場效應(yīng)管放大電路
場效應(yīng)管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實(shí)現(xiàn)對信號的控制。由場效應(yīng)管組成的基本放大電
2009-09-16 09:59:20
44201 場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識
一、場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)
2009-11-09 15:18:534575 用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分，它有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管之分。
2022-09-20 10:52:138031 場效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應(yīng)管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)管通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-02-27 17:49:445549 
場效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
場效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的代替嗎
2017-04-10 13:04:42
場效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的場效應(yīng)管代替嗎
2017-04-10 13:05:24
場效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場效應(yīng)管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場效應(yīng)管的作用 1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作
2019-05-29 06:18:14
場效應(yīng)管的作用1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。 2、判定柵極 用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很
2021-05-13 06:55:31
場效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個DCDC然后接負(fù)載。問題是，單片機(jī)引腳低電平時，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時。輸出端為0.69v，并沒有完全關(guān)斷。這是場效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問題？怎么讓場效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛
2009-04-25 15:38:10
場效應(yīng)管的參數(shù)場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場效應(yīng)管的特性是什么場效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場效應(yīng)管怎么選用？場效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
`請問場效應(yīng)管的驅(qū)動電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
在分析的時候，比如此時輸入端為高電平，如何確定場效應(yīng)管源極（S極）的電平，從而無法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。 其優(yōu)點(diǎn)是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開時。這種導(dǎo)通會產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路。 如何驅(qū)動碳化硅場效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個問題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
92%的開關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應(yīng)用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
特性比較 1、碳化硅肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)和特征 用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結(jié)的快速恢復(fù)二極管（FRD），能夠明顯減少恢復(fù)損耗，有利于開關(guān)電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動元件的體積，使
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱Vmos管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場效應(yīng)管3sk系列的怎么辦??？？？
2012-12-05 22:55:00
場效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過了三極管了么，三極管會不會被淘汰？為什么總是討論三極管問題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
大家好，我是電路小白。理論知識有點(diǎn)，但是實(shí)踐機(jī)會甚少。想問在維修電路板時，有個別不重要的場效應(yīng)管壞了，可否用三極管代替呀？謝謝！
2021-11-27 12:47:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
場效應(yīng)管的作用：放大、調(diào)制、諧振和作開關(guān)用，場效應(yīng)管是電壓控制型器件。場效應(yīng)管的好壞判斷：把數(shù)字萬用表打到二極管檔，用萬用表任意觸碰場效應(yīng)管的三只引腳，好的場效應(yīng)管最終結(jié)果只有一次有讀數(shù)，并且在
2012-05-04 09:51:12
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
場效應(yīng)管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應(yīng)用而變得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應(yīng)用，涵蓋如通電源，和服務(wù)器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
管子開關(guān)影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
，這一塊也是金航標(biāo)產(chǎn)品的研發(fā)方向。薩科微slkoric（www.slkoric.com）半導(dǎo)體研發(fā)的igbt、碳化硅場效應(yīng)管、ldo電源管理芯片，也廣泛應(yīng)用于逆變器、電池管理等場合，和金航標(biāo)的信號連接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管1.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管的比較場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:16
0 VMOS場效應(yīng)管介紹及應(yīng)用
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不
2010-01-13 15:22:25146 場效應(yīng)管
2006-04-15 22:58:582714 
場效應(yīng)管
2006-04-16 23:35:116117 
場效應(yīng)管的檢測:
由于場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、原理和普通三極管不同，在業(yè)余條件下用萬用表作判別的方法亦不相同，在測試前
2007-07-15 12:40:3927526 電力場效應(yīng)管
電力場效應(yīng)管
2007-10-07 15:34:032323 
場效應(yīng)管的檢測方法
一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣
2007-12-22 11:34:382091 場效應(yīng)管知識場效應(yīng)晶體管
1.什么叫場效應(yīng)管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)
2008-01-15 10:26:4717464 
這一節(jié)我們要了解場效應(yīng)管的分類，各種場效應(yīng)管的工作特點(diǎn)及根據(jù)特性曲線能判斷管子的類型。
2008-05-23 10:00:485525 
VMOS場效應(yīng)管 VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)
2009-04-25 15:47:442452 
場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn)
一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判
2009-07-02 18:28:30838 
MOS場效應(yīng)管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231215 場效應(yīng)管質(zhì)量的簡易判斷
1.結(jié)型場效應(yīng)管電極的判別根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)管的PN 結(jié)正、反向電阻值的不同.可以用萬用表判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法參
2009-08-22 16:00:032397 功率場效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:145400 
MOS場效應(yīng)管
2009-11-06 17:21:001149 用機(jī)械萬用表測量場效應(yīng)管
1、結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別 (1)從包裝上區(qū)分
2009-11-09 14:51:191514 場效應(yīng)管放大電路
1.場效應(yīng)管的小信號模型
已知場效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式：
2009-11-09 15:59:193089 場效應(yīng)管（FET）,場效應(yīng)管（FET）是什么意思
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
2010-03-01 11:06:0548375 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031797 如何測試場效應(yīng)管
1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對
2010-03-04 10:00:2310728 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533750 場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:221113 場效應(yīng)管的檢測和使用
2017-03-27 17:07:150 本文主要介紹了場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場效應(yīng)管的工作原理。場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設(shè)計(jì)、頻率太高、沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)以及MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，都有可能造成場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重。
2018-01-30 15:13:2033905 
本文開始介紹了什么是場效應(yīng)管和場效應(yīng)管的特點(diǎn)，其次闡述了場效應(yīng)管的參數(shù)及場效應(yīng)管的作用，最后分析了場效應(yīng)管到底好在哪以及場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-03-21 17:10:3826538 本文開始介紹了場效應(yīng)管的概念和場效應(yīng)管特點(diǎn)，其次介紹了場效應(yīng)管的參數(shù)與場效應(yīng)管的作用，最后分析了場效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小以及介紹了場效應(yīng)管測量方法圖解。
2018-04-03 11:37:5947554 
本文首先介紹了場效應(yīng)管是什么，然后解釋了場效應(yīng)管的工作原理。
2019-08-14 10:31:2710053 本文首先將場效應(yīng)管與晶體管進(jìn)行了比較，然后說明了場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域，最后解釋了場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢。
2019-08-14 14:28:0413751 碳化硅場效應(yīng)管SL19N120A
2022-06-29 14:30:100 場效應(yīng)管怎樣修（1）首先觀察待測場效應(yīng)管外觀，看待測場效應(yīng)管是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說明場效應(yīng)管已發(fā)生損壞，如圖1所示，本次待測的場效應(yīng)管外型完好沒有明顯的物理損壞。
2023-02-11 16:58:573128 場效應(yīng)管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓，通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）、JFET（金屬硅場效應(yīng)管）、IGBT（晶體管場效應(yīng)管）等。
2023-02-17 15:44:056248 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 8.1.1夾斷電壓8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.4結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS
2022-02-16 09:43:48986 
場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:2930336 
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22995 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 場效應(yīng)管怎么測量好壞? 場效應(yīng)管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見的一種。在電子電路設(shè)計(jì)中，場效應(yīng)管的主要作用是作為放大器和開關(guān)來使用。場效應(yīng)管的好壞直接影響到整個電路的性能
2023-09-02 11:31:248023 結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:515645 碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:054098 
2586場效應(yīng)管能不能使用3205場效應(yīng)管代替？ 場效應(yīng)管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中，包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等。然而，在一些場合下，我們可能需要找到一個能夠
2024-01-15 15:49:572596 Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專為電動汽車（EV）而設(shè)計(jì)，符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:291124 碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、碳化硅Schottky二極管、碳化硅JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）等。這些器件與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，具有以下突出特性：
2024-04-29 12:30:081082 過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管
2024-05-30 11:23:032192 
場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種通過改變電場來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型，場效應(yīng)管可以分為N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管。這兩種管子在結(jié)構(gòu)和工作原理上有所相似，但在載流子類型、電源極性等方面存在差異。
2024-09-23 16:41:225811 場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用電場效應(yīng)來控制電流的流動。場效應(yīng)管的主要類型有結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體
2024-12-09 15:52:343373 安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。這一舉措將補(bǔ)足安森美廣泛
2024-12-13 18:10:271204
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