297 在全新的數(shù)字浪潮中，虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)和混合現(xiàn)實(shí)(MR)技術(shù)不斷刷新著人們的感官體驗(yàn)。作為這些技術(shù)的核心驅(qū)動力，平臺的性能升級也變得尤為重要。高通打造的第二代驍龍XR2+平臺，能夠帶來更加清晰沉浸的MR和VR體驗(yàn)，為開啟沉浸式未來提供更多可能。
2025-01-07 10:28:341865 
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