對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加，使得碳化硅 （SiC） FET 因其快速開(kāi)關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開(kāi)啟）和高壓額定值。

然而，SiC 器件的快速開(kāi)關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致更高的電壓DS尖峰具有更長(zhǎng)的振鈴持續(xù)時(shí)間，這會(huì)在高電流水平下引入更多的 EMI。對(duì)于從事電動(dòng)汽車和可再生能源等大功率應(yīng)用的工程師來(lái)說(shuō)，在試圖提高效率并釋放這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)的全部潛力而又不必要地使設(shè)計(jì)復(fù)雜化時(shí)，這將是一個(gè)問(wèn)題。

什么是 VDS尖峰和鈴聲？

V 的根本原因DS尖峰和振鈴是寄生電感。如果我們看一下SiC MOSFET的典型關(guān)斷波形（圖1），柵源電壓（V一般事務(wù)人員）為18V至0V，漏極電流（ID） 在 50A 時(shí)關(guān)閉，總線電壓 （VDS） 為 800V。由于SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快，因此會(huì)出現(xiàn)高VDS尖峰和較長(zhǎng)的振鈴持續(xù)時(shí)間。高VDS尖峰將降低器件裕量，以處理雷電和突然負(fù)載變化等條件引起的電壓困擾。較長(zhǎng)的振鈴持續(xù)時(shí)間將引入更多的EMI。這種現(xiàn)象在高電流水平上更為明顯。

圖1.關(guān)斷 VDS 尖峰和振鈴，采用快速 SiC 器件

常規(guī)方式

抑制EMI的標(biāo)準(zhǔn)解決方案是通過(guò)使用高柵極電阻（RG).但是，這種方法將迫使在效率和EMI之間進(jìn)行權(quán)衡。事實(shí)上，使用高R值G顯著增加開(kāi)關(guān)損耗。

另一種解決方案是降低電源環(huán)路雜散電感。然而， 它需要重新設(shè)計(jì)PCB布局并使用電感較小的較小封裝.此外， 我們可以最小化PCB上的電源環(huán)路面積是有限的， 并且有安全法規(guī)設(shè)置最小間距和間隙距離.此外，通過(guò)使用更小的封裝，我們犧牲了熱性能。

我們還具有濾波器設(shè)計(jì)，可幫助我們滿足EMI要求并簡(jiǎn)化系統(tǒng)中的權(quán)衡。除此之外，我們可以使用控制方法來(lái)降低EMI;例如，頻率抖動(dòng)技術(shù)通過(guò)分散電源的噪聲頻譜來(lái)降低EMI。

新方式

更有效和高效的方法是采用簡(jiǎn)單的RC緩沖器，從而減輕設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)并釋放SiC器件的全部功率。這種簡(jiǎn)單的解決方案可以證明可以有效地控制VDS尖峰和振鈴持續(xù)時(shí)間，在寬負(fù)載范圍內(nèi)具有更高的效率，并且關(guān)斷延遲可以忽略不計(jì)。

得益于更快的dv/dt和額外的Cs，緩沖器還具有更高的位移電流，這意味著關(guān)斷轉(zhuǎn)換時(shí)的ID和VDS重疊更少。

我們可以使用雙脈沖測(cè)試（DPT）來(lái)研究緩沖器的影響。它是帶有感性負(fù)載的半橋配置。高端和低邊使用相同的器件：V一般事務(wù)人員， VDS和我D從低側(cè)器件測(cè)量（圖2）。

電流互感器 （CT） 測(cè)量器件和緩沖電流。因此，測(cè)得的開(kāi)關(guān)損耗包括器件開(kāi)關(guān)損耗和緩沖損耗。

圖2.半橋配置（頂部和底部設(shè)備相同）

如果使用緩沖器，則它是一個(gè) 200pF 電容器，與 SiC MOSFET 漏極和拉極兩端的 10Ω 電阻串聯(lián)。

圖 3：RC 緩沖器更有效地控制關(guān)斷 EMI

首先，讓我們比較關(guān)斷（圖3）。對(duì)于圖1中的同一器件，左側(cè)波形使用RC緩沖器和低R。G（關(guān)閉），正確的波形使用高RG（關(guān)閉）但沒(méi)有冷落。兩種方法都限制了關(guān)斷VDS峰值尖峰電壓;但是，緩沖器使用33ns來(lái)抑制振鈴，而高RG（關(guān)閉）仍然有超過(guò) 100ns 的振鈴持續(xù)時(shí)間。此外，緩沖器的延遲時(shí)間比使用高R要短G（關(guān)閉）.因此，緩沖器更有效地控制兩個(gè)VDS關(guān)閉時(shí)的關(guān)閉尖峰和振鈴持續(xù)時(shí)間。

圖4.RC 緩沖器在開(kāi)啟期間的有效性

在導(dǎo)通側(cè)（圖 4），如果我們比較帶有 RC 緩沖器的波形和 RG（開(kāi)）5Ω和沒(méi)有緩沖器的緩沖器，我們可以看到，使用緩沖器輕微會(huì)增加峰值反向恢復(fù)電流（IRR） 從 94A 到 97A。除此之外，它對(duì)導(dǎo)通波形的影響可以忽略不計(jì)。

這表明緩沖器比高R更有效G（關(guān)閉）控制 VDS 尖峰和振鈴持續(xù)時(shí)間。但是緩沖器能更有效嗎？（圖5）

圖5.緩沖器與高R的開(kāi)關(guān)損耗（Eoff，Eon）比較G（關(guān)閉）

在 48A 時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)高 RG（關(guān)閉）關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗是使用低R緩沖器的兩倍以上G（關(guān)閉）.因此，緩沖器在關(guān)斷時(shí)效率更高，因?yàn)樗试S更快的開(kāi)關(guān)，同時(shí)提供更好的V控制DS尖峰和振鈴。

如果我們看一下導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗，緩沖器平均略微增加了70μJ。因此，為了全面估計(jì)整體效率，我們需要將 Eoff 和 Eon 相加并比較 Etotal（圖 6）。當(dāng)設(shè)備全速切換時(shí)，很明顯，高于 18A 的緩沖器效率更高。對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率為40A/40kHz的40mΩ器件，使用高R電阻的開(kāi)關(guān)損耗之差G（關(guān)閉）和低 RG（關(guān)閉）帶緩沖器是每個(gè)設(shè)備11W。

圖6.緩沖器與高R的開(kāi)關(guān)損耗（總）比較G（關(guān)閉）

因此我們可以得出結(jié)論，緩沖器比使用高R更有效，更高效G（關(guān)閉）.

隨著我們進(jìn)入第四代SiC器件，這種簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)解決方案將繼續(xù)提供更低的總開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化系統(tǒng)電源效率。

審核編輯：郭婷