詳細(xì)介紹NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點。

BBSRAM是什么？BBSRAM又稱BatRAM，它是嵌入式單封裝中多個芯片和電池元件的組合。電池可以集成在封裝中，同集成在塑料DIPS中相似。還可以將該電池安裝在封裝頂層上，然后機(jī)械地添加一個類似于SOIC中使用的上蓋。按照訪問其他SRAM的方式訪問BBSRAM。當(dāng)供電電壓（VCC）低于指定電壓電平時，內(nèi)部電池將被打開以維持存儲器中的內(nèi)容，直到VCC返回到有效條件為止。

NV-SRAM是什么？賽普拉斯NV-SRAM是一種快速靜態(tài)RAM（SRAM），且每個存儲器單元中都包含非易失性單元。采用SONOS技術(shù)，可以將嵌入式非易失性單元制造成世界上最可靠的非易失性存儲器。SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)無限次的讀寫周期，同時獨立的非易失性數(shù)據(jù)則被存儲在高度可靠的SONOS單元內(nèi)。斷電時通過使用VCAP引腳上連接的小型電容上保存的電荷，將數(shù)據(jù)從SRAM中自動轉(zhuǎn)移到非易失性單元中（自動存儲操作）。加電時數(shù)據(jù)會從非易失性存儲器單元重新存儲到SRAM內(nèi)（加電回讀操作）。“存儲”和“回讀”操作也可以在軟件控制下執(zhí)行。

NV-SRAM的優(yōu)點

同一個多組件的解決方案相比，NV-SRAM是一個單片解決方案，它帶有一個小型的外部電容。因此與BBSRAM解決方案相比，它的優(yōu)點更多。

BBSRAM內(nèi)部

一個BBSRAM包括三個主要組件：標(biāo)準(zhǔn)的SRAM、電壓傳感器和開關(guān)芯片，以及鋰電池。每個BBSRAM模塊都具有一個自帶的鋰電池和控制電路（用于監(jiān)控VCC，以免發(fā)生超出容差范圍）。如果發(fā)生這種情況下鋰電池會自動打開，并且寫保護(hù)功能會被無條件使能，以避免破壞數(shù)據(jù)?？蓤?zhí)行的寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要支持微處理器接口的其他電路。圖1顯示的是BBSRAM的框圖。

圖1.BBSRAM框圖

NV-SRAM內(nèi)部

NV-SRAM技術(shù)就是將SRAM和EEPROM技術(shù)結(jié)合在同一個芯片上。每一個SRAM單元都包含一個非易失性EEPROM元件。在SRAM模式下，存儲器作為普通的靜態(tài)RAM使用，其操作速率則為SRAM速度。在非易失性模式下，SRAM數(shù)據(jù)將從EEPROM并行傳輸/回讀或并行傳輸/回讀到EEPROM內(nèi)。使用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技術(shù)生產(chǎn)EEPROM可以提供高產(chǎn)量，并且與浮柵加工技術(shù)相比，它需要的掩膜更少。SONOS技術(shù)其他主要優(yōu)點表現(xiàn)在：完善的設(shè)計和生產(chǎn)過程，帶有CMOS微邏輯的良好可積分性，并且低功耗。用戶數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)不受限制，因為將這些數(shù)據(jù)寫入到標(biāo)準(zhǔn)SRAM內(nèi)。在產(chǎn)品的使用壽命期間，可以將EEPROM的存儲周期次數(shù)修改為100多萬次。傳輸數(shù)據(jù)時不需要任何電池。當(dāng)將數(shù)據(jù)從SRAM傳輸?shù)紼EPROM內(nèi)所需的電源由外部電容提供時，在斷電期間，將自動進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。NV-SRAM還與時鐘邏輯配合使用，用于創(chuàng)建非易失性RTC組件。圖2顯示的是NV-SRAM的框圖。

圖2.NV-SRAM框圖

NV-SRAM與存儲器控制器的典型連接從功能角度來講，在正常工作條件下的NV-SRAM讀/寫操作與獨立SRAM完全相同。使用并行I/O結(jié)構(gòu)，用戶可以方便地存儲數(shù)據(jù)或從地址位設(shè)置所定義的存儲器位置上提取數(shù)據(jù)。子序列存儲器周期可以位于這個位置或其他位置上，發(fā)生的順序是任意的，寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要任何額外的支持微處理器接口的電路。

圖3.典型的NV-SRAM連接

當(dāng)VCC下降到低于閾值（VSWITCH）時，賽普拉斯的NV-SRAM會進(jìn)入自動存儲模式，并且通過將DQ總線上拉到高阻抗?fàn)顟B(tài)并忽略在該器件的地址和控制線上所發(fā)生的所有轉(zhuǎn)換，禁止器件上發(fā)生的所有讀/寫操作。

技術(shù)特性曲線比較

除商業(yè)利益外，與nvBBSRAM相比，SRAM還有很多技術(shù)優(yōu)勢。具體包括：

?數(shù)據(jù)保留時間和產(chǎn)品使用壽命—數(shù)據(jù)保留時間指的是數(shù)據(jù)存儲環(huán)境開始惡化前數(shù)據(jù)可以存儲多久。產(chǎn)品使用壽命指的是生產(chǎn)某個器件后該器件可以運(yùn)行多久。

?性能

?加電時器件的功能—從功能角度來講，NV-SRAM和BBSRAM對加電要求比較相同：

-NV-SRAM將EEPROM中的數(shù)據(jù)自動傳輸?shù)絊RAM內(nèi)

-BBSRAM從鋰電源自動切換到VCC電源

?電路板空間

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2025-06-21 00:57:00

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國產(chǎn)SRAM存儲芯片CSS6404LS-LI

CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線）和 QPI（四線）模式，默認(rèn)上電為 SPI 模式，可通過指令切換至

2025-06-06 15:01:36

季豐推出SRAM錯誤地址定位黑科技

近期受晶圓廠委托，季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后，通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。

2025-06-03 10:08:45

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微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？是 SRAM 嗎？

我對 PMG1 閃光燈有疑問。 1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？是 SRAM 嗎？ 2.微控制器加載軟件時，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位？

2025-05-23 06:22:31

鎖相放大相機(jī)在NV色心成像中的應(yīng)用

方法。其通過鎖相放大相機(jī)可以同步各個像素采集特定頻率熒光信號。實驗表明，該方法可實時解析NV色心熒光強(qiáng)度在一定磁場強(qiáng)度下的周期性響應(yīng)，進(jìn)而測量實驗所施加的磁場強(qiáng)度。

2025-05-19 12:04:00

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NV—G30錄像機(jī)電源電路原理與檢修

NV—G30、G33錄像機(jī)磁鼓不轉(zhuǎn)故障的檢修

2025-05-17 15:34:45

如何使用CYUSB3KIT-003使用GPIO訪問SRAM的應(yīng)用程序？

你好。我是CYUSB3的初學(xué)者。我想創(chuàng)建一個使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 訪問 SRAM 的應(yīng)用程序。目前我已經(jīng)在我的電腦上安裝了SDK，但是有什么參考資料嗎？

2025-05-14 06:51:40

DS3640 DeepCover安全管理器，帶有I2C接口和1KB無痕跡、電池備份的加密SRAM技術(shù)手冊

DeepCover 嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級的密鑰存儲安全保護(hù)。 DeepCover安全管理器(DS3640)是一款具有1024字節(jié)加密SRAM的安全

2025-05-13 11:22:05

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笙泉液面?zhèn)蓽y器/衡器/CAN等方案展示介紹 (@2025慕尼黑上海電子展)

Cortex?-M0單片機(jī)●最多128KB Flash 16KB SRAM●1.8V-5.5V電壓供電●內(nèi)置1組OPA，2組模擬比較器●LCD驅(qū)動支持最多8個COM/40個SEG●LQFP80封裝支持最多73個

2025-04-23 15:56:45

電池分選機(jī)詳細(xì)介紹

在當(dāng)今這個科技飛速發(fā)展的時代，電池作為能源存儲的重要載體，其性能的一致性和穩(wěn)定性對于各類電子設(shè)備和電動汽車等應(yīng)用至關(guān)重要。而電池分選機(jī)，作為電池生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，正扮演著越來越重要的角色。本文

2025-04-14 16:23:05

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S32G3有沒有辦法從.map文件確定SRAM使用情況？

我有 NXP S32G3 板。我有 .map 文件。有沒有辦法從 .map 文件確定 SRAM 使用情況。非常感謝幫助。

2025-04-08 06:00:58

如何使用S32 Design Studio for ARM將自定義數(shù)據(jù)放入SRAM中以進(jìn)行S32K146？

如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數(shù)據(jù)放入 SRAM 中以進(jìn)行S32K146？

2025-04-01 08:27:32

S32K312無法使用int_sram_shareable SRAM存儲數(shù)據(jù)怎么解決？

我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項目。我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）： int_dtcm int_sram

2025-03-27 07:16:12

ESB 協(xié)議有什么優(yōu)點呢?

Enhanced ShockBurst (ESB)協(xié)議具有以下優(yōu)點：低功耗通信 - ESB提供低功耗的無線通信，這對于電池供電的IoT設(shè)備尤為重要。ESB用戶指南指出：“ESB provides

2025-03-24 14:50:07

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Molex薄膜電池有什么用?-赫聯(lián)電子

。　　產(chǎn)品特性：　　1、陽極和陰極之間的距離更小　　與單層結(jié)構(gòu)相比，垂直層疊結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點：　　? 中間點內(nèi)阻更低　　? 峰值電流更大　　? 可用容量更大　　? 基底面更小　　2、無重金屬

2025-03-21 11:52:17

Nordic nPM2100：為原電池供電藍(lán)牙低功耗產(chǎn)品帶來超長續(xù)航！

大家好！今天給大家?guī)硪豢罘浅Ｓ辛系漠a(chǎn)品——Nordic的 nPM2100 電源管理 IC。這款芯片專為延長原電池供電藍(lán)牙低功耗產(chǎn)品的電池壽命而生，可以說是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的“續(xù)航神器”！超高效升壓

2025-03-20 16:52:22

TPS760系列具有使能功能的 50mA、16V、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

TPS760xx 是一款專為電池供電而設(shè)計的 50mA 低壓差（LDO）穩(wěn)壓器應(yīng)用。專有的 BiCMOS 制造工藝使 TPS760xx 能夠提供出色的在電池供電作至關(guān)重要的所有規(guī)格中均具有性能。

2025-03-17 09:37:26

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TPS761系列具有反向電流保護(hù)的 100mA、16V、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

TPS761xx 是一款專為電池供電而設(shè)計的 100mA 低壓差（LDO）穩(wěn)壓器應(yīng)用。專有的 BiCMOS 制造工藝使 TPS761xx 能夠提供出色的在電池供電作至關(guān)重要的所有規(guī)格中均具有性能。

2025-03-14 18:15:12

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請問STM32訪問FPGA內(nèi)部SRAM部分區(qū)域為何只能讀不能寫？

采用STM32F427+FPGA+Flash。 STM32通過FMC總線訪問FPGA內(nèi)部SRAM，起始地址為0x60000000； Flash中存儲FPGA的配置數(shù)據(jù)，STM32和FPGA均可

2025-03-12 07:59:54

存儲器IC的應(yīng)用技巧 [日桑野雅彥]

本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，

2025-03-07 10:52:47

兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當(dāng)成一塊使用？

兩塊SRAM分別位于不同的基地址，有什么方法可以使這兩塊區(qū)域SRAM當(dāng)成一塊使用

2025-03-07 08:59:10

數(shù)據(jù)手冊#TPS7A16-Q1 汽車類 100mA、60V、超低 IQ、低壓差穩(wěn)壓器，具有電源正常和使能功能

TPS7A16-Q1 超低功耗、低壓差（LDO）穩(wěn)壓器具有超低靜態(tài)電流、高輸入電壓和小型化、高熱性能封裝等優(yōu)點。 TPS7A16-Q1 專為連續(xù)或偶發(fā)（備用電源）電池供電應(yīng)用而設(shè)計，在這些應(yīng)用中，超低靜態(tài)電流對于延長系統(tǒng)電池壽命至關(guān)重要。

2025-03-05 10:09:28

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日本機(jī)房托管和自建數(shù)據(jù)中心相比有哪些優(yōu)點

日本機(jī)房托管和自建數(shù)據(jù)中心相比有哪些優(yōu)點，日本機(jī)房托管與自建數(shù)據(jù)中心相比，具有以下優(yōu)點，主機(jī)推薦小編為您整理發(fā)布日本機(jī)房托管和自建數(shù)據(jù)中心相比有哪些優(yōu)點。

2025-03-05 09:42:42

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具有大型嵌入式SRAM，用于一般MCU應(yīng)用程序的指紋芯片-P1032BF1

P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機(jī)，專為Wi-Fi /藍(lán)牙通信控制而設(shè)計；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，可應(yīng)用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應(yīng)用。

2025-03-04 09:27:09

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TPS7A16A-Q1 具有電源正常功能的汽車級 100mA、關(guān)斷電池（60V）、超低 IQ、低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

TPS7A16A-Q1 超低功耗、低壓差（LDO）穩(wěn)壓器具有超低靜態(tài)電流、高輸入電壓和小型化、高熱性能封裝等優(yōu)點。 TPS7A16A-Q1 專為連續(xù)或偶發(fā)（備用電源）電池供電應(yīng)用而設(shè)計，在這些應(yīng)用中，超低靜態(tài)電流對于延長系統(tǒng)電池壽命至關(guān)重要。

2025-02-28 14:26:30

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DS1243 64k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容

2025-02-28 10:31:43

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DS1321靈活的非易失控制器，帶有鋰電池技術(shù)手冊

帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被

2025-02-28 10:00:43

985

DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

890

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

747

DS17885 3V/5V實時時鐘技術(shù)手冊

，DS17485和DS17885 (下文以DS17x85代替)提供一個實時時鐘/日歷，一個定時鬧鐘，三個可屏蔽中斷(共用一個中斷輸出)，可編程方波輸出和114字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17x85還集成

2025-02-27 15:15:29

970

DS17487 3V/5V實時時鐘技術(shù)手冊

2025-02-27 15:11:05

949

DS17485 3V/5V實時時鐘技術(shù)手冊

2025-02-27 14:23:52

1059

DS17287 3V/5V實時時鐘技術(shù)手冊

2025-02-27 14:14:39

870

數(shù)據(jù)手冊#TPS7A16A 100mA、60V、5μA 靜態(tài)電流、低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，具有電源正常和使能功能

TPS7A16A 超低功耗、低壓差（LDO）穩(wěn)壓器具有超低靜態(tài)電流、高輸入電壓和小型化、高熱性能封裝等優(yōu)點。該 TPS7A16A 專為連續(xù)或零星（備用電源）電池供電應(yīng)用而設(shè)計，在這些應(yīng)用中，超低靜態(tài)電流對于延長系統(tǒng)電池壽命至關(guān)重要。

2025-02-27 13:40:52

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