三極管的基本結構：三個區(qū)、三個極、兩個結；分為NPN型和PNP型兩大類。

常用的三極管的結構有硅平面管和鍺合金管兩種類型。

三極管具有三個極，分別為基極B，發(fā)射極E，集電極C；

三個電極之間存在電流關系：IE ＝ IC ＋IB

每一組的集電極電流都要比基極電流大得多，二者之間在數值上基本滿足一個比例關系。

放大倍數=Ic電流/Ib電流

三極管有三種組態(tài)，分別是：共基、共射（常用的電路）、共集，其辨認方法是通過看哪只電極接地，就是共哪只電極；

三極管的特性曲線是選用三極管的主要依據，可從半導體器件手冊查得，有：

輸入特性：

輸出特性：

一、共發(fā)射極的特性（常用電路）

（1）輸入特性：

從圖可以看出：

1、三極管的伏安特性也是非線性的，整條曲線可以分為起始非線性段和工作點較高時的近似線性段；

2、表明，和二極管一樣也存在閾值電壓。

（2）輸出特性

整個曲線坐標平面可以分成幾個區(qū)域：放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)、擊穿區(qū)。

（3）三極管工作狀態(tài)的判斷

在不同條件下，三極管將處于不同的工作狀態(tài)。

一種判斷方法如下

（1）三極管處于截止狀態(tài)的條件是：UBE

注：UTH是三極管發(fā)射結導通電壓（也稱死區(qū)電壓），硅管UTH約為0.5V，鍺管UTH約為0.2V。

（2）飽和條件：

（3）當UBE >UTH時，而三極管又沒有達到飽和狀態(tài)，即IB

二、三極管的極限參數

極限參數是晶體管正常工作時所能達到的最大的電流、電壓、功率等數值，它關系到晶體管的安全使用問題。

(1)集電極最大允許電流ICM

集電極電流Ic超過一定數值后，電流放大系數β顯著下降。當β值下降到正常值的三分之二時的集電極電流，稱為集電極最大允許電流IcM。

(2)集—射極擊穿電壓U（BR）CEO

它是基極開路時(IB=0)，能加在集-射極之間的最大允許電壓。

(3)集電極最大允許耗散功率PCM

集電極消耗的功率可用集電極耗散功率Pc=ICUCE表示，極最大允許耗散功率表示為PCM，晶體管工作時應滿足Ic·UCE

三、溫度對三極管參數的影響

半導體材料的熱敏性，導致半導體器件不可避免的存在參數受溫度影響的現象。影響的規(guī)律是：溫度上升，集電極電流增大；溫度下降，集電極電流減少。

四、選用三極管的一些基本原則

（1）從三極管工作的穩(wěn)定性和安全性考慮，要滿足下面的關系：

1.集電極工作電流IC ≤管參數ICM，

2.三極管額定消耗功率PC ≤管參數PCM，

3. E－B極間的反向電壓≤管參數U（BR）EBO

（2）在溫度變化較大的場合，盡可能選用硅管，在信號小和電源電壓低（1.5V）情況下，盡可能選用鍺管。

（3）用于放大電路的，放大系數β不宜太高，一般在50~100間，穿透電流盡可能小些。這樣有利于放大器的穩(wěn)定性。

（4）要根據電路信號的頻率選擇好低頻管或高頻管；根據電路負載大小選擇三極管的功率，使用大功率管時，要注意散熱條件。

以上內容則是三極管的應用的相關知識，在實際設計場合，還會有更多的應用，需要更加實際開發(fā)工作去詳細的了解。