電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器成為可能。在設(shè)計(jì)研究中，在Traco Power 電源單元的 PFC 階段實(shí)現(xiàn)并測量了 GaN 晶體管的使用。對優(yōu)缺點(diǎn)以及相關(guān)的技術(shù)問題進(jìn)行了詳細(xì)的研究和描述。 近幾十年來，電力電子領(lǐng)域發(fā)展迅速。這主要是由于越來越快的半導(dǎo)體開關(guān)，這使得設(shè)計(jì)更小的用于存儲(chǔ)電能的組件成為可能
2021-10-14 15:33:00
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晶體管開關(guān)電路（工作在飽和狀態(tài)）在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中很常見。經(jīng)典的74LS、74ALS和其他集成電路內(nèi)部使用晶體管開關(guān)電路，但它們只有共同的驅(qū)動(dòng)能力。晶體管開關(guān)電路分為兩類，一類是經(jīng)典的TTL晶體管
2022-11-28 11:00:154216 晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計(jì)中十分常見。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開關(guān)電路，但只有普通的驅(qū)動(dòng)能力。三極管開關(guān)電路分為兩大類，一類是經(jīng)典的TTL三極管開關(guān)電路，一類是MOS管開關(guān)電路。 這里會(huì)介紹有關(guān)開關(guān)電路的知識，包括 TTL晶體管開關(guān)電路，蜂鳴器控制電路——無源蜂鳴器等等。
2023-02-15 09:12:452411 
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:2810231 
電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:382690 
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌；設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
開關(guān)電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET開關(guān)電路的設(shè)計(jì)，功率MOS電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，功率MOS開關(guān)電源的設(shè)計(jì)，進(jìn)晶體管開關(guān)電源的設(shè)計(jì)，模擬開關(guān)電路的設(shè)計(jì)，振蕩電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)M無線話筒的設(shè)計(jì)，
2025-04-14 17:24:55
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
型號的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達(dá)80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進(jìn)行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGN1090M800產(chǎn)品名稱： L波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對SiCP out-pk = 800w @ 128us / 2% / 50v1.090ghz操作頻率
2019-05-20 09:16:24
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGN2856S40產(chǎn)品名稱：晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測試負(fù)柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGT2731L120產(chǎn)品名稱： S波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
了功率晶體管的性能。如 (1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器?！ ∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
鰭式場效應(yīng)晶體管優(yōu)勢 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開關(guān)速度 更高的漏極電流（每個(gè)封裝的驅(qū)動(dòng)電流更大） 更低的開關(guān)電壓 低功耗 鰭式場效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開關(guān)打開，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
。 如何提高晶體管的開關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來加以考慮。（1）晶體管的開關(guān)時(shí)間：晶體管的開關(guān)波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個(gè)過程，關(guān)斷過程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過程
2019-09-22 08:00:00
。 如何提高晶體管的開關(guān)速度？——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來加以考慮。（1）晶體管的開關(guān)時(shí)間：晶體管的開關(guān)波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個(gè)過程，關(guān)斷過程又分為存儲(chǔ)和下降兩個(gè)過程
2019-08-19 04:00:00
的開關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
的內(nèi)部電路中也是采用這種技術(shù)。如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開關(guān)速度快，正向壓降比PN結(jié)小，準(zhǔn)確來說叫做肖特基勢壘二極管。由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來應(yīng)該
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
） 和芯片照片 （b） 的框圖 圖 8：48 V – 12 V 降壓轉(zhuǎn)換器中單片 GaN 功率級（綠色）和外部驅(qū)動(dòng)的等效分立 GaN 晶體管（藍(lán)色）解決方案之間的效率比較，頻率為 1 MHz（實(shí)線
2023-02-24 15:15:04
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
將會(huì)導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無法解決這些問題，將可能導(dǎo)致晶體管損壞?！ ”M管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟，但對于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及?？紤]到GaN器件驅(qū)動(dòng)的特殊性以及其高速開關(guān)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
這個(gè)晶體管為什么是開關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
（是絕緣柵雙極晶體管或 IGBT）作為其主要開關(guān)器件，如下所示。 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器 我們可以看到，降壓轉(zhuǎn)換器的基本電路配置是串聯(lián)晶體管開關(guān)TR 1以及相關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路（使輸出電壓盡可能接近所需
2024-06-18 14:19:42
在復(fù)合式晶體管開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
2009-05-30 21:26:24
2 晶體管輸出驅(qū)動(dòng)電路
2009-01-14 11:53:241688 
晶體管的導(dǎo)通和繼電器的驅(qū)動(dòng)
2009-06-08 23:13:481131 
晶體管驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-06 14:49:451149 
晶體管開關(guān)變換器(buck)電路
如圖是晶體管開關(guān)變換器(BUCK)電路，其中晶體管Q為
2009-09-23 18:37:512376 
晶體管開關(guān)的作用
（一）控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:521462 晶體管的開關(guān)作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
2009-11-06 16:58:423970 晶體管高速開關(guān)電路是非常實(shí)用而又簡單的電路。電子發(fā)燒友為您提供了晶體管高速開關(guān)電路，希望對您有所幫助！
2011-07-12 09:41:556371 
談逆變電源中開關(guān)晶體管IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)。
2016-03-30 15:13:0926 晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等。晶體管作為一種可變開關(guān)。
2017-05-11 15:54:466958 
經(jīng)過大量實(shí)踐檢驗(yàn)，已被證明安全可靠的硅MOSFET已經(jīng)成為電源電路設(shè)計(jì)的中流砥柱，但隨著基于氮化鎵的最新功率器件技術(shù)的發(fā)展，電源設(shè)計(jì)的趨勢正逐漸轉(zhuǎn)向GaN晶體管。
2018-08-06 15:04:376648 
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；（1）容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，（2）開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，
2018-11-26 17:51:2016687 晶體管原理及應(yīng)用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號
2019-01-16 13:45:164296 晶體管構(gòu)成的開關(guān)電路是把晶體管的截止與飽和當(dāng)作機(jī)械開關(guān)的“開和關(guān)”來使用的。當(dāng)晶體管在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，Ic為0，相當(dāng)于開關(guān)“斷開”；而在飽和狀態(tài)時(shí)，由于飽和壓降很小，相當(dāng)于開關(guān)的“接通”。因此，晶體管廣泛用作開關(guān)器件，主要用在數(shù)字電路中。
2019-11-01 16:44:0115055 
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時(shí),近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān),從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度
2020-12-26 04:10:191059 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時(shí)功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2021-03-21 15:40:515302 
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。
2021-03-21 15:43:036509 
) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:022729 
如何高效、安全地驅(qū)動(dòng)Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:421 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:232 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認(rèn)可和首選。這是因?yàn)?GaN 晶體管與材料對應(yīng)物相比具有多個(gè)優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:302352 器件在處理功率方面仍然存在限制。 然而，當(dāng)結(jié)合使用這些器件（GaN 晶體管）時(shí)，工程師不能簡單地從硅 MOSFET 切換到 GaN 器件。 并聯(lián)開關(guān)裝置和最佳驅(qū)動(dòng) 理想情況下，當(dāng)使用并聯(lián)開關(guān)時(shí)，所 用器件 的 R DS(on) 需要緊密匹配，以確保靜態(tài)電流在晶體管上均勻
2022-08-04 09:35:482219 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:541728 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。
2023-02-03 14:34:204023 
與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。
2023-02-03 14:35:402638 
提高晶體管開關(guān)速度的方法可以通過減少晶體管的輸入電容來提高晶體管的開關(guān)速度，這可以通過減少晶體管的輸入電容的大小來實(shí)現(xiàn)。
2023-02-24 15:54:572318 
晶體管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓的流動(dòng)。當(dāng)電流或電壓達(dá)到一定的閾值時(shí)，晶體管就會(huì)從開路狀態(tài)轉(zhuǎn)換到閉路狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能。晶體管的開關(guān)功能可以用來控制電路的開啟和關(guān)閉，從而實(shí)現(xiàn)電路的控制。
2023-02-28 18:10:574009 
功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動(dòng)器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342034 為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施
2023-06-27 17:51:271142 
TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號開關(guān)電路和功率開關(guān)電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射手跟隨開關(guān)電路。
2023-07-03 10:12:185770 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28694 650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:174139 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:222460 
如何提高晶體管的開關(guān)速度？
2023-11-27 14:23:471888 
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:582382 
咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手，開關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么，如何才能提高晶體管的開關(guān)速度呢？來一探究竟。如果把晶體管比作一名運(yùn)動(dòng)員，要想
2024-04-03 11:54:121518 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細(xì)分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細(xì)闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場景，并結(jié)合具體實(shí)例進(jìn)行說明。
2024-08-15 11:27:203067 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:01:200
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