英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiC MOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率變換系統(tǒng)等。

英飛凌推出采用62mm封裝的CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合

增強(qiáng)型M1H芯片技術(shù)顯著拓寬了柵極電壓窗口，即使在高開(kāi)關(guān)頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng)器和布局引起的感應(yīng)電壓尖峰時(shí)的高可靠性。此外，極低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗可以最大限度地降低散熱需求。2000V的電壓等級(jí)，滿足現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的高耐壓要求。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，變換器的設(shè)計(jì)可以變得更有效率，單個(gè)逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本。

62mm采用銅基板設(shè)計(jì)和螺母功率端子，該封裝是高魯棒性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可提高系統(tǒng)可用性、降低服務(wù)成本和減少停機(jī)損失。通過(guò)強(qiáng)大的溫度周次能力和150°C的連續(xù)運(yùn)行結(jié)溫（Tvjop）實(shí)現(xiàn)出色的可靠性。其對(duì)稱(chēng)的內(nèi)部封裝設(shè)計(jì)使得橋臂中上下管具有相同的開(kāi)關(guān)條件?？梢赃x裝預(yù)涂熱界面材料（TIM），進(jìn)一步提高模塊的熱性能。

采用62mm封裝的1200V CoolSiC MOSFET有5mΩ/180A、2mΩ/420A和1mΩ/560A三種型號(hào)可供選擇。2000V產(chǎn)品組合將包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號(hào)。1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型號(hào)將于2024年一季度推出。該系列產(chǎn)品還有用于評(píng)估模塊高速特性（雙脈沖/連續(xù)工作）的評(píng)估板可供選擇。