ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別解析

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPRO...

2017-12-02 標(biāo)簽：DRAMFLASHSRAM 3.4萬 0

瞄準(zhǔn)車載FPGA領(lǐng)域，高云半導(dǎo)體推小蜜蜂家族新品

中國廣東，2017年11月30日訊，廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“高云半導(dǎo)體”）宣布將向客戶提供支持汽車級溫度范圍的FPGA器件。此前，高云...

2017-11-30 標(biāo)簽：fpgasram高云半導(dǎo)體 9.9k 0

賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm 和 40nm SRAM 器件榮獲航空航天級 QML 認(rèn)證

加利福尼亞州圣何塞，2017年 11 月 15 日 —— 包括抗輻射存儲器在內(nèi)的先進嵌入式系統(tǒng)解決方案市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司 (納斯達克代碼：CY...

2017-11-17 標(biāo)簽：賽普拉斯sram聯(lián)華電子 1.3萬 0

四種存儲器的優(yōu)缺點及應(yīng)用

RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器...

2017-11-15 標(biāo)簽：dramromsram 1.3萬 0

雙口sram芯片，雙口SRAM特點

隨機存取存儲器（英語：Random Access Memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，臺灣、港澳稱作隨機存取記憶體，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部...

2017-11-03 標(biāo)簽：sramsram芯片 7.6k 0

SDRAM與SRAM的區(qū)別

SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態(tài)RAM需要設(shè)置...

2017-11-03 標(biāo)簽：sdramsram 6.1k 0

sram儲存器信息詳解

sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

2017-11-03 標(biāo)簽：sramsram儲存器 4.2k 0

如何選擇最適用的sram存儲器

sram（靜態(tài)隨機存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對一種特...

2017-11-03 標(biāo)簽：sramsram存儲器 3.4k 0

SRAM變速系統(tǒng)與SHIMANO變速系統(tǒng)的區(qū)別

Shimano的變速系統(tǒng)優(yōu)勢基本體現(xiàn)在飛輪的齒片齒形、后撥導(dǎo)輪、后撥的細(xì)膩反應(yīng)這些方面，而SRAM的變速系統(tǒng)的優(yōu)勢則體現(xiàn)在簡單的設(shè)計，迅速的反應(yīng)。

2017-11-03 標(biāo)簽：sramshimano 1.0萬 0

計算機的dram和sram有何區(qū)別

隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時...

2017-11-03 標(biāo)簽：dramsram 1.5萬 0

sram是什么，sram信息詳解

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則...

2017-11-03 標(biāo)簽：sram 1.3萬 0

MRAM接班主流存儲器指日可待

　　存儲產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取存儲（SRAM）的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲...

2016-03-09 標(biāo)簽：SRAM存儲技術(shù)MRAM 2.5k 1

10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC

一年一度的“國際固態(tài)電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。

2015-12-14 標(biāo)簽：sram10nmISSCC 1.7k 0

臺積電7納米SRAM早打贏三星，預(yù)告5納米制程要來了！

臺積電與英特爾、三星的先進製程競賽依舊打得火熱，10 奈米以下製程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于 11 月中搶先發(fā)表 10 奈米 FinFET 製程...

2015-12-05 標(biāo)簽：三星電子臺積電SRAM 1.2k 0

三星超車臺積電、英特爾，搶頭香推10納米SRAM

三星成功開發(fā)新世代SRAM，也代表其處理器制程工藝進階至10奈米的過程相當(dāng)順利，估計有望在2017年初進入全面量產(chǎn)，將使三星爭搶處理器代工訂單占得有利位置。

2015-11-19 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺積電 790 0

賽普拉斯針對掉電數(shù)據(jù)保存推出1Mb nvSRAM

非易失性RAM解決方案簡化了設(shè)計，無需電池并減少了管腳數(shù) 用于RAID存儲、工業(yè)自動化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用

2015-08-04 標(biāo)簽：賽普拉斯SRAMnvSRAM 2.6k 1

瑞薩電子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM

待機電流降低50%，有助于延長備用電池使用壽命

2015-07-31 標(biāo)簽：SRAM瑞薩電子RMLV1616A 1.8k 0