開(kāi)關(guān)的兩個(gè)重要特征：是否是瞬間接觸，開(kāi)關(guān)有沒(méi)有一個(gè)中間斷開(kāi)的位置。瞬間開(kāi)關(guān)包含主要的按鍵開(kāi)關(guān)，用于只需要短暫接通或斷開(kāi)的情況，瞬間接觸開(kāi)關(guān)有常閉和常開(kāi)兩種形式。中心斷位開(kāi)關(guān)在兩個(gè)接通位置之間附加了一個(gè)斷開(kāi)位置。必須注意的是并不是所有的開(kāi)關(guān)都有中心斷位或瞬間接觸的特性，這些特性必須說(shuō)明。

繼電器分三類：機(jī)械繼電器，舌簧繼電器，固態(tài)繼電器。

舌簧繼電器：由一對(duì)簧片組成，只要電流流過(guò)簧片就會(huì)彎曲。中等電流500ma~1000ma以及中等開(kāi)關(guān)速度的場(chǎng)合（0.2~2ms）。

機(jī)械繼電器：電流流過(guò)電磁線圈產(chǎn)生磁力把導(dǎo)電片由一個(gè)觸點(diǎn)拉向另一個(gè)觸點(diǎn)。用于大電流2~15A以及速度相對(duì)較慢的場(chǎng)合(10~100ms)。

固態(tài)繼電器：由半導(dǎo)體材料制成，只要在其半導(dǎo)體的PN結(jié)上外加電壓就可以使其呈開(kāi)關(guān)狀態(tài)。適用電流范圍很寬。固態(tài)繼電器包括晶體管和晶閘管，無(wú)磨損問(wèn)題，開(kāi)關(guān)速度極高，導(dǎo)通電阻高。

固態(tài)繼電器的主要參數(shù)

輸入?yún)?shù)：控制電壓，關(guān)斷電壓，開(kāi)啟電流，控制電流，

輸出參數(shù)：工作電壓，工作電流，通態(tài)壓降，泄漏電流，通斷時(shí)間，絕緣耐壓。

其他參數(shù)：工作溫度，感性負(fù)載，阻性負(fù)載，冷卻條件（自然風(fēng)冷）

固態(tài)繼電器由三部分組成：輸入電路，輸出電路，隔離（耦合）

輸入電路：電壓固定的信號(hào)采用阻性輸入，將電流控制在一定范圍。電壓變化范圍較大采用恒流電路。

固態(tài)繼電器的輸入輸出電路隔離和耦合有光電耦合和變壓器耦合兩種。

輸出電路：分為直流輸出，交流輸出和交直流輸出，直流輸出時(shí)可用雙極性器件或者場(chǎng)效應(yīng)管，交流輸出時(shí)通常使用兩個(gè)可控硅或者一個(gè)雙向可控硅。

選型與注意事項(xiàng)：

固態(tài)繼電器的選型主要是選取適當(dāng)?shù)念~定電流，而其額定電流需要根據(jù)不同的負(fù)載類型來(lái)選用，比如感性負(fù)載具有反電動(dòng)勢(shì)，容性負(fù)載相當(dāng)于短路等。

各種浪涌負(fù)載特性對(duì)固態(tài)繼電器的選擇：被控負(fù)載在接通瞬間會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電流，由于熱量來(lái)不及散發(fā)可能會(huì)使內(nèi)部的可控硅損壞，所以應(yīng)對(duì)被控負(fù)載的浪涌特性進(jìn)行分析，然后再選擇繼電器選擇時(shí)可參考各種負(fù)載時(shí)的降額系數(shù)。

一般在選用時(shí)除了遵循上述規(guī)則，低電壓要求信號(hào)失真小時(shí)可選用場(chǎng)效應(yīng)管做輸出的器件的直流固態(tài)繼電器，對(duì)于交流負(fù)載和多數(shù)感性負(fù)載，可選用過(guò)零型繼電器，可延長(zhǎng)負(fù)載和繼電器的壽命，也減小自身的射頻干擾。做相位輸出時(shí)，應(yīng)選用隨機(jī)性固態(tài)繼電器。

固態(tài)繼電器的優(yōu)點(diǎn)：

（1） 高壽命，高可靠：固態(tài)繼電器沒(méi)有機(jī)械零部件，有固體器件完成觸點(diǎn)功能，由于沒(méi)有運(yùn)動(dòng)的零部件，能在高沖擊高震動(dòng)的環(huán)境下工作。

（2） 靈敏度高，控制功率小，電磁兼容性好：固態(tài)繼電器的輸入范圍較寬，驅(qū)動(dòng)功率低，可與大多數(shù)邏輯集成電路兼容不需加緩沖器和驅(qū)動(dòng)器。

（3） 快速轉(zhuǎn)換：固態(tài)繼電器因?yàn)椴捎霉腆w器件，所以切換速度可從幾毫秒至幾微秒。

（4） 電磁干擾?。汗虘B(tài)繼電器沒(méi)有輸入線圈，沒(méi)有觸點(diǎn)燃弧和回跳，減少了電磁干擾。大多數(shù)交流輸出固態(tài)繼電器是零電壓開(kāi)關(guān)，在零電壓處導(dǎo)通，零電流處關(guān)斷。

固態(tài)繼電器的缺點(diǎn)：

（1） 導(dǎo)通后的管壓降大，可控硅和雙向控硅的正向壓降可達(dá)1~2V，大功率晶體管的飽和壓降也在1~2V之間。

（2） 半導(dǎo)體器件關(guān)斷后仍有數(shù)微安至數(shù)毫安的漏電流，不能實(shí)現(xiàn)理想隔離。

（3） 管壓降大，功耗和發(fā)熱量也大，大功率的固態(tài)繼電器體積遠(yuǎn)大于同容量的電磁繼電器，成本高。

（4） 電子元器件的溫度特性和電子線路抗干擾能力較差，耐輻射能力也較差。

雙極型晶體管，通常斷開(kāi)，NPN在BE之間加小電流與正向偏置電壓，PNP在BE之間加小電流與反向偏置電壓。允許EC之間有較大電流通過(guò)。小電流和電壓控制大電流。

結(jié)型場(chǎng)效益管，通常導(dǎo)通，N溝道GS之間加小的反偏電壓，P溝道GS之間加小的正偏電壓，不允許有較大電流通過(guò)DS。不需要柵極（D）電流。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性是當(dāng)它們的柵極與源極之間沒(méi)有電壓差時(shí)，它是導(dǎo)通的。在實(shí)際應(yīng)用中它的輸入阻抗會(huì)非常大，這個(gè)高阻抗意味著結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸入極小或者不輸入電流，因而，對(duì)連接到柵極的外部元器件或者電路沒(méi)有影響----沒(méi)有電流從控制電路流出，也沒(méi)有不需要的電流進(jìn)入控制電路。

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（耗盡型，增強(qiáng)型）

增強(qiáng)型：通常斷開(kāi)，N溝道GS之間加小的正偏電壓，P溝道GS之間加小的反偏電壓，允許有較大電流通過(guò)DS。不需要柵極（D）電流。

耗盡型：通常斷開(kāi)，N溝道GS之間加小的反偏電壓，P溝道GS之間加小的正偏電壓，允許有較大電流通過(guò)DS。不需要柵極（D）電流。

晶閘管：可控硅（SCR）正常時(shí)關(guān)斷，當(dāng)有一個(gè)小電流進(jìn)入控制級(jí)（G）時(shí)，SCR導(dǎo)通，即使當(dāng)控制級(jí)電流被除去，SCR依舊導(dǎo)通，為了關(guān)斷SCR，，其陽(yáng)極到陰極的電流必須為零或者在陽(yáng)極加一個(gè)比陰極更負(fù)的電壓。電流僅從陽(yáng)極（A）到陰極（C）。

硅可控開(kāi)關(guān)（SCS）。類似SCR，但是通過(guò)在其第四端加正電壓脈沖可以關(guān)斷，當(dāng)負(fù)電壓加在陽(yáng)柵極也能觸發(fā)，電流從陽(yáng)極到陰極。

雙向可控硅：類似SCR，雙向開(kāi)斷，可開(kāi)斷交流，僅當(dāng)控制級(jí)接受電流時(shí)雙向可控硅導(dǎo)通，電流通過(guò)MT1H和MT2雙向?qū)ā?/p>

0R電阻的作用

1. 做跳線2. 匹配參數(shù)不確定時(shí)用0R代替。3. 模擬地和數(shù)字地單點(diǎn)接地。4. 芯片電源旁邊接電容電容：

安規(guī)電容：電容器失效后不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全的安全電容器。安規(guī)電容通常只用于抗干擾電路中的濾波作用。