大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:34
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在本文中，我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù)，以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541594 
。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311373 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性?xún)r(jià)比
2025-08-19 14:45:005067 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車(chē)輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:081369 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在現(xiàn)今的電源設(shè)計(jì)中，更低的靜態(tài)電流能夠在不影響系統(tǒng)性能的同時(shí)延長(zhǎng)電池壽命，更低的EMI通過(guò)減少輻射發(fā)射降低了系統(tǒng)滿(mǎn)足EMI標(biāo)準(zhǔn)的成本，更低的噪聲和更高的精度增強(qiáng)了功率
2022-11-29 01:04:002449 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:491311 
了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽柵
2024-03-19 18:13:184422 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專(zhuān)為提升汽車(chē)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET （一種表面貼裝器件）。它將三個(gè)應(yīng)用整合在一起，在一個(gè)尺寸僅為425 x 865 x 160 mm3的緊湊封裝中實(shí)現(xiàn)了三個(gè)一系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，具有重要
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱(chēng)D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿(mǎn)足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
是優(yōu)化效率。通過(guò)控制轉(zhuǎn)子電流的幅度和相角，使得提供一個(gè)真正的無(wú)功功率組件成為可能。通常情況下，通過(guò)磁場(chǎng)矢量控制可做到這一點(diǎn)。為此，轉(zhuǎn)子電流按照笛卡兒坐標(biāo)系統(tǒng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，隨后再轉(zhuǎn)換成復(fù)雜數(shù)值范圍。該復(fù)雜
2018-12-04 09:57:08
可靠性是我們在開(kāi)展電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程中常常繞不開(kāi)的問(wèn)題。例如，客戶(hù)需要我們提供相關(guān)的可靠性預(yù)計(jì)報(bào)告，客戶(hù)需要我們的產(chǎn)品提供相應(yīng)的可靠性試驗(yàn)報(bào)告，或者企業(yè)內(nèi)部需要控制產(chǎn)品質(zhì)量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
（low-k）材料在應(yīng)力下的擊穿風(fēng)險(xiǎn)。
晶圓級(jí)可靠性測(cè)試系統(tǒng)Sagi. Single site system
WLR的測(cè)量?jī)x器主要是搭配的B1500A參數(shù)分析儀,WLR測(cè)試包括熱載流子注入
2025-05-07 20:34:21
區(qū)域。氮化鋁的導(dǎo)熱系數(shù)幾乎是氧化鋁的五倍，用于熱跳線芯片，以保持緊湊電子組件冷卻，從而提高產(chǎn)品的可靠性。“對(duì)需要板級(jí)熱管理的緊湊型大功率組件的需求正在不斷增長(zhǎng)，”TT Electronics應(yīng)用與營(yíng)銷(xiāo)
2019-05-05 10:27:10
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿(mǎn)足設(shè)計(jì)工
2018-12-06 09:46:29
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
，此時(shí)由于二極管反向恢復(fù)所產(chǎn)生的峰值電壓要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他型號(hào)MOSFET. 因此CoolMOS CFD2在LLC拓?fù)潆娫?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)發(fā)生啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過(guò)載，短路等異常情況下表現(xiàn)出更高的可靠性。圖8圖9同時(shí)我們在圖
2018-12-05 09:56:02
。所有這些應(yīng)用都需要具備更高功率密度的先進(jìn)半導(dǎo)體系統(tǒng)。此類(lèi)功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅(jiān)固性和長(zhǎng)使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動(dòng)條件下的堅(jiān)固性和可靠性不僅是牽引應(yīng)用關(guān)注的焦點(diǎn)，同時(shí)也
2018-12-03 13:49:12
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計(jì)人
2012-04-28 10:21:32
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
功率密度 12V VIN 至 24V/7A 倍壓器如圖 2 所示，該解決方案的大致尺寸為 23mm x 16.5mm x 5mm，而功率密度高達(dá) 1500W/in3。圖 2：估計(jì)的解決方案尺寸高效率由于在
2018-10-31 11:26:48
覆蓋-40℃至+85℃（部分型號(hào)達(dá)-40℃至+93℃），適應(yīng)復(fù)雜電磁環(huán)境和惡劣工況，確保高功率密度下的穩(wěn)定性。二、功率密度提升的實(shí)際價(jià)值空間受限場(chǎng)景的適配性：
在工業(yè)機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器、六軸機(jī)器人等空間
2025-10-22 09:09:58
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
些情況下，也觀察到最小偏差，證實(shí)了SiC MOSFET在這些條件下的性能和可靠性。柵極氧化物是碳化硅MOSFET的關(guān)鍵元素，因此其可靠性非常重要。柵極氧化物可靠性的評(píng)估分為兩部分。第一部分基于TDDB（時(shí)間
2019-07-30 15:15:17
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類(lèi)問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)/混和動(dòng)力電動(dòng)車(chē)（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
泛的現(xiàn)代電子系統(tǒng)?，F(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性表現(xiàn)為，在規(guī)定條件下，系統(tǒng)準(zhǔn)確無(wú)誤運(yùn)行的能力．突出了可靠性的軟件和運(yùn)行中的失誤概率。可靠性設(shè)計(jì)則是在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中，保證運(yùn)行可靠的全部設(shè)計(jì)手段，甚至包括了產(chǎn)品
2021-01-11 09:34:49
可靠性設(shè)計(jì)是單片機(jī)應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計(jì)必不可少的設(shè)計(jì)內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細(xì)論述了單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點(diǎn)。提出了芯片選擇、電源設(shè)計(jì)、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
，但經(jīng)過(guò)多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試，GaN定會(huì)成為解決功率密度問(wèn)題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料的工作溫度和電壓下，對(duì)GaN裝置進(jìn)行了2000萬(wàn)小時(shí)的加速可靠性測(cè)試。在此測(cè)試時(shí)間內(nèi)，遠(yuǎn)程
2019-03-01 09:52:45
設(shè)計(jì)帶來(lái)更低的溫升更高的可靠性?！ ∧敲矗?b class="flag-6" style="color: red">在設(shè)計(jì)過(guò)程中如何才能提高電源模塊產(chǎn)品的功率密度呢?工程師可以從下面三個(gè)方向入手：第一，工程師可以在線路設(shè)計(jì)過(guò)程中采用先進(jìn)的電路拓樸和轉(zhuǎn)換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
）5mm×6mm FET這類(lèi)更新的方形扁平無(wú)引線（QFN）封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少，也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
的計(jì)算能力、感應(yīng)能力和功能集提出了更高要求。 然而，分配于執(zhí)行上述任務(wù)的空間并未增加，并且在很多情況下還要求減少占用的空間。這種形勢(shì)不斷提高了市場(chǎng)對(duì)密度更大和集成度更高的解決方案的需求，供電系統(tǒng)也不
2018-12-03 10:00:34
的情況下無(wú)縫更換這些模塊。非穩(wěn)壓可變 5-8V 電壓也可由 5-8V 穩(wěn)壓代替，不會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)造成任何干擾，從而可以保持互操作性。第二級(jí)第二級(jí)完全取決于所分配的電源。在1毫安負(fù)載情況下，第二級(jí)就像
2021-05-26 19:13:52
開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來(lái)了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過(guò)一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
如果您想根據(jù)功率密度比較電源，則需要對(duì)這個(gè)簡(jiǎn)單的定義作出充分的說(shuō)明。這里的輸出功率是指轉(zhuǎn)換器在最壞的環(huán)境條件下可以提供的連續(xù)輸出功率。環(huán)境溫度、最大可接受外殼溫度、方向、海拔高度和預(yù)期壽命都可能會(huì)影響相關(guān)功率能力…
2022-11-07 06:45:10
對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫?b class="flag-6" style="color: red">系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費(fèi)賬單。
2011-07-14 09:15:133531 在紐倫堡 PCIM Europe 2013 展會(huì)中（2013 年 5 月 14 日至 16 日），英飛凌科技股份有限公司 （FSE:IFX / OTCQX:IFNNY） 推出完全符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的全新 EconoDUAL? 3 IGBT 模塊。
2013-07-09 15:49:212454 2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251416 
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過(guò)
2020-10-20 15:01:151460 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:023163 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開(kāi)關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:225141 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對(duì)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中的牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術(shù)之上，能夠在高性能應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:472100 
更高的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗來(lái)減小電路磁性元件和其他無(wú)源元件的尺寸和成本，從而在不影響效率和成本的情況下實(shí)現(xiàn)顯著的功率密度改進(jìn)。
2022-08-04 09:01:58998 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車(chē)應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:114328 
幾十年來(lái)，能夠?yàn)殚L(zhǎng)壽命的一次性軍事應(yīng)用提供高速率功率的電池幾乎沒(méi)有變化?，F(xiàn)在，新一代大功率鋰電池已經(jīng)上市，提供獨(dú)特的性能，功能，包括更高的容量和能量密度，可靠性，瞬時(shí)激活和COTS優(yōu)勢(shì)。
2022-10-27 14:18:293846 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在現(xiàn)今的電源設(shè)計(jì)中，更低的靜態(tài)電流能夠在不影響系統(tǒng)性能的同時(shí)延長(zhǎng)電池壽命，更低的EMI通過(guò)減少輻射發(fā)射降低了系統(tǒng)滿(mǎn)足EMI標(biāo)準(zhǔn)的成本，更低的噪聲和更高的精度增強(qiáng)了功率
2022-11-29 07:15:101577 隨著汽車(chē)行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車(chē)對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問(wèn)題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對(duì)稱(chēng)溝槽柵既
2023-11-28 08:13:571746 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿(mǎn)足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411774 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021124 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">更高能效和功率密度的不斷增長(zhǎng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專(zhuān)為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:051068 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿(mǎn)足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)SiC? MOSFET，針對(duì)圖騰柱
2024-04-19 14:45:26788 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 擴(kuò)展至400V領(lǐng)域，并推出了全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿(mǎn)足了AI服務(wù)器電源(PSU)日益增長(zhǎng)的功率需求，同時(shí)保持了服務(wù)器機(jī)架規(guī)
2024-05-29 11:36:221603 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在不影響性能或占用空間的情況下隔離您的CAN系統(tǒng).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-29 10:49:290 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性?xún)r(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 半導(dǎo)體器件 650 V產(chǎn)品組合。 這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術(shù)，在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:072096 市場(chǎng)對(duì)于30V解決方案需求的持續(xù)增長(zhǎng)。這款經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)的功率MOSFET，憑借高可靠性和易用性，專(zhuān)為滿(mǎn)足廣泛的大眾市場(chǎng)應(yīng)用需求而生，提供了極大的設(shè)計(jì)靈活性。其適用場(chǎng)景涵蓋了工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)備、電池管理系統(tǒng)以及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。
2024-09-30 16:15:581767 如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過(guò)提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時(shí)，向更高的功率水平過(guò)渡。為滿(mǎn)足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX
2024-10-25 08:04:451458 在當(dāng)今快速發(fā)展的工業(yè)應(yīng)用中，追求更低功率損耗與更高功率水平已成為行業(yè)共識(shí)。為了滿(mǎn)足這一迫切需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了革命性的CoolSiC?肖特基二極管2000V G5。
2024-10-29 11:34:311073 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試，并在光伏客戶(hù)導(dǎo)入驗(yàn)證。
2025-03-01 09:27:101307 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性?xún)r(jià)比提高了15%，是各種
2025-06-09 17:45:191087 的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專(zhuān)為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車(chē)充電
2025-08-01 17:05:091507 加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時(shí)用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021599 。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專(zhuān)為滿(mǎn)足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不
2025-10-31 11:00:59297 EVAL-COOLSIC-2kVHCC評(píng)估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測(cè)試平臺(tái) 在電力電子領(lǐng)域，工程師們一直在尋找性能更優(yōu)、可靠性更高的功率器件及測(cè)試方案。今天，我們就來(lái)深入
2025-12-19 17:00:15447 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類(lèi)電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06518
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