分立元件組成的烙鐵電路
2010-02-27 09:47:25
2094 
本套教程為BUCK電源的高級(jí)設(shè)計(jì)教程，用分立元件搭建，現(xiàn)場(chǎng)一步步設(shè)計(jì)，調(diào)試。全面剖析BUCK電源芯片的設(shè)計(jì)思路，是工程師們想搞透BUCK 電源芯片方案難得的一部教程
2019-04-17 10:09:2113973 
了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建，分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán)；
2019-04-19 09:42:597316 
詳解用于MOS管驅(qū)動(dòng)的電容自舉電路工作原理以及器件選型
2022-04-12 09:20:5941341 
自舉升壓驅(qū)動(dòng)芯片在MOS/IGBT的驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛，自舉升壓作為產(chǎn)生浮地電源的普遍方法，應(yīng)用起來(lái)十分便捷，行之有效。
2023-03-20 15:52:099255 
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2023-06-01 09:15:504440 
引言：MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負(fù)載開(kāi)關(guān)等，在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MOS為示例。MOS驅(qū)動(dòng)電路的基本要求包括：對(duì)柵極施加足夠高于Vth的電壓的能力，以及對(duì)輸入電容進(jìn)行足夠充電的驅(qū)動(dòng)能力，本節(jié)介紹MOS的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-06-08 11:55:5939586 
對(duì)于硬件開(kāi)發(fā)，往往有上手比較棘手的兩個(gè)地方，一個(gè)是MOS驅(qū)動(dòng)，另一個(gè)是運(yùn)放設(shè)計(jì)。
2023-09-17 14:26:546681 
做了一個(gè)mos管控制繼電器，下面線圈驅(qū)動(dòng)的圖，但是是低端驅(qū)動(dòng)，據(jù)說(shuō)不安全，不符合一般電路規(guī)則，怎么樣弄成高端驅(qū)動(dòng)呢。
2018-12-26 09:35:16
`分立元件232接口電路`
2012-09-02 11:29:10
完全使用分立元件搭建的DC-DC模塊，可以用于車載電源，特點(diǎn)就是電壓可調(diào)，支持大電流2A沒(méi)有問(wèn)題 （取決于您用的最外層的NPN三級(jí)管最多支持多大的電流）。 電路用Multisim進(jìn)行了模擬，電路中我加入了一些注釋，如果對(duì)電路的設(shè)計(jì)有什么疑問(wèn)可以發(fā)帖，也可以找書(shū)：晶體管電路設(shè)計(jì)。
2013-05-19 09:19:50
分立元件OTL功率放大器 如圖7.1所示為互補(bǔ)對(duì)稱式OTL功率放大電路。T2為一只NPN型功率晶體管，T3為一只PNP型晶體管，它們組成互補(bǔ)推挽輸出管，T1為電壓放大激勵(lì)管。信號(hào)經(jīng)過(guò)C1耦合送入
2009-12-08 16:44:05
圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路-MOS和三極管最近對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)進(jìn)行相關(guān)思考和仿真，這里將一些感悟?qū)懗鰜?lái)，僅供記錄。使用分立器件搭建MOS驅(qū)動(dòng)的話，一般會(huì)使用互補(bǔ)的三極管搭建圖騰柱電路，但是為什么會(huì)是圖騰柱
2021-07-29 09:26:17
【不懂就問(wèn)】如圖，自舉電路的應(yīng)用【1】因?yàn)楦唠娢凰拥?b class="flag-6" style="color: red">MOS的Vd接高電壓源，因此導(dǎo)通時(shí)Vd和Vs電壓相同(假設(shè)Rds很小),這樣造成一變動(dòng)電壓源就要跟著去調(diào)整MOS(Q1)的Vgs,否則會(huì)導(dǎo)致
2018-07-05 10:48:51
應(yīng)用，開(kāi)關(guān)特性是非常重要的。自舉式電源是一種使用最為廣泛的，給高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路 (IC) 的高端柵極驅(qū)動(dòng)電路供電的方法。這種自舉式電源技術(shù)具有簡(jiǎn)單，且低成本的優(yōu)點(diǎn)。
但是，它也有缺點(diǎn)，一是占空比受到自舉
2025-03-03 11:52:44
到DCDC高端MOS管的驅(qū)動(dòng)端，這個(gè)電容就叫作自舉電容。自舉電容的作用原理？ 如下是DCDC BUCK芯片的框圖，上面的N...
2021-11-16 08:01:16
我做了個(gè)高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問(wèn)題是低Vgs的時(shí)候MOS管不會(huì)完全打開(kāi)。比如這個(gè)電路的Vgs大概是在5V左右，但是門極和源極之間測(cè)得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
自舉電路升壓驅(qū)動(dòng)的電路設(shè)計(jì)
2018-12-05 16:31:41
LT1910高端MOS管驅(qū)動(dòng)IC具有哪些參數(shù)應(yīng)用？
2021-11-03 06:11:06
。
如圖為用于驅(qū)動(dòng)上MOS管的電容自舉驅(qū)動(dòng)電路。該自舉電容通過(guò)二極管接到VCC端，下接上MOS管的S極。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)下MOS管導(dǎo)通時(shí)，VCC通過(guò)二極管、RBOOT、下MOS管，對(duì)CBOOT充電。充電時(shí)間為
2023-05-22 12:54:42
大家好，請(qǐng)教一個(gè)初級(jí)問(wèn)題：在做一個(gè)充電器時(shí)用到了MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片IR2117，圖紙見(jiàn)附件，請(qǐng)問(wèn)第7腳的HO端為什么不出波形呢？當(dāng)MOS的源極接上電池后是不是必須要用自舉元件呢？這個(gè)電路能不能
2010-05-15 10:42:39
電子發(fā)燒友總結(jié)了以“ 自舉電路”為主題的精選干貨，今后每天一個(gè)主題為一期，希望對(duì)各位有所幫助?。c(diǎn)擊標(biāo)題即可進(jìn)入頁(yè)面下載相關(guān)資料）CPU供電的MOS管自舉電路設(shè)計(jì)自舉驅(qū)動(dòng)buck電路的緩慢下電問(wèn)題與解決功率驅(qū)動(dòng)集成電路中自舉元件的選擇前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)——自舉電容半橋驅(qū)動(dòng)電路——自舉電容電路講解
2019-04-22 14:46:56
電壓高。假定那個(gè)開(kāi)關(guān)(三極管或者mos管)已經(jīng)斷開(kāi)了很長(zhǎng)時(shí)間，所有的元件都處于理想狀態(tài)，電容電壓等于輸入電壓。下面要分充電和放電兩個(gè)部分來(lái)說(shuō)明這個(gè)電路。2、MOS管自舉電容工作原理自舉電容，內(nèi)部高端
2021-12-17 07:00:00
關(guān)于MOS的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)
2020-12-09 09:54:08
為什么會(huì)出現(xiàn)壓降2.ir2104的高端輸出部分是用的自舉電路，參考了網(wǎng)上的一些解釋，自舉電容的大小會(huì)影響高端輸出電壓，但我在更換了幾個(gè)電容后，測(cè)量HO和VS之間的電壓值發(fā)現(xiàn)并沒(méi)有改變，想問(wèn)問(wèn)是什么原因參數(shù)自舉電容：47nf的陶瓷電容自舉二極管：FR107NMOS管：NTB5860
2018-04-20 15:19:44
由分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2019-11-07 01:22:18
自舉升壓電路是怎樣工作的？如果不給MOS管添加自舉電路會(huì)有什么后果？
2021-08-06 06:19:30
怎樣去設(shè)計(jì)一種自舉驅(qū)動(dòng)電路？如何對(duì)自舉驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行仿真測(cè)試？
2021-05-12 06:47:16
電路能不能不用自舉元件呢？自舉對(duì)我來(lái)說(shuō)太麻煩，當(dāng)初選它就想用它來(lái)驅(qū)動(dòng)輸入PWM信號(hào)，有沒(méi)有不需要自舉元件的MOS驅(qū)動(dòng)芯片呢？感謝大家?guī)兔?！求解IR2117的正確用法或其它有用的MOS驅(qū)動(dòng)芯片
2010-05-15 10:32:37
除了電源電路還能看到分立元件，其他部分幾乎都被IC取代了！是不是做電子只能做電源？還有什么領(lǐng)域要用到傳統(tǒng)的分立元件和通用IC的模擬電子設(shè)計(jì)？我最近在看關(guān)于用分立元件搭建模擬電路的書(shū)，是不是已經(jīng)過(guò)時(shí)了？！還有看的必要嗎？
2017-11-29 21:16:29
(一)、期望的電路功能電容自舉電路，通過(guò)單片機(jī)控制S_OUT為高低電平控制MOS管AOD424的開(kāi)啟關(guān)斷，利用電容電壓不能瞬變的特性，使Q10開(kāi)啟時(shí)，S_Boost_Out電壓高于IN_VOLT
2019-06-18 14:00:44
請(qǐng)教一下用IR2110，自舉驅(qū)動(dòng)mos管的問(wèn)題，我的電路圖，和有關(guān)的說(shuō)明文字如下，我要做的是在IR2110的輸入端，輸入兩個(gè)信號(hào)，輸出信號(hào)時(shí)，上面那個(gè)信號(hào)自舉，下面不需要自舉，我發(fā)的圖片中的 VH
2018-03-22 22:25:57
想請(qǐng)教一下，電路中是一些分立元件，有三極管，MOS管，電容， 電阻，穩(wěn)壓二極管。是應(yīng)該按照信號(hào)的流向擺放元件？還是把同類型的元件先擺放在一起（比如有3個(gè)MOS管，先把他們擺放在一起？），然后再拉線么
2019-03-22 07:24:09
有個(gè)模電的問(wèn)題請(qǐng)教大家，怎么使用分立元件或者ne555搭建一個(gè)方波倍頻電路？？？？求電路圖?。?！
2019-05-27 04:36:14
分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2019-09-24 09:13:35
高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(應(yīng)用手冊(cè)):高壓側(cè)器件的柵極驅(qū)動(dòng)要求,典型MOS柵極驅(qū)動(dòng)器(MGD)的框圖,自舉工作原理，如何選擇自舉元件等內(nèi)容。
2010-01-04 17:17:57
89 給出了雙音多頻發(fā)送電路的分立元件實(shí)現(xiàn)方法。分立元件與傳統(tǒng)集成芯片電路實(shí)現(xiàn)方法相比，電路更靈恬，成本更低。關(guān)鍵詞：雙音多頻；分立元件
Abstract：The realization o
2010-04-24 08:33:0660 分立元件功放電路
2007-06-26 13:08:0916469 
分立元件組成的RC多諧振蕩電路
2008-01-31 22:26:003243 
分立元件取樣放大電路圖
2008-05-06 23:31:311269 
分立元件式聲控開(kāi)關(guān)電路圖
2009-05-08 15:31:282662 
典型分立元件節(jié)能燈電路圖
2009-06-11 10:57:151832 
光耦合器與分立元件施密特觸發(fā)器用于驅(qū)動(dòng)54 74 FTL電路圖
2009-07-02 11:27:161944 
分立元件構(gòu)成的耳機(jī)放大電路
下圖是由三極管，二極管，電阻等分立元件組成的耳機(jī)放
2009-07-31 21:27:532644 
分立元件的晶體管穩(wěn)壓電源電路
2009-12-03 09:09:365731 
驅(qū)動(dòng)半橋自舉電路自舉元件設(shè)計(jì) 自舉二極管(VD1)和電容(C1)是IR2110在P
2010-01-04 12:49:1810971 
分立元件耳機(jī)放大電路
2010-02-02 11:39:193941 
分立元件觸摸開(kāi)關(guān)電路
分立元件觸摸開(kāi)關(guān)電路如下圖所示，該電路由感應(yīng)放大器、存儲(chǔ)器、交流驅(qū)動(dòng)器等組成。手指觸摸絕緣金屬板
2010-02-08 17:54:012731 
分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2010-02-17 17:07:415517 
基于分立元件設(shè)計(jì)的電池自動(dòng)恒流充電電路技術(shù)
本文在此介紹一種基于分立元件構(gòu)成的電池自動(dòng)恒流充電電路，重點(diǎn)闡述了電路的組成、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工
2010-05-18 08:36:402028 
圖示出采用分立電阻的自舉驅(qū)動(dòng)逆變電路拓?fù)?。它?b class="flag-6" style="color: red">分立元件組成，其特點(diǎn)是：①驅(qū)動(dòng)電路的電源地與逆變?nèi)珮虻哪妇€電源正接在一起.使得控制電源懸浮在母線電源之上;②主
2010-08-18 14:21:184587 
分立元件功放電路圖（一）
2010-11-06 16:00:4523499 
分立元件D類功放電路圖
2010-11-06 16:26:3414876 
Vbs(驅(qū)動(dòng)電路Vb 和Vs 管腳之間的電壓差)給集成電路高端驅(qū)動(dòng)電路提供電源。該電源電壓必須在10-20V之間，以確保驅(qū)動(dòng)集成電路能夠完全地驅(qū)動(dòng)MOS柵極器件(MGT)。IR公司的部分驅(qū)動(dòng)集成電路
2011-09-14 16:18:24166 自舉供電驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
2016-05-11 11:08:0517 MOSFET管自舉升壓驅(qū)動(dòng)電路
2016-12-16 22:00:4619 高端MOS管柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究_余海生
2017-01-07 21:39:4413 基于分立元件的電池自動(dòng)恒流充電電路設(shè)計(jì)
2017-01-16 13:54:5535 【前言】 在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破？一個(gè)合適的電阻就可搞定
2017-11-15 14:31:120 自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過(guò)自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。自舉是指通過(guò)開(kāi)關(guān)電源MOS管和電容組成的升壓電路,通過(guò)電源對(duì)電容充電致其電壓高于VCC。
2017-12-26 11:40:2727266 
9012、9013 OTL分立元件功放電路圖
2018-03-26 10:24:5164 分立元件激光器驅(qū)動(dòng)電路,用三極管進(jìn)行搭建,電路簡(jiǎn)單.本電路應(yīng)用在低速光通訊中.
2019-02-13 16:51:246022 
1.分立元件電路? 分立元件電路是將單個(gè)的電子元器件連接起來(lái)組成的電路。如果用分立元件實(shí)現(xiàn)功能復(fù)雜的電路或系統(tǒng),勢(shì)必造成元器件數(shù)目眾多, 體積、重量和功耗都將增大, 而且可靠性也較差?！ ?.
2018-10-16 10:35:2950503 自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2019-04-12 14:22:4421861 自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2019-07-02 14:18:0021561 MOS管相比三極管來(lái)講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件，如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求，MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過(guò)熱。
2020-06-26 17:03:0083632 
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。 MOS管自舉電路原理 舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子：有一個(gè)
2020-09-08 10:47:2123415 
自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。 MOS 管自舉電路原理舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子：有一個(gè)
2020-12-11 23:24:0043 1、ir21xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電路2、不采用驅(qū)動(dòng)器的自舉電路
2021-10-21 20:21:1019 到DCDC高端MOS管的驅(qū)動(dòng)端，這個(gè)電容就叫作自舉電容。自舉電容的作用原理？ 如下是DCDC BUCK芯片的框圖，上面的N...
2021-11-09 16:35:5934 自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過(guò)自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
2022-04-09 08:47:5410173 自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高.有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2022-10-28 10:27:214029 最近在公司碰到MOS驅(qū)動(dòng)芯片損壞的問(wèn)題，啃了一些資料后還算搞明白了點(diǎn)東西，來(lái)分享一些其中的基本原理吧。
2022-10-31 13:58:487434 自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過(guò)自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
2022-11-14 11:45:583382 。在大多數(shù)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)功耗主要取決于開(kāi)關(guān)速度。因此，對(duì)于絕大部分本文闡述的大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，開(kāi)關(guān)特性是非常重要的。 自舉式電源是一種使用最為廣泛的，給高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)的高端柵極驅(qū)動(dòng)電路供電的方法。這種自舉式電源技術(shù)具
2022-12-12 21:25:054306 自舉電路，就是每路的高壓側(cè)MOSFET用自舉電容供電，整個(gè)電路（半橋或者H橋或者三相橋）的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片只用一個(gè)電源就可以了，并且這種方法大大減少了整個(gè)電路的元器件，簡(jiǎn)化了電路，降低了成本
2023-01-30 15:17:377084 
自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過(guò)自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
2023-02-11 10:09:272335 一文詳解分立元件門電路
2023-03-27 17:44:044585 
自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。 升壓電路原理 舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子：有一個(gè)12V
2023-05-31 09:26:423052 
自舉電路的原理和作用? 自舉電路是一種電子電路，它可以利用輸出信號(hào)來(lái)產(chǎn)生一個(gè)供電電源，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)整個(gè)電路工作。自舉電路的原理和作用十分復(fù)雜，但是它在現(xiàn)代電路控制系統(tǒng)中扮演著重要的角色。在本篇文章中
2023-09-17 09:44:375474 用TPL250如何驅(qū)動(dòng)buck電路（開(kāi)關(guān)管用mos管），需要加自舉電容嗎？ TPL250是一種高壓能力增強(qiáng)型半橋隔離器，可以用于驅(qū)動(dòng)交流或直流電源下的buck電路。在使用TPL250驅(qū)動(dòng)buck電路
2023-10-25 11:45:091748 同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開(kāi)關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開(kāi)關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見(jiàn)的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:141820 H橋驅(qū)動(dòng)電路中的自舉電容分析 我想利用 H 橋驅(qū)動(dòng)電路中的 MOS 和 MOSDriver 電路來(lái)分析一下自舉電容的工作原理和過(guò)程，因?yàn)槭褂?H 橋電路推動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，和 DCDC芯片推動(dòng)儲(chǔ)能電感
2023-11-20 16:38:343232 
，它通過(guò)儲(chǔ)能元件將電壓升高至高于輸入電壓的值。這種電路常見(jiàn)于功率MOSFET或IGBT的驅(qū)動(dòng)電路中。 在所示的自舉電路中，只需一個(gè)15至18伏的電源便可為逆變器的驅(qū)動(dòng)級(jí)提供所需能量。在此配置中，所有的半橋低端IGBT都直接與該電源連接。而半橋高端IGBT的驅(qū)
2024-02-16 11:29:008560 
或分立元件搭建。上橋臂通過(guò)自舉升壓電路驅(qū)動(dòng)或獨(dú)立電源驅(qū)動(dòng)。 優(yōu)點(diǎn)： 由于N-MOS管耐壓及功率可選范圍均很寬，這種結(jié)構(gòu)的電路可以適用各種功率及各種電壓電路。 缺點(diǎn)： 上橋臂驅(qū)動(dòng)電路比較復(fù)雜。如果采用自舉升壓方式驅(qū)動(dòng)，則PWM占空比不能達(dá)到100%，即
2025-12-30 13:44:531010 
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