本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯?duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262550 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:372627 ℃)，適用于高溫環(huán)境;此外，高禁帶寬度使 SiC 的本征載流子濃度更低，從而大幅減小了器件的漏電流。SiC 具有更高的熱導(dǎo)率，使 SiC 器件在相同散熱系統(tǒng)下可耗散掉更高的熱量，從而提升功率密度;同時(shí) SiC 的高熱導(dǎo)率有助于優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)，從而增強(qiáng)器件在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性。
2025-12-05 10:05:177281 
近年來(lái)，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2835239 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
通過(guò)電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
代表，SiC材料、器件已經(jīng)列入國(guó)家“十四五”科技規(guī)劃，其具有電壓高、損耗低、耐高溫工作等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于電力電子裝備高效化、小型化具有重要作用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC材料的這些優(yōu)良特性，需要通過(guò)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)高效
2023-02-27 14:22:06
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測(cè)試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
汽車用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？國(guó)內(nèi)汽車用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？汽車用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:27:16
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
性能指標(biāo)同時(shí)進(jìn)行改善。來(lái)源：昌暉儀表yunrun.com.cn使用SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)等寬禁帶功率半導(dǎo)體的新元件技術(shù)為提高上述性能提供了技術(shù)基礎(chǔ)。同時(shí)由于開(kāi)關(guān)速度較快，因此需要新的封裝結(jié)構(gòu)
2018-08-05 14:56:21
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
光伏系統(tǒng)用中小功率逆變電源的現(xiàn)狀與展望
1引言
中小功率逆變電源是戶用獨(dú)立交流光伏系統(tǒng)中重要的環(huán)節(jié)之一，其
2009-07-10 09:17:32424 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4413374 無(wú)模型自適應(yīng)控制的現(xiàn)狀與展望，下來(lái)看看。
2016-05-05 14:06:42
10 立體視覺(jué)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，立體視覺(jué)需要用到圖像分割方法，這個(gè)論文是有關(guān)圖像分割的研究現(xiàn)狀與展望
2016-05-20 16:50:060 礦井提升機(jī)電控系統(tǒng)現(xiàn)狀及展望
2017-01-21 11:54:392 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:025379 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412107 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1815770 
隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:505048 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:236393 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:321017 SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒(méi)有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點(diǎn)需要突破和解決，下面我們就來(lái)看看SiC IGBT的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)。
2020-10-30 14:13:297176 先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用寬禁帶技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來(lái)的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:4629 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0013729 
的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0964 前言 近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通
2021-08-13 15:22:003062 《OTFS技術(shù)研究現(xiàn)狀與展望》論文
2021-12-30 09:27:063 較低的帶隙、臨界電場(chǎng)和熱導(dǎo)率會(huì)導(dǎo)致高傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及較差的高溫性能。碳化硅 （SiC） 的大帶隙和臨界電場(chǎng)允許具有更薄層的高壓器件，從而降低電阻以及相關(guān)的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。結(jié)合 SiC 的大熱導(dǎo)率，通過(guò)簡(jiǎn)化的熱管理，可以在高功率
2022-02-24 14:55:432728 控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
2022-04-11 13:44:4410190 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元件的使用，從而進(jìn)一步降低
2022-06-15 16:00:342401 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠(yuǎn)未達(dá)到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:282833 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點(diǎn)
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:472664 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102963 碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率半導(dǎo)體器件的最新發(fā)展進(jìn)行回顧，包括碳化硅功率二極管、MOSFET、IGBT，并對(duì)其在電力系統(tǒng)的應(yīng)用現(xiàn)狀與前景進(jìn)行展望。
2023-01-31 09:45:483743 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211334 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 功率器件到底在半導(dǎo)體中扮演著什么角色呢？在本文中，我們將從功率器件的概況、市場(chǎng)分布與競(jìng)爭(zhēng)格局、國(guó)內(nèi)外發(fā)展差
距以及國(guó)產(chǎn)化替代的現(xiàn)狀等幾個(gè)方面，簡(jiǎn)要探討一下功率器件行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢(shì)。
2023-02-16 15:11:218 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因?yàn)樗哂泻侠淼臒釋?dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:574998 的FBSOA。SiC可以用來(lái)制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:462452 根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè)，在未來(lái) 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長(zhǎng)率非常高。在Yole看來(lái)，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:162145 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163128 對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:571674 范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:583239 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169 
航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設(shè)計(jì)要求，限制了宇航電源技術(shù)的發(fā)展，因此SiC功率器件的替代應(yīng)用已勢(shì)在必行。
2023-10-18 10:34:311638 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過(guò)與Coherent的縱向合作來(lái)發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:171295 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:522610 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:461428 碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)大約是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:493692 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:432736 
SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:152810 
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段，特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對(duì)SiC功率器件的需求主要來(lái)自于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的升級(jí)需求，包括更高的電池容量和逆變器性能的提升。
2024-04-07 11:20:021215 
隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來(lái)的十年里將迎來(lái)全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì)，將來(lái)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設(shè)中來(lái)。01碳化硅功率器件采用
2024-04-30 10:42:082097 
SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，如高絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586011 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。
2024-10-16 11:36:311248 
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402036 
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37768 基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-14 07:32:011375 
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