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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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這樣可以解決一個(gè)問(wèn)題，當(dāng)模塊升級(jí)后連接不了網(wǎng)絡(luò)的問(wèn)題。如果連接網(wǎng)絡(luò)失敗，可以將失敗的原因放到備份SRAM中，多次連接不上，BOOT檢測(cè)到這個(gè)現(xiàn)象，可以跳...

2021-03-09 標(biāo)簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)OTA 3.8k 0

SRAM是什么，它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么

隨著信息時(shí)代的到來(lái)，海量信息存儲(chǔ)、傳播和交流正在深刻改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)生活方式，然而信息技術(shù)在追求高性能、高速度的同時(shí)，必須重視國(guó)家信息安全和個(gè)人隱私安全。...

2021-03-03 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 7.3k 0

XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，它有哪些特點(diǎn)

XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)，顯著提高了存儲(chǔ)器密度，...

2021-02-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 8.8k 0

可穿戴設(shè)備中電池使用壽命對(duì)于良好的用戶體驗(yàn)至關(guān)重要

可穿戴設(shè)備應(yīng)用中的顯示屏消耗了大部分電池電力。解決方法之一是直接提高電池容量，但是大容量電池會(huì)加大尺寸和重量，對(duì)可穿戴設(shè)備不合適，尤其是在市場(chǎng)不斷追求更...

2021-02-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 894 0

SDRAM與DDR之間的主要差異是什么

內(nèi)存可分為DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種存儲(chǔ)器都是揮發(fā)性的內(nèi)存，SRAM的主要使用flip-flop正反器，通常用于快?。?..

2021-02-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 4.4k 0

PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中可以替代SRAM或SDRAM

PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新...

2021-01-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 2.7k 0

512Kx16低壓超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，...

2021-01-20 標(biāo)簽：sram STM32 1.7k 0

帶有ECC的異步SRAM存儲(chǔ)器可適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域

賽普拉斯憑借可服務(wù)于各種高可靠性工業(yè)，通信，數(shù)據(jù)處理，醫(yī)療，消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與老一代異步SRAM兼容...

2021-01-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.5k 0

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EE...

2021-01-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.4k 0

SRAM和DRAM的介紹，它們的原理以及特點(diǎn)是怎樣的

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有...

2021-01-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.3萬(wàn) 0

臺(tái)積電談實(shí)現(xiàn)5nm的關(guān)鍵技術(shù)

? ? 進(jìn)入最近幾年，每當(dāng)我們引入一個(gè)新的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，大家都把絕大多數(shù)注意力集中在光刻更新上。引用的常用指標(biāo)是每平方毫米的晶體管或（高密度）SRAM位...

2021-01-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電 sram 光刻機(jī) 4.4k 0

SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存，內(nèi)存類型包括哪些

SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲(chǔ)器是用于計(jì)算的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器塊。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器通常是指在單個(gè)硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元。內(nèi)存類型包括：易失...

2021-01-07 標(biāo)簽：sram 內(nèi)存 MRAM 1.3k 0

EEPROM和FLASH在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合中均無(wú)法替代SRAM

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。眾所周知，普通SRAM在電源掉電后，其中的數(shù)據(jù)隨即消失，再次加電后，存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)...

2021-01-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.2k 0

詳細(xì)介紹集各種存儲(chǔ)器優(yōu)異性能于一身的MRAM

MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱。經(jīng)過(guò)10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，...

2021-01-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 1.8k 0

SRAM與DRAM的區(qū)別，你真的明白嗎

如若某一天，某種通用存儲(chǔ)器或殺手級(jí)存儲(chǔ)器將能夠同時(shí)替代SRAM，DRAM和閃存。在可預(yù)見的未來(lái)，雖然下一代存儲(chǔ)技術(shù)仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，但它們可以...

2020-12-24 標(biāo)簽：DRAM IC設(shè)計(jì)sram 1.9k 0

NV-SRAM將成為寫日記應(yīng)用程序的理想非易失性存儲(chǔ)解決方案

RAID存儲(chǔ)系統(tǒng)概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson，Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期...

2020-12-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 756 0

NV-SRAM與BBSRAM的對(duì)比，誰(shuí)的優(yōu)勢(shì)更加明顯

隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。 BBS...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.2k 0

詳細(xì)介紹NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)

隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 ...

2020-12-22 標(biāo)簽：嵌入式 sram 3.3k 0

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢(shì)是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供...

2020-12-22 標(biāo)簽：電源電路 sram 908 0

關(guān)于游戲機(jī)電池供電的SRAM解決方案的說(shuō)明

游戲機(jī)是一種主要用于娛樂(lè)，使用只向獲得許可的軟件開發(fā)者開放的源代碼，以電視機(jī)或其他專用顯示器以及專用輸入設(shè)備的電腦系統(tǒng)。其與個(gè)人計(jì)算機(jī)最大的區(qū)別在于源代...

2020-12-18 標(biāo)簽：電池管理 sram 游戲機(jī) 1.6k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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