碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)需要考慮的關(guān)鍵因素。 圖 1
2024-09-27 15:05:25
1353 
工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或寬帶隙器件時(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:534300 
在所有其他參數(shù)相同的情況下，對(duì)于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作。例如，與行業(yè)巨頭硅1.1eV的相對(duì)窄帶隙相比，氮化鎵(GaN)的帶隙為3.4eV。
2022-03-29 14:55:523341 
在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:002073 
功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的新型寬帶隙（WBG） 類(lèi)型有望取得重大進(jìn)展。讓我們?cè)敿?xì)研究一下這些優(yōu)勢(shì)。
2022-07-29 08:07:58617 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助推動(dòng)器件
2023-11-16 13:28:339930 
本人接觸質(zhì)量工作時(shí)間很短，經(jīng)驗(yàn)不足，想了解一下，在半導(dǎo)體行業(yè)中，由于客戶端使用問(wèn)題造成器件失效，失效率為多少時(shí)會(huì)接受客訴
2024-07-11 17:00:18
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
家電企業(yè)作為儲(chǔ)備技術(shù)。真正最多應(yīng)用于家電的電機(jī)控制IC產(chǎn)品是MCU。來(lái)自家電行業(yè)的信息顯示，意法半導(dǎo)體（ST）、NEC、瑞薩半導(dǎo)體是家電電機(jī)控制的主要MCU產(chǎn)品提供商。
2019-06-21 07:45:46
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IHDF-1300AE-10是什么？主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？IHDF-1300AE-10器件規(guī)格是什么？
2021-07-09 07:03:19
最近手上好多半導(dǎo)體芯片職位，可是人都不知道去哪了，都沒(méi)什么人關(guān)注。請(qǐng)教：1. 對(duì)現(xiàn)在工作很滿意2. 形勢(shì)不好，不敢跳槽3. 不知道招聘信息4. 跳槽工資不吸引5. 其他你們心里是怎么想的？[此貼子已經(jīng)被作者于2009-8-27 10:58:45編輯過(guò)]
2009-08-27 10:58:18
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑，包括水性無(wú)機(jī)酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過(guò)產(chǎn)生特征凹坑或小丘識(shí)別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
使用這些納米線陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對(duì)具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽(yáng)能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
變換和電路控制，更是弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間的溝通橋梁，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對(duì)設(shè)備正常運(yùn)行起到關(guān)鍵作用。與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體器件還具有綠色節(jié)能功能，被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè)
2019-02-26 17:04:37
滿足市場(chǎng)需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實(shí)現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來(lái)越成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說(shuō)寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場(chǎng)效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
的鉗位感性負(fù)載電路?！ ∫坏?duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行了表征，就需要對(duì)其進(jìn)行評(píng)估。這同樣適用于WBG設(shè)備。為了評(píng)估用WBG半導(dǎo)體代替硅器件可能獲得的優(yōu)勢(shì)，需要從系統(tǒng)級(jí)的角度進(jìn)行評(píng)估。評(píng)估程序通?；谠谶B續(xù)和非連續(xù)
2023-02-21 16:01:16
說(shuō)到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計(jì)師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過(guò)，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開(kāi)關(guān)必須
2023-02-05 15:14:52
。目前，凱仕德離子風(fēng)機(jī)，離子風(fēng)棒，凱仕德空間離子棒具有很好的去除工業(yè)靜電的作用，已應(yīng)用于大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)中。
2023-12-12 17:18:54
，安森美半導(dǎo)體提供優(yōu)質(zhì)的全局快門(mén)系列產(chǎn)品，可捕獲快速移動(dòng)的的對(duì)象，主要應(yīng)用于掃碼的VGA、100萬(wàn)像素及更高像素輸出，產(chǎn)品經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證，質(zhì)量、信用及技術(shù)水平都得到客戶的廣泛認(rèn)可，目前占據(jù)超過(guò)40
2018-11-08 16:23:34
安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術(shù)和方案分享
2021-05-31 07:07:32
（GaN）寬帶隙器件，助力開(kāi)發(fā)先進(jìn)、高能效的下一代電動(dòng)車(chē)（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)（HEV），實(shí)現(xiàn)更高的安全性、智能性和每次充電后更遠(yuǎn)的續(xù)航里程。 此次安森美半導(dǎo)體與奧迪的全新合作將加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程，打造自動(dòng)駕駛系統(tǒng)和汽車(chē)功能電子化的全新性能，推進(jìn)汽車(chē)領(lǐng)域的變革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半導(dǎo)體電源方案部（PSG）加速了擴(kuò)展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣容，針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車(chē)認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過(guò)4,000，是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
能量轉(zhuǎn)換效率是一個(gè)重要的指標(biāo)，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實(shí)現(xiàn)這一提升，開(kāi)始逐漸采用越來(lái)越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓?fù)?，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開(kāi)關(guān)速度被譽(yù)為未來(lái)的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2020-10-29 07:12:23
電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類(lèi)可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)
2019-06-27 06:18:41
在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開(kāi)關(guān)，能讓開(kāi)關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432711 半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類(lèi)
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:026526 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487717 安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙（WBG）等分立器件及智能功率模塊（IPM）等功率模塊，尤其在收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體后
2017-05-16 16:43:396182 
2018年寬帶隙基準(zhǔn)源半導(dǎo)體市場(chǎng)與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
2018-02-06 14:41:13
5 正是由于帶隙，使得半導(dǎo)體具備開(kāi)關(guān)電流的能力，以實(shí)現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開(kāi)關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:0610332 
近日，為了促進(jìn)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會(huì)（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國(guó)際技術(shù)路線圖。
2020-04-13 16:01:315686 寬帶隙（WBG）開(kāi)關(guān)器件由于其高速度和高效率而得到應(yīng)用，這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。
2020-04-14 09:17:56975 
碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開(kāi)關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，并且在射頻應(yīng)用中是對(duì)硅的重大改進(jìn)。
2020-04-30 14:35:3113407 尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來(lái)臨
2021-04-01 14:10:192851 
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:018317 寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)，它可以提供效率和功率密度的改進(jìn)，這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影響 。WBG 具有顯著優(yōu)勢(shì)，例如更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:513058 
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:542830 
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213282 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái)，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比
2022-07-27 15:11:442339 不久前，SiC和GaN
器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的，但到了2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么？ SiC 和 GaN 被稱為
寬帶隙 (
WBG)
半導(dǎo)體，因?yàn)?/div>
2022-07-28 16:45:551522 
了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對(duì)于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較。
2022-07-29 11:18:021883 
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:462460 
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。
2022-07-29 15:10:452407 AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會(huì)?用一整天的時(shí)間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點(diǎn)是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26965 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現(xiàn)在是不可否認(rèn)
2022-08-05 14:51:331182 
工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局，但在從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或寬帶隙器件時(shí)，需要多加注意。 據(jù)chip稱，硅（Si）基半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)先十年，主要是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）仍
2022-08-05 14:30:091694 
對(duì)電子設(shè)備的需求激增正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)。制造商通過(guò)使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來(lái)尋求競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這一趨勢(shì)的受益者是寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體，由于一系列應(yīng)用程序供應(yīng)商的興趣激增，它經(jīng)歷了更新。
2022-08-05 14:39:172175 寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個(gè)功率轉(zhuǎn)換階段，累積功率損耗
2022-08-08 10:21:491457 
高溫和開(kāi)關(guān)頻率下工作、低噪聲、低功率損耗和高效率。因此，WBG 半導(dǎo)體對(duì)于下一代太空出生系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)具有戰(zhàn)略意義。氮化鎵的增強(qiáng)型版本 (eGaN) 被廣泛用于空間應(yīng)用的 FET 和 HEMT 的開(kāi)發(fā)。 輻射對(duì)功率器件的影響 空間環(huán)境具有特定條件，會(huì)影響并在
2022-08-08 10:57:392037 
效率的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。 這些高度創(chuàng)新的材料屬于寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體系列。WBG 非凡的物理和電氣特性使這些材料非常適合滿足高頻電源應(yīng)用的性能需求，包括極端功率和工作溫度以及對(duì)以緊湊外形實(shí)現(xiàn)更快、高效、
2022-08-08 10:16:491930 
對(duì)于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越重要，高壓電容-電壓 (CV) 測(cè)量可用于預(yù)測(cè)關(guān)鍵動(dòng)態(tài)特性
2022-08-29 08:09:494163 
長(zhǎng)期以來(lái)，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開(kāi)始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開(kāi)發(fā)出來(lái)，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾奶匦裕c傳統(tǒng)的硅對(duì)應(yīng)物（如電力電子）相比，它們可以實(shí)現(xiàn)具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:001064 
? ? ? ?寬帶隙半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高壓（10kv及以上）開(kāi)關(guān)。因此，需要新的封裝解決方案來(lái)為此類(lèi)設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù)，適用于高達(dá)3.3kv的電壓，但它在較高電壓
2022-09-19 16:29:541060 碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書(shū)，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。
2022-12-15 11:08:181170 用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體
2022-12-22 09:32:251652 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:491520 
WBG化合物半導(dǎo)體具有更高的電子遷移率和更高的帶隙能量，因此其財(cái)產(chǎn)優(yōu)于硅。由WBG化合物半導(dǎo)體制成的晶體管具有較高的擊穿電壓和耐高溫性。這些器件在高電壓和高功率應(yīng)用中比硅具有優(yōu)勢(shì)。
2023-02-05 11:53:321886 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙半導(dǎo)體具有更高的擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:342594 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:151764 寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。
2023-02-16 15:07:082519 寬帶隙半導(dǎo)體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢(shì)?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實(shí)：如果我們從寬帶隙開(kāi)始，那么溫度升高對(duì)功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達(dá)400°C。
2023-05-24 11:13:483185 在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開(kāi)關(guān)，能讓開(kāi)關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗都更低。此外還有
2023-07-11 09:20:021235 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:54:170 碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:082065 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214 
之間的關(guān)系，對(duì)于半導(dǎo)體材料的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)都有著非常大的影響。同時(shí)，帶隙也是半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電子器件和光電子器件中的原因之一。 在介紹電壓型的帶隙和電流型的帶隙的區(qū)別之前，我們需要先了解一下半導(dǎo)體材料的基本概
2023-09-20 17:41:214470 直接帶隙和間接帶隙的區(qū)別與特點(diǎn)? 半導(dǎo)體材料是廣泛應(yīng)用于電子器件制造和光電子技術(shù)中的重要材料之一。在研究半導(dǎo)體材料性質(zhì)時(shí)，經(jīng)常要關(guān)注材料的電子能帶結(jié)構(gòu)，其中直接帶隙和間接帶隙是兩種常見(jiàn)的帶隙類(lèi)型
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