RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。

ROM(Read-Only Memory)只讀存儲器，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，資料并且不會因為電源關閉而消失。

SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。

DRAM（Dynamic RAM）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。

因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。
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SRAM的速率高、性能好，它主要有如下應用：

1）CPU與主存之間的高速緩存。

2）CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存。

SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

SDRAM（Synchronous DRAM）即同步動態(tài)隨機存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
FLASH 即閃存。它是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意 : NOR Flash 為字節(jié)寫存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
{NandFlash和NorFlash都是Flash的一種，都是散存，都是磁盤存儲介子，但是NandFlash一般比較大，而NorFlash都比較小，并且NorFlash比較貴，并且NorFlash寫的速度比較慢，但讀的速度比較快 ，而NandFlash讀的速度比較慢，寫的速度比較}
EEPROM 即電子可擦除只讀存儲器。EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等。
串行EEPROM（I2C SPI）
并行EEPROM
【flash按接口分有總線flash，SPI flash?？偩€flash需要你的MCU上有外部總線接口，SPI flash就是通過SPI口對flash進行讀寫。速度上，總線flash比SPI的快，但是SPI的便宜。】

常見的設備的存儲體系結構

一般的PC機：很小容量的BIOS（NorFlash）+ 很大容量的硬盤（類似于NandFlash）+ 大容量的DRAM。
一般的單片機：很小容量的NorFlash + 很小容量的SRAM。
一般的嵌入式系統(tǒng)：外接大容量Nand + 外接大容量DRAM + SoC內置SRAM。（因為NorFlash很貴，現(xiàn)在很多嵌入式系統(tǒng)傾向于不用NorFlash）