首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管，也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型，我們下面都會(huì)介紹到。

一、增強(qiáng)型MOS管

首先看一下結(jié)構(gòu)圖（NMOS）：

圖片來自網(wǎng)絡(luò)

我們會(huì)發(fā)現(xiàn)這個(gè)絕緣柵型的結(jié)構(gòu)和前面介紹的結(jié)型場效應(yīng)管有點(diǎn)不太一樣，但這不是重點(diǎn)。 絕緣柵型場效應(yīng)管多用在集成電路中，比如我們開篇說到的門電路，這也只是冰山一角。

先介紹一下它的結(jié)構(gòu)吧。

源極（S）、漏極（D）、柵極（G）都沒有變，它們都接了一個(gè)金屬墊片，多了一個(gè)襯底電極B直接連到P（襯底）。

S極和D極接到N，二者其實(shí)是一樣的，也可以互換。 但是，G極卻并沒有和任何N或者P連接，極板下面是一層很薄的二氧化硅（SiO2）薄層，絕緣。 所以現(xiàn)在的任務(wù)就是想要D與S之間能夠構(gòu)成通路。

電路符號(hào)，箭頭方向還是和結(jié)型場效應(yīng)管一樣的，P指向N。 有了上面的介紹，應(yīng)該知道為什么D、B、S之間是斷開了吧，沒有一個(gè)是自帶的通路。

現(xiàn)在我們介紹一下導(dǎo)電溝道的形成，先看圖。

圖片來自網(wǎng)絡(luò)

電壓UGS，B極也是連到了電源負(fù)極，這樣，G+、B-，之間會(huì)形成一個(gè)電場，方向向下，把P里面的自由電子都吸引到二氧化硅（SiO2）那了，形成一個(gè)叫做“自由電子薄層”的導(dǎo)電區(qū)域，也叫“N型反型層”。 于是電壓UGS越大，吸引的電子就越多，這個(gè)反型層也就越寬，足以把S與D的N區(qū)域連接起來。

一般的，我們把剛開始形成反型層的柵源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)表示。

圖片來自網(wǎng)絡(luò)

D和S之間加上電壓UDS，二者導(dǎo)通，，產(chǎn)生漏極電流ID。

其實(shí)這個(gè)導(dǎo)電的溝道，或者說反型層，可以理解為由電壓UGS控制的一個(gè)電阻，因?yàn)閁GS大小不同，導(dǎo)致反型層寬度不同，導(dǎo)電性也不同。

雖然我們加上電壓UDS，D與S導(dǎo)通，但是也會(huì)和前面的結(jié)型場效應(yīng)管一樣，在漏極D附近形成電壓梯度，漏極D附近電壓表示為UGS-UDS，這是小于源極S附近電壓的。所以，漏極D附近電場弱，反型層薄，使得溝道不等寬。如果UDS增大到UGS(th)時(shí)，溝道在漏極D附近夾斷，電流ID不在變化，相當(dāng)于飽和了。

綜上所述，NMOS管的輸出特性曲線和結(jié)型場效應(yīng)管差不多，前面電流增大的一段是可變電阻區(qū)，后面電流不在變化，可以說是恒流區(qū)或者飽和區(qū)。

現(xiàn)在解釋一下為什么要叫增強(qiáng)型？小編理解的就是，G和S之間逐漸增大電壓UGS，形成反型層，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的基礎(chǔ)，可以說是一個(gè)正向的過程吧。大家怎么理解就怎么理解。

二、耗盡型MOS管

其實(shí)原理和增強(qiáng)型一樣， 只是在二氧化硅（SiO2）薄層那里加了電荷，耗盡型NMOS加的是正電荷，耗盡型PMOS加的是負(fù)電荷 ，也就是說，耗盡型的做出來之后就自帶導(dǎo)電溝道了，區(qū)別就是在這。

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想要了解更多，大家可以自行查閱相關(guān)資料針對(duì)性地了解。

好了，今天的內(nèi)容就到這里，我們下期再見。