存儲背后的大腦:NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的?
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圍繞在基于 NAND 閃存的存儲系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲時,只會談?wù)?/strong> NAND 閃存,而忽略了控制器這一獨(dú)立但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢?簡而言之,沒有它什么都行不通。
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NAND 閃存控制器,或簡稱“控制器”,專為不同的接口(如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB)而設(shè)計,具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點(diǎn)是管理 NAND 閃存上的數(shù)據(jù)。這種存儲技術(shù)在過去十年里變得越來越流行,如果沒有它,就無法想像我們今天的世界會是什么樣子。
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NAND 閃存技術(shù)向 3D 結(jié)構(gòu)的穩(wěn)步發(fā)展,在復(fù)雜的控制器和固件的幫助下,成功取代HDD,成為最廣泛使用的大容量存儲介質(zhì)。同時,為執(zhí)行諸如糾錯、映射、垃圾收集和數(shù)據(jù)刷新等任務(wù),控制器面臨的挑戰(zhàn)也越來越大。那么,一個控制器及其固件相對于另一個有什么優(yōu)勢,又有什么區(qū)別呢?
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控制器及其基本功能
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控制器是任何 NAND 閃存存儲系統(tǒng)背后的大腦。它確保從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)被發(fā)送到閃存并可以在以后檢索。它將主機(jī)系統(tǒng)的讀/寫/狀態(tài)命令轉(zhuǎn)換并修改為閃存組件的各種讀/寫/狀態(tài)命令。它還將主機(jī)的邏輯塊地址 (LBA) 或由文件系統(tǒng)管理的扇區(qū)地址轉(zhuǎn)換為閃存上的地址,這些地址被組織成塊和頁面。該控制器確保雙方的兼容性并處理任何固有的閃存缺陷。
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為什么不使用小程序?qū)?shù)據(jù)寫入閃存呢?肯定不會那么難的!
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NAND閃存本質(zhì)上并不可靠。這是因?yàn)?a target="_blank">半導(dǎo)體(其中 NAND 閃存是其中一種)受到使用過程中變熱的顯著壓力。此外,電子在矽內(nèi)部遷移,隨著時間的推移破壞內(nèi)部結(jié)構(gòu)。由于熱會使得電子移動,所有老化過程都隨著熱的增加而呈指數(shù)加速。半導(dǎo)體內(nèi)的幾何形狀或單元結(jié)構(gòu)越小,器件就越容易受到這些影響。今天的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)比以往任何時候都小,需要大量的開發(fā)來充分解決這些影響。
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同時,不同的應(yīng)用領(lǐng)域有不同的要求。用于消費(fèi)產(chǎn)品的半導(dǎo)體,每天6 小時,每周 5 天,主要在室溫下工作 5 年的設(shè)計,與在室外環(huán)境中 24/7 工作超過 10 年的工業(yè)產(chǎn)品的設(shè)計方式不同。同時,每個區(qū)域需要存儲的數(shù)據(jù)量也在不斷增加。閃存開發(fā)人員對此的回答要進(jìn)入第三維度。
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較新總是較佳!我們?nèi)ベI 3D 閃光燈吧,它也較便宜,不是嗎?
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基于NAND閃存的設(shè)備具有功耗低、速度快、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。矽芯片的成本與面積成比例,并且很大程度上與上面的內(nèi)容無關(guān)。因此,NAND閃存每字節(jié)的成本取決于在任何給定尺寸的芯片上可以存儲多少位。在這方面,有幾種技術(shù)已被用于提高 NAND 閃存的存儲密度。
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第一種技術(shù)是減小每個單元的大小。然而,這種尺寸的減小達(dá)到了它的邏輯極限。它還導(dǎo)致了一些不良副作用,例如更大的泄漏電流和更高的錯誤率。。
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另一種技術(shù)是在每個單元中存儲更多位?,F(xiàn)代閃存不再是只能存儲一位數(shù)據(jù)的單級單元 (SLC),而是每個單元可以存儲兩個 (MLC)、三個 (TLC) 或四個 (QLC) 位,并且這種發(fā)展仍在繼續(xù)。這意味著需要精確的編程和測量。雖然這項技術(shù)增加了存儲密度,但考慮到較低的性能、較短的壽命和較高的錯誤率,因此它也只是一種折衷辦法。
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3D NAND 閃存的主要優(yōu)勢是降低了每字節(jié)的成本。這是因?yàn)樾酒耐粎^(qū)域可以容納更多位。 3D NAND 芯片中的存儲單元比 2D 設(shè)備中的存儲單元更緊密,它們分散在表面的外側(cè)?,F(xiàn)代閃存不是在芯片表面放置存儲單元陣列,而是創(chuàng)建多層存儲單元,以在矽片內(nèi)創(chuàng)建完整的三維結(jié)構(gòu)。這允許在同一區(qū)域內(nèi)獲得更大的存儲容量,同樣重要的是,與數(shù)據(jù)的連接更短,這反過來又允許更快的數(shù)據(jù)傳輸。
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雖然 3D NAND 閃存在存儲容量和每字節(jié)成本方面可能是正確的選擇,但 3D NAND 閃存的有效使用在很大程度上取決于閃存控制器??刂破髦行枰獜?fù)雜的機(jī)制來有效地管理大內(nèi)存容量,最大限度地減少單元編程的影響,并確保高聳的單元結(jié)構(gòu)內(nèi)的最大壽命和可靠性。
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那么,一個好的控制器有什么特點(diǎn)呢?
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控制器的功能和特性范圍存在許多差異?;旧峡梢詫⒖刂破鞣譃閮深悾夯?DRAM 的控制器和無 DRAM 控制器。
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無 DRAM 控制器非常適合用于需要絕對數(shù)據(jù)可靠性的工業(yè)環(huán)境或應(yīng)用(醫(yī)療技術(shù)設(shè)備或移動式的無線電臺)。帶有 DRAM 的控制器可以實(shí)現(xiàn)更高的性能,但是,在可靠性方面,無 DRAM 控制器是更好的選擇,因?yàn)樗鼈兛梢员WC將數(shù)據(jù)傳輸?shù)?NAND 閃存上。在突然斷電的情況下,一旦不再供電,由基于 DRAM 的控制器處理的數(shù)據(jù)將丟失通過 DRAM 緩存的數(shù)據(jù)。此外,少一個組件也就少了一個成本、考慮和潛在的復(fù)雜性。
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電池會隨著時間的推移而老化并失去其充電狀態(tài); 單元格的值“翻轉(zhuǎn)”并發(fā)生所謂的位翻轉(zhuǎn)。控制器可以檢測這些不正確的位并在糾錯的幫助下對其進(jìn)行彌補(bǔ)。然而,如果這些位錯誤累積,控制器必須采取對策。大多數(shù)閃存控制器都包含一種刷新算法,該算法可以檢測數(shù)據(jù)何時變舊并因此變得不穩(wěn)定,例如,通過時間戳或記錄位錯誤統(tǒng)計信息。較便宜的控制器僅在讀取數(shù)據(jù)時檢測和檢查數(shù)據(jù),即僅當(dāng)主機(jī)請求讀取時。更復(fù)雜的控制器將所有數(shù)據(jù)的驅(qū)動器掃描安排為另一個后臺維護(hù)操作。
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隨著時間的推移,讀取頁面中的塊也會對相鄰頁面的物理數(shù)據(jù)質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響。為了解決這個問題,控制器具有讀取干擾管理,可監(jiān)控閃存中的讀取并根據(jù)需要更新周圍數(shù)據(jù)。
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自我監(jiān)控、分析和報告技術(shù) (SMART) 提供有關(guān) NAND 閃存的運(yùn)用狀況和壽命的信息。它允許用戶根據(jù)各種屬性監(jiān)控閃存設(shè)備的壽命。例如,可以對備用塊、擦除操作、讀取總數(shù)或 ECC 錯誤總數(shù)進(jìn)行計數(shù),如果可以從閃存中檢索相應(yīng)的數(shù)據(jù),則可以準(zhǔn)確估計壽命。此功能是 ATA 接口的標(biāo)準(zhǔn)功能。但是,在為 Hyperstone 控制器所設(shè)計的其他高要求的應(yīng)用中,此功能也適用于其他接口,例如 USB 或 SD 和相應(yīng)的 dem。借助對特定用例的了解,基于 SMART 數(shù)據(jù),也可以相應(yīng)地調(diào)整設(shè)計。根據(jù)要求,控制器和固件可以在成本、性能或可靠性方面進(jìn)行優(yōu)化。
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這些高端功能是否也適用于 SD 卡或 USB 驅(qū)動器?
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是的,事實(shí)上,對于這些被設(shè)計成便宜的產(chǎn)品,有一個平行的宇宙,一個由控制器、固件、制造和存儲供應(yīng)商組成的生態(tài)系統(tǒng),其重點(diǎn)是可靠性和長期可用性。
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Hyperstone 的新 SD 控制器 S9 采用交鑰匙固件設(shè)計,可滿足最苛刻應(yīng)用的需求。為了延長使用壽命和提高數(shù)據(jù)完整性,控制器包括 FlashXE? ECC 和 hyReliability? 功能。 hyMap? Flash 轉(zhuǎn)換層確保只有最小的寫入放大和最高的耐用性。結(jié)果:高效使用 NAND 閃存并降低故障率。功能范圍由 hySMART? 監(jiān)控工具補(bǔ)充??梢允褂脩?yīng)用程序編程接口 (API) 在 S9S 版本的 Hyperstone 控制器中實(shí)現(xiàn)的附加安全功能。
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在存儲系統(tǒng)和控制器方面,無論是接口選項還是質(zhì)量,都有很多選擇。為了實(shí)現(xiàn)一個兼顧性能和可靠性以及成本和收益的設(shè)計,需要大量的洞察力和經(jīng)驗(yàn)。 Hyperstone 不僅可以從設(shè)計和咨詢的角度提供幫助,還可以提供一系列控制器和完整的解決方案,例如針對特殊應(yīng)用進(jìn)行固件定制的 μSD 卡。如果數(shù)據(jù)存儲對您的應(yīng)用程序至關(guān)重要,或者故障會導(dǎo)致代價高昂的停機(jī)時間,那么謹(jǐn)慎選擇控制器和存儲技術(shù)是關(guān)鍵。
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快閃存儲器控制器選擇技巧
現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:02
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1646手機(jī)、pc該怎樣正確選擇快閃存儲器
代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言,控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要,借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:00
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4993使用基于其Arria 10 SoC的存儲參考設(shè)計,NAND閃存的使用壽命將加倍
了一片Arria 10 SoC和集成雙核ARM Cortex-A9處理器,同時采用了Mobiveil的固態(tài)硬盤(SSD)控制器,以及NVMdurance的NAND優(yōu)化軟件。這一參考設(shè)計提高了NAND應(yīng)用的性能和靈活性,同時延長了數(shù)據(jù)中心設(shè)備的使用壽命,從而降低了NAND陣列的成本。
2018-08-24 16:47:00
1282
1282從NAND閃存中啟動U
為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存,如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動,則會給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器,也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01
1884
1884東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品
東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元(SLC)NAND閃存,并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能(ECC)。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:00
2440
2440存儲控制器芯片巨頭競爭激烈 國產(chǎn)化時代來臨
通常我們所說的存儲芯片主要是指閃存顆粒,實(shí)際上存儲里面的芯片還包括存儲控制器芯片。以這幾年大熱的SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品為例,SSD通常包括PCB(含供電電路)、存儲芯片NAND閃存、主控制芯片、接口等
2018-11-07 16:59:29
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6267關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析
由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:24
2507
2507你知道NAND閃存的種類和對比?
由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:34
6339
6339
存儲級內(nèi)存克服了NAND閃存的局限性 因而勢必會取而代之
存儲級內(nèi)存(SCM)這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容,但兼具DRAM的速度,最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:18
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1033存儲級內(nèi)存(SCM)克服NAND閃存局限性 勢必取而代之
存儲級內(nèi)存(SCM)克服了NAND閃存的局限性,因而勢必會取而代之。 存儲級內(nèi)存(SCM)這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容,但兼具DRAM的速度,最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:43
5407
5407程序員到底是做什么的
很多人問程序員是是做什么的?或者問IT是做什么的?對于非IT行業(yè)的人很難有時間慢慢解釋清楚,下面我結(jié)合自己的理解談一談吧。
2019-02-12 16:17:54
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10971SM3267超高速USB 3.0閃存驅(qū)動器控制器的詳細(xì)介紹
SM3267是一個USB 3.0單通道閃存驅(qū)動器控制器,為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對于USB 3.0閃存磁盤應(yīng)用程序,此控制器支持多達(dá)4個NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:00
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33NAND閃存介紹及NAND閃存的優(yōu)缺點(diǎn)
NAND閃存與機(jī)械存儲設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯誤檢測(并且可能是校正)電路,但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:57
11959
11959
如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率
任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00
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1103
固態(tài)硬盤存儲的數(shù)據(jù)會丟失嗎
閃存(NAND)的數(shù)據(jù)存儲是把電子禁錮在柵極里,實(shí)際上,溫度越高,電子越活躍,越有可能跑掉一部分,時間一長,很多電子跑掉后,數(shù)據(jù)就有可能丟失。實(shí)際上JEDEC組織早已對SSD定下了標(biāo)準(zhǔn):
2020-02-22 16:44:45
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24262業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?
2020年4月13日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:52
3480
3480長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世
長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:00
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3612長江存儲128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb
長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:01
4518
4518NAND閃存類型機(jī)選擇技巧
通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46
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1288
SK海力士出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)!
據(jù)國外媒體報道,SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:15
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2718NAND Flash 的存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計
Nand flash是flash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:08
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5423
基于NAND Flash ControllerSRAM存儲器的參考設(shè)計
查看NAND閃存控制器的參考設(shè)計。 http://m.makelele.cn/soft/有成千上萬的參考設(shè)計,可幫助您使項目栩栩如生。
2021-01-07 23:30:02
1
1NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD
NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:14
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4997
存儲控制器系統(tǒng)級硬件仿真與原型驗(yàn)證性能
拆分)的驗(yàn)證總監(jiān)。 存儲控制器作為一種很“常見”的 SoC,是所有 NAND 閃存的接口。盡管近些年出現(xiàn)了 3D NAND,但從存儲控制器的角度而言其實(shí)沒帶來什么實(shí)質(zhì)變化。 驗(yàn)證過程的核心是綜合利用
2021-03-19 09:37:06
3214
3214NAND Flash控制器的設(shè)計與驗(yàn)證
Flash控制器正成為一種趨勢。 本文討論了Flash Memory的兩種主流實(shí)現(xiàn)技術(shù)即NAND Flash和NOR Flash 的特點(diǎn)和區(qū)別,分析了市場上存在的NAND Flash的典型規(guī)格及其
2021-03-29 10:07:08
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19基于Cortex?-M的MCU上的EBI的NAND閃存接口
本文檔重點(diǎn)介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲器控制器(Static Memory Controller,SMC)的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:55
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11Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案
該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:56
2712
2712什么是汽車芯片 汽車芯片是做什么的
什么是汽車芯片?汽車芯片是做什么的?芯片是一種半導(dǎo)體元件,汽車芯片是控制汽車安全行駛的電子器件,汽車芯片主要分為功能芯片、功率半導(dǎo)體、傳感器三大類,即微控單元,主要負(fù)責(zé)算力。
2021-12-16 11:52:11
14463
14463NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?
在過去的幾十年里,NAND 對固態(tài)存儲設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗、晶體管門數(shù)和整體存儲系統(tǒng)開發(fā)成本。
2022-05-12 17:38:49
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5524
NAND 閃存滿足內(nèi)存控制器要求
內(nèi)存控制器的未來與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣,它們受摩爾定律的約束。雖然存儲類存儲器 (SCM) 可能會因新架構(gòu)而獲得關(guān)注,但存儲器控制器市場仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27
1429
1429
制造商推動3D NAND閃存的進(jìn)一步發(fā)展
全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上,尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:25
1511
1511ip地址是做什么的
如果你現(xiàn)在正在看我的這篇文章,那說明你已經(jīng)連接上了互聯(lián)網(wǎng)。說到互聯(lián)網(wǎng),你一定聽說 ip 地址這個概念,你知道 ip 地址是做什么的嗎?與之而來的還有公網(wǎng) ip ,私網(wǎng) ip ,你知道有什么區(qū)別嗎?
2022-09-16 10:03:49
4054
4054NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲時,他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡單地說,沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32
2427
2427
Yole:NAND閃存及控制器的市場趨勢
一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報告顯示,2020年起,NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長,2021年,NAND閃存市場份額達(dá)到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09
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1778
使用IAR編譯器在MAXQ微控制器上分配閃存和SRAM存儲器
中,以訪問存儲的數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記演示如何使用IAR嵌入式工作臺工具在MAXQ微控制器上分配和訪問閃存和SRAM存儲器。
2023-02-21 11:14:12
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2323
plc工程師是做什么的
plc工程師是做什么的 plc工程師需要了解客戶需求;根據(jù)圖紙整理點(diǎn)位,完成程序流程圖,接口變量表等相關(guān)文檔;熟練程序的編寫;完成現(xiàn)場調(diào)試,準(zhǔn)確采集到實(shí)時數(shù)據(jù),控制功能實(shí)現(xiàn)客戶需求;能夠與客戶建立
2023-03-14 15:01:42
4820
4820什么是3D NAND閃存?
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4228
4228NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:03
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NAND閃存特點(diǎn)及決定因素
字節(jié))。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分,實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息,因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:00
3700
3700典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析
這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年,NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度,以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:34
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3463
淺談閃存控制器架構(gòu)
分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09
1509
1509盤點(diǎn)芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片
盤點(diǎn)芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片 存儲主控芯片是一種集成電路芯片,用于控制和管理存儲設(shè)備。它負(fù)責(zé)管理多個存儲單元 (如內(nèi)存、固態(tài)硬盤、閃存卡等)之間的數(shù)據(jù)傳輸和存取操作
2023-10-25 12:43:00
4255
4255
性能超群的含閃存存儲器、8引腳PIC微控制器
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《性能超群的含閃存存儲器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-17 11:02:01
0
0STM32F10xxx微控制器的閃存存儲器燒寫手冊
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見,在本文中除特別說明外,統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:56
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6NAND存儲種類和優(yōu)勢
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
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NAND閃存是什么意思
NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:19
13075
13075NAND閃存和NOR閃存有什么區(qū)別
NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù),它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面對兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:27
7991
7991NAND閃存的發(fā)展歷程
NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動著存儲技術(shù)的進(jìn)步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理,將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:58
3370
3370調(diào)試MSP430系列微控制器上的閃存問題
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《調(diào)試MSP430系列微控制器上的閃存問題.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-09 10:27:26
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0EMMC和NAND閃存的區(qū)別
智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他電子設(shè)備中都有應(yīng)用。 1. 定義和歷史 NAND閃存 是一種非易失性存儲技術(shù),它允許數(shù)據(jù)在斷電后仍然被保留。NAND閃存最初在1980年代由東芝公司開發(fā),自那以后,它已經(jīng)成為存儲卡、USB驅(qū)動器、固態(tài)硬盤(SSD)和
2024-12-25 09:37:20
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4676NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:14
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