本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術平臺的首選功率變換拓撲及關鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262550 近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領域，特別是
2019-07-05 11:56:2835239 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術作為其功率器件生產(chǎn)的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗，另一方面有效緩解了電動汽車的續(xù)航焦慮問題，因此廣受新能源車企的青睞。 從功率半導體供應商的角度來看，成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進行了性能測試和環(huán)境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應能力較強等特點。
2019-08-12 06:59:10
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節(jié)能和小型化貢獻巨大的功率元器件。SiC功率元器件關于SiC功率元器件，將分以下4部分進行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
標準的產(chǎn)品，并與具有高技術標準和高品質(zhì)要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
因為，為了應對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
的量產(chǎn)化，并于 2010 年全球首家成功實現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點和特性，更好地應用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
產(chǎn)品的小型化和輕量化。本文介紹了基于最新1.2kV 全SiC功率模塊開發(fā)的牽引用APS，憑借全SiC模塊的優(yōu)異特性，使得該APS的效率達到了97%以上。1、APS的工作原理圖1為APS的系統(tǒng)原理圖
2017-05-10 11:32:57
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
摘要： 什么是第一性原理？第一性原理如何指導我們的精益敏捷開發(fā)？阿里資深解決方案架構師、暢銷書《精益產(chǎn)品開發(fā)：原則、方法與實施》作者何勉，結合實踐案例，詳述第一性原理和精益敏捷的規(guī)?；?/b>實施。點此查看
2018-01-26 10:10:13
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨有
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
的開關電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
什么是無線射頻識別技術（RFID）？無線射頻識別技術在規(guī)?；?/b>奶牛場中有哪些應用？RFID在奶牛場應用中暴露的問題有哪些？
2021-05-20 06:44:32
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
和意法半導體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術引入主流射頻市場和應用領域的計劃，這標志著氮化鎵供應鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；?/b>和出色運營完美結合
2018-08-17 09:49:42
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 在三網(wǎng)融合及光進銅退的大背景下，國內(nèi)的FTTH已經(jīng)進入了大規(guī)模部署階段，本內(nèi)容討論了規(guī)模化FTTH建設下的ODN質(zhì)量探討
2011-12-12 14:14:421455 
引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:025379 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412106 
使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
國外政策和開放市場下的光儲規(guī)?；?/b>應用激勵來自于三個方面，一是政策支持力度加大，分布式能源和可再生能源規(guī)?；?/b>發(fā)展，光伏系統(tǒng)規(guī)?；?/b>應用顯現(xiàn);二是光伏系統(tǒng)成本下降，上網(wǎng)補貼支持減弱;三是電力市場逐步開放
2018-08-08 11:22:381449 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:505048 近年來，全球IPv6用戶普及度一直在快速提升。據(jù)Google統(tǒng)計，6月6日，全球IPv6用戶訪問比例達到32.51%，再創(chuàng)歷史新高。而隨著新基建風口來臨，作為核心基礎技術的IPv6更是在我國快速推進，規(guī)?；?/b>部署再提速。
2020-06-11 17:45:013063 2020上半年全球半導體SiC晶片市場份額，美國CREE出貨量占據(jù)全球45％，日本羅姆子公司SiCrystal占據(jù)20％，II－VI占13％；
2020-12-24 14:51:562530 2020年是5G大規(guī)模部署的關鍵一年，中國的基建速度尤其突出，2021年MWC上海展即將在2月舉行。
2021-01-25 16:25:30549 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0013729 
的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:09
64 前，華為 HarmonyOS 的官方微博已經(jīng)正式開通。華為鴻蒙有望在下月進行規(guī)?；?/b>推送。
2021-05-07 14:56:083077 最快在6月份華為鴻蒙系統(tǒng)有望正式開始規(guī)?；?/b>推送。
2021-05-07 17:27:283152 較低的帶隙、臨界電場和熱導率會導致高傳導和開關損耗以及較差的高溫性能。碳化硅 （SiC） 的大帶隙和臨界電場允許具有更薄層的高壓器件，從而降低電阻以及相關的傳導和開關損耗。結合 SiC 的大熱導率，通過簡化的熱管理，可以在高功率
2022-02-24 14:55:432728 最大的部分，成為射頻器件國產(chǎn)化能力較弱的短板。為了滿足國內(nèi)市場需求，以左藍微電子為代表的國內(nèi)射頻器件廠商通過技術提升和產(chǎn)能擴展，加速實現(xiàn)中高端射頻器件規(guī)?；?/b>量產(chǎn)。在5G窗口時期，左藍微電子乘風破浪，在中高端產(chǎn)品定位的基礎上成為國產(chǎn)射頻器件突圍樣本。
2022-04-25 10:44:451806 作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?；?/b>應用。
2022-06-21 14:40:572382 碳化硅 （SiC） 器件與高功率應用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關的散熱問題、管芯上與封裝相關的應變以及襯底可用性。
2022-08-09 10:13:162601 
8月底，后摩智能與新石器無人車簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將面向無人配送車的落地場景，就聯(lián)合研發(fā)、項目共建、市場拓展、供應鏈重塑等方面展開深入合作，充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，共同推動無人車產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化進程，加速無人配送車的規(guī)?；?/b>應用。
2022-09-02 16:54:021610 寬帶隙半導體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:231598 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:282833 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:472664 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102963 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:211334 
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:462452 根據(jù)市場分析機構 Yole 預測，在未來 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個功率器件市場的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:162145 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163128 SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關損耗等特性，能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域的追捧。
2023-06-09 15:20:531465 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:583239 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:455189 
航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設計要求，限制了宇航電源技術的發(fā)展，因此SiC功率器件的替代應用已勢在必行。
2023-10-18 10:34:311638 
三菱電機將投資Coherent的新SiC業(yè)務； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發(fā)展SiC功率器件業(yè)務。 三菱電機集團近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:171295 市場空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢加速
2023-01-13 09:07:052 隨著科技的不斷進步，電力電子設備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨特的優(yōu)勢逐漸受到人們的關注。
2023-12-06 09:53:182570 碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的絕緣擊穿場強大約是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:432736 
SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。 根據(jù)Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功率器件的需求主要來自于電動汽車動力系統(tǒng)的升級需求，包括更高的電池容量和逆變器性能的提升。
2024-04-07 11:20:021215 
、總經(jīng)理陳旭東應邀參會，并以"加速 AI 規(guī)?；?/b>應用，解鎖企業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力"為題作主旨演講。 他認為，在企業(yè)規(guī)模化應用AI的路徑中，最關鍵的是如何把企業(yè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為AI源泉，即用企業(yè)的數(shù)據(jù)去訓練大模型，讓其掌握企業(yè)獨特的知識和技能。新的AI時代已經(jīng)到來，
2024-07-15 16:13:06692 
今天，由北京市貿(mào)促會主辦、以“吸收外資，助力北京高水平對外開放”為主題的北京國際投資貿(mào)易洽談（京洽會）會在國家會議中心成功舉行。IBM 大中華區(qū)董事長、總經(jīng)理陳旭東應邀參會，并以“加速 AI 規(guī)模化應用，解鎖企業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力”為題作主旨演講。
2024-07-16 09:46:401166 
近年來，中國新能源乘用車產(chǎn)業(yè)在政策和市場的雙重驅(qū)動下，取得了顯著進展，尤其是在功率模塊國產(chǎn)化方面，更是邁出了堅實步伐。其中，SiC(碳化硅)領域更是迎來了前所未有的發(fā)展機遇，成為推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)
2024-08-02 11:01:57742 
SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學特性，如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導率等，在電力電子領域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應用前景。
2024-09-10 15:15:586011 汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。
2024-10-16 11:36:311248 
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402036 
BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 碳化硅行業(yè)觀察：國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來，碳化硅（SiC）功率器件市場雖高速增長，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來多家SiC器件設計公司接連倒閉，國內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933 
2025年碳化硅（SiC）功率器件設計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢，其背后是技術、資本、供應鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績”成為企業(yè)生存基礎的核心邏輯，與碳化硅器件
2025-02-26 07:08:491286 功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37768 近日，由北京市人民政府主辦的第 27屆中國北京國際科技產(chǎn)業(yè)博覽會在北京國家會議中心隆重召開。IBM 大中華區(qū)首席技術官、技術銷售總經(jīng)理翟峰先生作為受邀嘉賓出席了會議，并圍繞“加速企業(yè) AI 規(guī)模應用，釋放數(shù)智生產(chǎn)力”發(fā)表了精彩致辭。
2025-05-16 14:45:38756 規(guī)模化發(fā)展與豐富的行業(yè)應用，這也為AI提供連接血脈和數(shù)字通道。5G提供高帶寬、低時延的確定性網(wǎng)絡能力，支撐AI終端實時控制與數(shù)據(jù)增量訓練。
2025-06-12 09:36:452712 近日，隨著暑運大幕正式開啟，民航自主可控領域再傳捷報。中國航信和飛騰成功支持山東航空完成在濟南機場自助柜機軟硬件系統(tǒng)升級，實現(xiàn)了自助柜機百分百國產(chǎn)化。這也是飛騰CPU在航空公司離港應用市場的首次規(guī)?；?/b>商業(yè)推廣落地。
2025-07-10 15:43:33758 在電力電子技術飛速發(fā)展的當下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢，在新能源汽車、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411174 汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用
2025-12-14 07:32:011375 
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