CISSOID的N溝道功率MOSFET晶體管的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID推出的高溫40V N溝道功率MOSFET 晶體管，保證在-55°C至+ 225°C的溫度范圍內(nèi)工作。這些名為CHT-NMOS4005，CHT-NMOS4010和CHT-NMOS4020的新器件的額定最大漏極電流分別為5A，10A和20A。

CHT-NMOS40功率MOSFET具有出色的高溫性能，在225°C時(shí)，CHT-NMOS4005的柵極泄漏電流保持在500nA以下，而其漏極關(guān)斷電流低至10μA，其接通延遲時(shí)間為30ns。該系列的導(dǎo)通電阻和輸入電容分別為0.15Ω至0.40Ω和460pF至1.4nF。

CISSOID的CHT-NMOS40系列允許設(shè)計(jì)任何需要在-55°C至+ 225°C的惡劣環(huán)境中進(jìn)行可靠功率控制的系統(tǒng)，從電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，DC-DC轉(zhuǎn)換器和SMPS到逆變器。借助CHT-NMOS40，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以改善成本，可靠性和重量，同時(shí)禁止在工業(yè)過(guò)程控制，汽車電池充電器和飛機(jī)執(zhí)行器等應(yīng)用中使用流體冷卻。

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電流(140653) 電流(140653)
MOSFET(230975) MOSFET(230975)
晶體管(146911) 晶體管(146911)

評(píng)論

Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。

2024-04-02 14:27:30

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MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用注意事項(xiàng)

，使Gate和Drain之間的場(chǎng)被建立，從而觸發(fā)這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。　　MOSFET的主要用途：　　MOSFET在工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用，主要用在邏輯電路，放大電路，功率電路等方面。普遍

2023-03-08 14:13:33

N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

2025-10-31 09:35:26

N溝道和P溝道MOSFET的區(qū)別是什么

通過(guò)向柵極施加正電壓來(lái)控制漏極電流。N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區(qū)域位于源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和源極

2023-02-02 16:26:45

N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。

2021-03-02 08:40:51

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

，二邊的P區(qū)中間夾著一個(gè)N區(qū)，由于二個(gè)P區(qū)在外面通過(guò)S極連在一起，因此，這個(gè)結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個(gè)相互

2016-10-10 10:58:30

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`

2012-08-20 09:10:49

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET(功率場(chǎng)控晶體管)的原理及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和參數(shù)

;lt;font face="Verdana">功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管</font>&lt

2009-05-12 20:38:45

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的特點(diǎn)

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管

2019-04-10 10:02:53

晶體管性能的檢測(cè)

，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測(cè)，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k

2012-04-26 17:06:32

晶體管的分類與特征

本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主

2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類與特征

的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開。先來(lái)看一下晶體管的分類與特征

2020-06-09 07:34:33

BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管

`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`

2012-08-20 08:03:59

IGBT絕緣柵雙極晶體管

電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)

2019-05-06 05:00:17

IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)

2019-03-27 06:20:04

MRF154射頻晶體管

頻率范圍內(nèi)的線性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào)：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率

2018-08-07 17:17:34

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal

2018-03-03 13:58:23

SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜相關(guān)產(chǎn)品信息＞MOSFETSiC-DMOS

2018-11-30 11:35:30

不同類型的晶體管及其功能

溝道和 N 溝道類型。場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是所有類型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個(gè)端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體

2023-08-02 12:26:53

什么是晶體管晶體管的分類及主要參數(shù)

（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結(jié)合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)。它具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發(fā)射極。晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)包括電流放大因數(shù)

2023-02-03 09:36:05

單極型晶體管的工作原理和特點(diǎn)

導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。　　單極型晶體管的工作原理　　以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。　　　　圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)

2020-06-24 16:00:16

場(chǎng)效應(yīng)晶體管

二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域?qū)挼?b class="flag-6" style="color: red">特點(diǎn)，主要分為兩種：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET)和絕緣棧型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET)。對(duì)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真

2012-08-03 21:44:34

場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的導(dǎo)通條件

MOS管在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，目前常用二氧化硅作金屬鋁（Al）柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱為MOSFET或者M(jìn)OS管。電路符號(hào)G,D,S極怎么區(qū)分G極是比較好

2023-02-10 16:27:24

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡

2019-05-08 09:26:37

如何提高微波功率晶體管可靠性？

什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？

2021-04-06 09:46:57

開關(guān)電源設(shè)計(jì)之：P溝道和N溝道MOSFET比較

，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道

2021-04-09 09:20:10

標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)/二次擊穿/損耗

一個(gè)級(jí)聯(lián)，功率器件是JFET，級(jí)聯(lián)中的下部晶體管是MOSFET。級(jí)聯(lián)碼的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)不可訪問(wèn)，與IGBT相同。因此，只能影響打開，而不能影響關(guān)閉！可以快速關(guān)閉柵極處的MOSFET，但器件的關(guān)斷方式不會(huì)

2023-02-20 16:40:52

概述晶體管

集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比

2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好？

和功率密度方面的性能越好。此外，GaN功率晶體管具有在AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)上形成的橫向二維電子氣體（2DEG）通道，該異質(zhì)結(jié)沒有固有的雙極體二極管。無(wú)體二極管意味著沒有Qrr，這意味著由于MOSFET

2023-02-27 09:37:29

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFX32N80Q3場(chǎng)效應(yīng)管

: IXFX32N80 晶體管類型: 1 N-Channel 商標(biāo): IXYS 產(chǎn)品類型: MOSFET 上升時(shí)間: 300 ns 工廠包裝數(shù)量: 30 子類別: MOSFETs 單位重量: 38 g

2020-03-05 11:01:29

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的工作原理、特點(diǎn)及參數(shù)介紹

。因而同時(shí)具備了MOS管、GTR的優(yōu)點(diǎn)。二．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點(diǎn)：這種器件的特點(diǎn)是集MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低，耐壓高，電流大。它

2009-05-12 20:44:23

絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性

方向上受控，在反向方向上不受控)。絕緣柵極雙極性晶體管的工作原理和柵極驅(qū)動(dòng)電路與 n 溝道功率 MOSFET 非常相似?；緟^(qū)別在于 IGBT 中，當(dāng)電流通過(guò)處于“ ON”狀態(tài)的器件時(shí)，主導(dǎo)通道所提

2022-04-29 10:55:25

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小

2009-04-25 16:05:10

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功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管 功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。一．

2009-05-12 20:36:42

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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操

2010-02-23 10:42:59

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電力晶體管的原理和特點(diǎn)是什么?

電力晶體管的原理和特點(diǎn)是什么? 結(jié)構(gòu)電力晶體管(GiantTransistor)簡(jiǎn)稱GTR，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管

2010-03-05 13:43:56

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晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思

晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思 晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大

2010-03-05 17:34:10

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CISSOID推出THEMIS和ATLAS碳化硅功率晶體管驅(qū)

　　CISSOID，在高溫和高可靠性的半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，推出THEMIS和ATLAS，其功率晶體管驅(qū)動(dòng)器芯片組可令電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

2010-12-06 09:14:34

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ST推出MDmesh V功率MOSFET晶體管打破世界記錄

意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻

2011-12-27 17:29:10

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超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF（NXP）

關(guān)鍵詞：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半導(dǎo)體（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道

2019-01-07 12:53:02

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輕松學(xué)會(huì)晶體管MOSFET

與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

2019-03-28 14:43:23

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)_功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)

MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。

2019-10-11 10:33:29

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N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用

電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率

2021-05-27 12:18:58

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N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LT10N02SI資料說(shuō)明

N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LT10N02SI資料說(shuō)明

2022-01-23 10:25:44

N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JHW10N60數(shù)據(jù)手冊(cè)

N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JHW10N60數(shù)據(jù)手冊(cè)

2022-01-23 10:53:16

功率晶體管的特征與定位

從本篇開始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。

2023-02-10 09:41:00

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功率晶體管的工作原理功率晶體管的特點(diǎn)

　　功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時(shí)，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來(lái)選擇合適的參數(shù)。

2023-02-17 14:29:37

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N溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管-BSP89

2023-02-20 19:23:01

具有N溝道溝槽 MOSFET 的 40V,2A PNP 低 VCEsat(BISS) 晶體管-PBSM5240PF

具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF

2023-02-23 19:31:53

具有預(yù)偏置 NPN 晶體管的 30 V P 溝道 MOSFET-PMC85XP

具有預(yù)偏置 NPN 晶體管的 30 V P 溝道 MOSFET-PMC85XP

2023-03-02 22:58:30

具有N溝道溝槽 MOSFET 的 40V,2A PNP 低 VCEsat(BISS) 晶體管-PBSM5240PFH

具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH

2023-03-02 23:00:33

200 V，N 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS87

200 V，N 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS87

2023-03-03 20:01:50

以工藝見長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。

2023-04-13 09:40:30

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如何判定一個(gè)MOS晶體管是N溝道型還是P溝道型呢？

MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是

2023-11-30 14:24:54

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NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。

2024-09-13 14:10:00

9544

選型手冊(cè)：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器

2025-10-31 17:36:09

229

選型手冊(cè)：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-03 15:26:33

300

選型手冊(cè)：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效

2025-11-03 16:33:23

497

選型手冊(cè)：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-04 15:22:12

226

選型手冊(cè)：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域

2025-11-04 15:59:03

238

選型手冊(cè)：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源

2025-11-05 12:10:09

283

選型手冊(cè)：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-05 15:28:39

205

選型手冊(cè)：MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè)：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗

2025-11-05 15:53:52

211

選型手冊(cè)：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-05 16:01:03

243

選型手冊(cè)：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如

2025-11-06 15:44:22

308

選型手冊(cè)：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-06 16:05:07

286

選型手冊(cè)：MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-06 16:12:24

298

選型手冊(cè)：MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-06 16:15:37

292

選型手冊(cè)：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-07 10:23:59

241

選型手冊(cè)：MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域

2025-11-07 10:31:03

211

選型手冊(cè)：MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域

2025-11-07 10:40:08

223

選型手冊(cè)：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 15:50:16

248

選型手冊(cè)：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-11 09:18:36

255

選型手冊(cè)：MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-11 09:23:54

217

選型手冊(cè)：MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS

2025-11-12 09:34:45

198

選型手冊(cè)：MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域

2025-11-12 14:15:44

279

選型手冊(cè)：MOT12N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-12 14:19:35

317

選型手冊(cè)：MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-14 12:03:12

167

選型手冊(cè)：MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器

2025-11-17 14:37:39

200

選型手冊(cè)：MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-18 15:58:04

228

選型手冊(cè)：MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于

2025-11-18 16:08:14

326

選型手冊(cè)：MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-19 10:24:32

240

選型手冊(cè)：MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-19 11:15:03

277

選型手冊(cè)：MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:15:00

184

選型手冊(cè)：MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:21:04

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選型手冊(cè)：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-11-20 16:22:54

305

選型手冊(cè)：MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻

2025-11-21 10:46:19

184

選型手冊(cè)：MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-24 14:27:27

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選型手冊(cè)：MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及650V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

2025-11-24 14:33:13

243

選型手冊(cè)：MOT20N50A N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED

2025-11-24 14:45:26

185

選型手冊(cè)：MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級(jí)溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型

2025-11-24 17:04:20

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選型手冊(cè)：MOT4522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-25 15:14:47

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選型手冊(cè)：VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借

2025-11-28 12:14:04

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探索NVTYS014N08HL：高性能單N溝道MOSFET的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)深入了解一款由onsemi推出的單N溝道MOSFET——NVTYS014N08HL。

2025-12-01 09:42:59

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