● 恒定電阻R與線路串聯(lián)。電壓變化V1是R與電流階躍I1的

　　乘積。

　　●振蕩自然頻率f1取決于串聯(lián)的L和并入的C，f = 1/(2πLC)。

　　●阻尼時(shí)間常數(shù)T由L/R決定。

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　　圖5. 欠阻尼R-L-C電路的波形。

　　容性耦合噪聲

　　噪聲源至另一電路的容性耦合也會(huì)產(chǎn)生噪聲。此類(lèi)噪聲常見(jiàn)于具有快速升降時(shí)間或高頻成分的信號(hào)靠近高阻抗電路的情況。雜散電容將信號(hào)快速沿耦合至相鄰電路，如圖6的電路模型所示。阻抗Z的性質(zhì)決定響應(yīng)波形。表1列出了典型電容。

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　　圖6. 雜散電容將噪聲耦合至高阻抗電路。

　　表1. 典型電容。

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　　容性拾取發(fā)生的方式、形狀和大小有多種。下面是幾個(gè)示例：

　　●TTL數(shù)字信號(hào)產(chǎn)生快速沿，典型上升時(shí)間為10納秒，電壓擺幅為5 V。如果Z是1兆歐電阻，即使0.1pF也會(huì)產(chǎn)生5 V尖峰和100納秒的衰減時(shí)間常數(shù)。

　　●兩根相鄰導(dǎo)線間可能產(chǎn)生串?dāng)_。例如，如果兩根導(dǎo)線是10英尺(3米)長(zhǎng)度的電纜，電容為40 pF/英尺，則總電容為400 pF。如果在一個(gè)導(dǎo)體上施加1 kHz的10 V測(cè)試電壓，當(dāng)Z是10 k電阻時(shí)，1 kHz的250 mV電壓將耦合至相鄰導(dǎo)線。

　　●通過(guò)公共阻抗在交流電力線上產(chǎn)生的噪聲將耦合至其他電路。常見(jiàn)情況是瞬變通過(guò)電源變壓器的繞組間電容耦合。

　　令人驚奇的是，小小的電容竟能導(dǎo)致嚴(yán)重問(wèn)題。例如，考慮高抗擾度CMOS邏輯用于工業(yè)電路中的情況，電路中存在2500 V、1.5 MHz噪聲瞬變(IEEE標(biāo)準(zhǔn)472-1974)。假設(shè)CMOS輸入與噪聲源之間僅有0.1 pF的雜散電容，如圖7所示。計(jì)算出的噪聲電壓為2.4 V，穩(wěn)態(tài)下，50 V的初始瞬變將導(dǎo)致邏輯運(yùn)算錯(cuò)誤，甚至更壞的情況!

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　　圖7. 高壓瞬變從測(cè)試發(fā)生器耦合至邏輯。

　　磁耦合噪聲

　　電纜載送電流、分配交流電源時(shí)，以及機(jī)器、電源變壓器、風(fēng)扇等附近均可發(fā)現(xiàn)強(qiáng)磁場(chǎng)。磁耦合電路與容性耦合電路間存在類(lèi)似的關(guān)系，如圖8和表2所示。

　　● 噪聲為磁耦合時(shí)，電壓噪聲(Vn)表現(xiàn)為與接收機(jī)電路串聯(lián);而在容性情況下，接收機(jī)與地電壓間產(chǎn)生的電壓噪聲是噪聲電流in在Z中造成的電壓。

　　●降低接收機(jī)阻抗Z可減少容性耦合噪聲。磁耦合電路則不同;降低Z不會(huì)顯著減少電壓噪聲。

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　　圖8. 磁噪聲耦合與容性噪聲耦合的比較。

　　表2. 容性耦合與磁耦合的特性。

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　　此類(lèi)比可幫助我們考量容性耦合噪聲與磁耦合噪聲間的差異。

　　磁場(chǎng)在閉合環(huán)路(單匝)內(nèi)的感應(yīng)電壓Vn由下式給出：

　　Vn = 2πfBA cosθ×10-8 (1)

　　單位為伏特，其中f是正弦變化通量密度的頻率，B是通量密度的均方根值(高斯)，A是閉合環(huán)路面積(cm2)，θ是B與面積A的角度。

　　例如，考慮圖9所示電路。它顯示的是兩個(gè)一英尺導(dǎo)體的電壓計(jì)算，導(dǎo)體相隔1英寸，置于10高斯60 Hz磁場(chǎng)內(nèi)(對(duì)于風(fēng)扇、電源布線、變壓器很典型)導(dǎo)線內(nèi)最大感應(yīng)電壓為3 mV。

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　　上面公式說(shuō)明，噪聲電壓可通過(guò)降低B、A或cosθ來(lái)減少。要降低B項(xiàng)，可增加與磁場(chǎng)源的距離，在磁場(chǎng)由流經(jīng)導(dǎo)線對(duì)附近的電流引起的情況下，也可絞繞導(dǎo)線，通過(guò)交替方向?qū)舸艌?chǎng)降至零。