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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>SiC MOSFET與Si MOSFET的性能對(duì)比和應(yīng)用對(duì)比說(shuō)明

      SiC MOSFET與Si MOSFET的性能對(duì)比和應(yīng)用對(duì)比說(shuō)明

      2020-09-29 | pdf | 0.18 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。

      　　SiC與Si性能對(duì)比

      　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為：擊穿電壓強(qiáng)度高（10倍于Si），更寬的能帶隙（3倍于Si），熱導(dǎo)率高（3倍于Si），這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場(chǎng)合。

      　　SiC MOSFET性能明顯優(yōu)于Si MOSFET

      　　1. 極其低的導(dǎo)通電阻RDS（ON），導(dǎo)致了極其優(yōu)越的正向壓降和導(dǎo)通損耗，更能適應(yīng)高溫環(huán)境下工作。

      　　2. SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的輸入特性，即相當(dāng)?shù)偷臇艠O電荷，導(dǎo)致性能卓越的切換速率。

      　　3. 寬禁帶寬度材料，具有相當(dāng)?shù)偷穆╇娏?，更能適應(yīng)高電壓的環(huán)境應(yīng)用。

      電阻 MOSFET 半導(dǎo)體
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