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1.?寄生導(dǎo)通產(chǎn)生機(jī)理
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在半橋電路拓?fù)鋺?yīng)用中，當(dāng)?shù)瓦呴_關(guān)Q2導(dǎo)通時，高邊開關(guān)Q1的電壓變化dVDS/dt。因此，形成了對上管的寄生電容Cgd的充電電流iT。該電流通過米勒電梯Cgd,門極電阻以及電容Cgs形成回路，并對Cgd進(jìn)行充電 (電容Cgd和Cgs形成一個對VDS進(jìn)行分壓的電容分壓器)。當(dāng)在門極電阻上的電壓降超過了上管Q1的閾值開啟電壓，這時候就發(fā)生了所謂的米勒導(dǎo)通或者米勒效應(yīng)。在此過程中，不斷上升的漏極電位通過米勒電容Cgd 上拉Q2的門極電壓。然而，門極關(guān)斷電阻試圖抵消且拉低電壓。但是如果電阻值不足以降低電壓，那么電壓可能會超過管子的閾值電壓，從而致使誤觸發(fā)的可能性，進(jìn)而導(dǎo)致故障發(fā)生。甚至可能損壞SiC器件。
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由誤觸發(fā)導(dǎo)致事件發(fā)生的風(fēng)險和嚴(yán)重程度主要取決于特定的操作條件和測試硬件。高母線電壓，電壓快速上升以及高結(jié)溫是比較關(guān)鍵的點。這些條件不僅會嚴(yán)重地上拉門極電壓，而且會降低閾值。硬件相關(guān)的主要影響包括：MOS管內(nèi)部寄生電容Cgd，Cgs以及門極關(guān)斷電阻等。
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由Cgd和Cgs電容所引起的寄生電壓會導(dǎo)致門極誤開通的可能性，進(jìn)而增加整個開關(guān)損耗，造成器件損壞風(fēng)險。參考下圖： △Vgs=△Vds*Cgd/(Cgs+Cgd), 若△Vgs> Vgs(th)，則MOS管有誤觸發(fā)的風(fēng)險。所以我們在產(chǎn)品選型時，需要充分參考器件本身的特性以及相關(guān)參數(shù)，盡可能選擇門限電壓高的產(chǎn)品。
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2.?如何減少寄生導(dǎo)通帶來的誤觸發(fā)
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為了減少器件誤差發(fā)的概率，提升產(chǎn)品的可靠性，我們可以從器件層面和應(yīng)用層面觸發(fā)，考慮對應(yīng)的措施和方法。
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A． 從應(yīng)用層面上考慮
1. 增加負(fù)壓關(guān)斷電壓Vgs off
?即使有寄生電容帶來的電壓△Vgs，當(dāng)使用負(fù)壓Vgs off來驅(qū)動時，可以抵消部分△Vgs ，從而使得△Vgs小于門限電壓Vgs(th)。從而避免誤差發(fā)的可能性。
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富昌設(shè)計小建議：?需要綜合考慮MOS管的寄生參數(shù)以Vgs 裕量來選擇合適的電壓，以確保產(chǎn)品的可靠性。
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2. 使用帶米勒（miller）鉗位的驅(qū)動
在設(shè)計驅(qū)動時，可以考慮采用帶米勒鉗位的驅(qū)動產(chǎn)品，從而可以有效鉗制門極電壓，使門極電壓不超過開通閾值電壓，避免誤觸發(fā)的風(fēng)險。
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富昌設(shè)計小建議：可以根據(jù)實際應(yīng)用需求，選擇帶有米勒鉗位或Desat保護(hù)的驅(qū)動芯片，從而簡化系統(tǒng)設(shè)計。
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B．從器件選型上考慮
1. 采用較高開通門限值Vgsth的器件
使用較高開通閾值門限電壓的器件，可以有效低降低誤差發(fā)的可能性。
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2. 使用合適變?nèi)荼菴gd/Cgs的器件
??通常來說，在器件選型時，可以根據(jù)寄生參數(shù)，選擇合適變?nèi)荼鹊腟iC產(chǎn)品，可以有效地降低誤觸發(fā)的風(fēng)險。
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一條粗略估算VGS 裕量的經(jīng)驗方法可供參考，對于600V的SiC產(chǎn)品，最好是選擇變?nèi)荼却笥?50。即Cgd/Cgs>150。此時可計算出△Vgs<4V。(注，由于各家工藝技術(shù)的不同，門限電壓也不盡相同，所以并不適合所有的產(chǎn)品。此處僅參考英飛凌的產(chǎn)品)
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富昌設(shè)計小貼士：此處參考的是英飛凌SiC產(chǎn)品，其門限電壓通常在4.5V左右。
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3.?VGS 裕量與VGSTH 漂移的平衡
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通過上面的計算和分析可知，雖然增加Vgs off負(fù)壓可以降低誤觸發(fā)的風(fēng)險，但是也不是越大越好，因為這會帶來門限電壓的漂移，且負(fù)壓越大，由此帶來的VGSTH漂移也越大。所以在設(shè)計時需要綜合考慮二者，尋求一個合理的平衡點。以下示意圖描述了這一點。 4.?總結(jié)
富昌電子在本文中，主要針對驅(qū)動設(shè)計時的寄生導(dǎo)通問題做了詳盡的分析和探討。并從器件選型和應(yīng)用層面上分別給了幾點建議。最后就VGS裕量以及VGSTH漂移做了簡單的闡述，由于二者是對立的，實際應(yīng)用中需要綜合考慮兩者之間的利弊關(guān)系，做出平衡選擇，這樣既能充分發(fā)揮SiC器件的特性，又能保證整個產(chǎn)品的可靠性。
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參考文獻(xiàn)：
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【1】分立式CoolSiC Mosfet 的寄生導(dǎo)通行為 ???Klaus Sobe, 英飛凌科技有限公司(奧地利).
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【2】1200 V SiC MOSFET and N-off SiC JFET performances and driving in high power-high frequency power converter – Bettina Rubino, Luigi Abbatelli, Giuseppe Catalisano, Simone Buonomo, PCIM Europe 2013.
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【3】Direct Comparison among different technologies in Silicon Carbide - Bettina Rubino, Michele Macauda, Massimo Nania, Simone Buonomo.
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【4】Direct Comparison of Silicon and Silicon Carbide Power Transistors in High-Frequency Hard-Switched Applications - John S. Glaser, Jeffrey J. Nasadoski, Peter A. Losee, Avinash S. Kashyap, Kevin S. Matocha, Jerome L.
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【5】CoolSiC Mosfet 1200V TTA 2020