? ? ? ? 7月11日，2023慕尼黑上海電子展(Electronica China)在上海國家會展中心開幕，本屆展會以“融合創(chuàng)新、智引未來”為主題，匯聚半導(dǎo)體、無源器件、智能網(wǎng)聯(lián)&新能源汽車、傳感器、連接器、開關(guān)、線束線纜、電源、測試測量、印刷電路板、電子制造服務(wù)、先進(jìn)制造等企業(yè)，打造從產(chǎn)品設(shè)計到應(yīng)用落地的橫跨產(chǎn)業(yè)上下游的專業(yè)展示平臺，以創(chuàng)新技術(shù)促進(jìn)中國電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

????????普賽斯儀表致力于半導(dǎo)體測試高端裝備的國產(chǎn)化，攜全系列半導(dǎo)體電性能測試主力產(chǎn)品及半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試解決方案亮相本次展會，吸引眾多工程師和行業(yè)嘉賓前來體驗交流。

????????測試測量是整個電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)量控制的有效手段，半導(dǎo)體根據(jù)生產(chǎn)環(huán)節(jié)不同，質(zhì)量控制分為前道檢測、中道檢測和后道測試。前道檢測又稱為過程工藝檢測，面向晶圓制造，檢查光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等晶圓制造環(huán)節(jié)后產(chǎn)品加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計要求或存在影響良率缺陷，偏向物理性檢測；中道檢測面向先進(jìn)封裝，以光學(xué)等非接觸式手段針對重布線結(jié)構(gòu)、凸點與硅通孔等晶圓制造環(huán)節(jié)的質(zhì)量控制；后道測試主要面向晶圓檢測（CP，Circuit Probing）和成品測試（FT，F(xiàn)inal Test），檢查芯片性能是否符合要求，偏向電性能檢測。

????????圍繞半導(dǎo)體的電性能測試，普賽斯儀表現(xiàn)場展示了自主研發(fā)的源表系列(SMU)、脈沖恒流源 (FIMV)、高壓電源 (FIMV、FVMI)、脈沖恒壓源以及數(shù)據(jù)采集卡五大類產(chǎn)品，涵蓋直流源表、脈沖源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度的超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表，其穩(wěn)定性、可靠性、一致性得到廣泛的市場驗證。

聚焦第三代半導(dǎo)體快速發(fā)展下企業(yè)面臨的困境和挑戰(zhàn)，普賽斯儀表副總經(jīng)理兼研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人王承與現(xiàn)場嘉賓進(jìn)行了更深層次的探討。

SiC/IGBT?功率半導(dǎo)體器件測試

????????針對SiC/IGBT器件在測試中存在的測不準(zhǔn)、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表推薦一種基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案，具備更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓(3500V)和大電流(6000A)特性、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

GaN?功率半導(dǎo)體器件測試

????????針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構(gòu)成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。產(chǎn)品具有脈沖電流最高可至10A、脈沖寬度最小可低至100ns；支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式等特點。產(chǎn)品可應(yīng)用于GaN的自熱效應(yīng)，脈沖S參數(shù)測試等場合。

????????科學(xué)儀器賽道長坡厚雪，國產(chǎn)替代需求強(qiáng)烈。普賽斯儀表將持續(xù)創(chuàng)新，不斷推動產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作聯(lián)動，以優(yōu)異的產(chǎn)品與服務(wù)助力客戶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)增值，共赴可持續(xù)未來。

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展會為期3天，7月11日-13日

展位號：6.2H C613

普賽斯儀表期待您的蒞臨！